epc gan fet 文章進(jìn)入epc gan fet技術(shù)社區(qū)

EV/HEV市場(chǎng)可期 SiC/GaN功率器件步入快車道

　　根據(jù)Yole Development預(yù)測(cè)，功率晶體管將從硅晶徹底轉(zhuǎn)移至碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)基板，以期能在更小的空間中實(shí)現(xiàn)更高功率。　　在最新出版的“GaN與SiC器件驅(qū)動(dòng)電力電子應(yīng)用”(GaN and SiC Devices for Power Electronics Applications)報(bào)告中，Yole Development指出，促進(jìn)這一轉(zhuǎn)型的巨大驅(qū)動(dòng)力量之一來(lái)自電動(dòng)車(EV)與混合動(dòng)力車(HEV)產(chǎn)業(yè)。Yole預(yù)期EV/HEV產(chǎn)業(yè)將持續(xù)大力推動(dòng)Si
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出面向D類音頻放大器的理想器件

　　宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出單片半橋式增強(qiáng)型氮化鎵晶體管-- EPC2106。通過(guò)集成兩個(gè)eGaN®功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管而成為一個(gè)集成電路可以去除互感及PCB板上器件之間所需的間隙空間，從而提高效率(尤其是在更高頻時(shí))及提高功率密度而同時(shí)降低終端用戶的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的組裝成本。　　EPC2106是一種半橋元件，其額定電壓為100 V、RDS(on)的典型值為55 m?、輸出電容低于600 pF、零反向恢復(fù)(QRR)及18 A最高脈沖漏極電流。由于氮化鎵元件具備低導(dǎo)通電阻及電容，因此可實(shí)現(xiàn)高效率及大大
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高精度的功率轉(zhuǎn)換效率測(cè)量

　　目前，電動(dòng)汽車和工業(yè)馬達(dá)的可變速馬達(dá)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，其低損耗·高效率·高頻率的性能正在不斷進(jìn)化。因?yàn)槭褂昧艘缘碗娮?、高速開(kāi)關(guān)為特點(diǎn)的SiC和GaN等新型功率元件的PWM變頻器和AC/DC轉(zhuǎn)換器、DC/DC轉(zhuǎn)換器，其應(yīng)用系統(tǒng)的普及正在不斷加速。構(gòu)成這些系統(tǒng)的變頻器·轉(zhuǎn)換器·馬達(dá)等裝置的開(kāi)發(fā)與測(cè)試則需要相較以前有著更高精度、更寬頻帶、更高穩(wěn)定性的能夠迅速測(cè)量損耗和效率的測(cè)量系統(tǒng)。　　各裝置的損耗和效率與裝置的輸入功率和輸出功率同時(shí)測(cè)量，利用它們的差和比
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GaN技術(shù)和潛在的EMI影響

　　1月出席DesignCon 2015時(shí)，我有機(jī)會(huì)聽(tīng)到一個(gè)由Efficient Power Conversion 公司CEO Alex Lidow主講的有趣專題演講，談到以氮化鎵(GaN)技術(shù)進(jìn)行高功率開(kāi)關(guān)組件(Switching Device)的研發(fā)。我也有幸遇到“電源完整性 --在電子系統(tǒng)測(cè)量、優(yōu)化和故障排除電源相關(guān)參數(shù)(Power Integrity - Measuring, Optimizing, and Troubleshooting Power Related Parameter
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詳解LED PWM調(diào)光技術(shù)及設(shè)計(jì)注意點(diǎn)

　　無(wú)論LED是經(jīng)由降壓、升壓、降壓/升壓或線性穩(wěn)壓器驅(qū)動(dòng)，連接每一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路最常見(jiàn)的線程就是須要控制光的輸出?，F(xiàn)今僅有很少數(shù)的應(yīng)用只需要開(kāi)和關(guān)的簡(jiǎn)單功能，絕大多數(shù)都需要從0～100%去微調(diào)亮度。目前，針對(duì)亮度控制方面，主要的兩種解決方案為線性調(diào)節(jié)LED的電流(模擬調(diào)光)或在肉眼無(wú)法察覺(jué)的高頻下，讓驅(qū)動(dòng)電流從0到目標(biāo)電流值之間來(lái)回切換(數(shù)字調(diào)光)。利用脈沖寬度調(diào)變(PWM)來(lái)設(shè)定循環(huán)和工作周期可能是實(shí)現(xiàn)數(shù)字調(diào)光的最簡(jiǎn)單的方法，原因是相同的技術(shù)可以用來(lái)控制大部分的開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器。　　PWM調(diào)光能調(diào)配準(zhǔn)確色光
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西門(mén)子：將通過(guò)三大途徑回歸能源業(yè)務(wù)

　　全球的能源市場(chǎng)正發(fā)生變革，眾多發(fā)展中國(guó)家所面臨的電力短缺，這為一些電力EPC企業(yè)帶來(lái)了巨大的市場(chǎng)機(jī)會(huì)。目前，西門(mén)子正在與越來(lái)越多的中國(guó)企業(yè)一起參與海外電力市場(chǎng)重大項(xiàng)目的開(kāi)發(fā)、建設(shè)和運(yùn)營(yíng)。據(jù)了解，在西門(mén)子的發(fā)電領(lǐng)域當(dāng)中，EPC項(xiàng)目占到三成，這表明西門(mén)子非常重視電力EPC市場(chǎng)。而在近日，西門(mén)子(中國(guó))有限公司和中國(guó)電力建設(shè)股份有限公司聯(lián)合舉辦了“2015中國(guó)電力EPC論壇”，進(jìn)一步探討了發(fā)電EPC領(lǐng)域的海外經(jīng)驗(yàn)，以尋求更多的合作機(jī)會(huì)。　　而在與中國(guó)企業(yè)合作電力EPC項(xiàng)目的過(guò)程當(dāng)
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英飛凌攜高能效增強(qiáng)模式和共源共柵配置硅基板GaN平臺(tái)組合亮相2015年應(yīng)用電力電子會(huì)議暨展覽會(huì)（APEC）

　　英飛凌科技股份公司今日宣布擴(kuò)充其硅基氮化鎵(GaN)技術(shù)和產(chǎn)品組合。目前，英飛凌提供專為要求超高能效的高性能設(shè)備而優(yōu)化的增強(qiáng)模式和級(jí)聯(lián)模式GaN平臺(tái)，包括服務(wù)器、電信設(shè)備、移動(dòng)電源等開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用以及諸如Class D音頻系統(tǒng)的消費(fèi)電子產(chǎn)品。GaN技術(shù)可以大幅地縮小電源的尺寸和減輕電源的重量，這將為GaN產(chǎn)品在諸如超薄LED電視機(jī)等終端產(chǎn)品市場(chǎng)開(kāi)辟新的機(jī)會(huì)。　　英飛凌科技股份公司電源管理及多元化市場(chǎng)事業(yè)部總裁Andreas Urschitz表示：“英飛凌的硅基GaN產(chǎn)品組合，結(jié)合公司了所
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英飛凌將與松下電器聯(lián)袂雙雙推出常閉型600VGaN功率器件

　　英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達(dá)成協(xié)議，將聯(lián)合開(kāi)發(fā)采用松下電器的常閉式(增強(qiáng)型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結(jié)構(gòu)，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結(jié)構(gòu)的許可。按照這份協(xié)議的規(guī)定，兩家公司均可生產(chǎn)高性能GaN器件。由此帶來(lái)的益處是客戶可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開(kāi)關(guān)。迄今為止，沒(méi)有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合，雙方商定不披露任何其他合同細(xì)節(jié)。　　作為新一代化合物半導(dǎo)體技術(shù)，硅基板Ga
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TI發(fā)布業(yè)內(nèi)首款80V半橋GaN FET模塊

　　近日，德州儀器推出了業(yè)內(nèi)首款80V、10A集成氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 功率級(jí)原型機(jī)。此次原型機(jī)由位于四方扁平無(wú)引線 (QFN) 封裝內(nèi)的一個(gè)高頻驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)采用半橋配置的GaN FET組成，使之非常易于設(shè)計(jì)。如需了解更多信息，敬請(qǐng)?jiān)L問(wèn)www.ti.com.cn/lmg5200-pr-cn。　　全新的LMG5200 GaN FET功率級(jí)原型機(jī)將有助于加快下一代GaN電源轉(zhuǎn)換解決方案的市場(chǎng)化，此方案為空間有限且高頻的工業(yè)應(yīng)用和電信應(yīng)用提供更高的功率密度和效率。　　TI高壓電源
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英飛凌將與松下電器聯(lián)袂，雙雙推出常閉型600V GaN功率器件

　　英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達(dá)成協(xié)議，將聯(lián)合開(kāi)發(fā)采用松下電器的常閉式(增強(qiáng)型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結(jié)構(gòu)，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結(jié)構(gòu)的許可。按照這份協(xié)議的規(guī)定，兩家公司均可生產(chǎn)高性能GaN器件。由此帶來(lái)的益處是客戶可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開(kāi)關(guān)。迄今為止，沒(méi)有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合。雙方商定不披露任何其他合同細(xì)節(jié)。　　作為新一代化合物半導(dǎo)體技術(shù)，硅基板Ga
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英飛凌和松下聯(lián)合開(kāi)發(fā)GaN技術(shù)

　英飛凌和松下聯(lián)合開(kāi)發(fā)GaN器件，將松下的增強(qiáng)型GaN材料技術(shù)與英飛凌的SMD封裝技術(shù)相結(jié)合。
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GaN在射頻功率領(lǐng)域會(huì)所向披靡嗎？

　　氮化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領(lǐng)射頻功率器件新發(fā)展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)器件變成昨日黃花?看到一些媒體文章、研究論文、分析報(bào)告和企業(yè)宣傳文檔后你當(dāng)然會(huì)這樣認(rèn)為，畢竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損耗)，更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出，這就是GaN，無(wú)論是在硅基、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個(gè)應(yīng)用都表現(xiàn)出色!帥呆了! 　　至少現(xiàn)在看是這樣，讓我們回顧下不同襯底風(fēng)格的GaN：硅基、碳化硅(S
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EPC-9200工控主板在電動(dòng)汽車充電樁系統(tǒng)中的應(yīng)用

　　1. 方案背景　　1、行業(yè)背景　　我國(guó)政府順應(yīng)時(shí)代發(fā)展，超常規(guī)地、大力發(fā)展電動(dòng)汽車產(chǎn)業(yè)，由此帶動(dòng)了新能源電動(dòng)汽車充電樁項(xiàng)目的蓬勃興起，在國(guó)內(nèi)各地電動(dòng)汽車充電站紛紛涌現(xiàn)! 　　充電樁是電動(dòng)力車的電站，其功能類似于加油站里面的加油機(jī)。每個(gè)充電樁都裝有充電插頭，充電樁可以根據(jù)不同的電壓等級(jí)，為各種型號(hào)的電動(dòng)車充電。電動(dòng)汽車充電樁采用的是交、直流供電方式，需要特制的充電卡刷卡使用，充電樁顯示屏能顯示充電量、費(fèi)用、充電時(shí)間等數(shù)據(jù)。充電樁作為加油站、小區(qū)電動(dòng)汽車充電狀態(tài)的人機(jī)交互產(chǎn)品。可實(shí)現(xiàn)計(jì)時(shí)充電和計(jì)
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宜普電源高性能氮化鎵功率晶體管已有現(xiàn)貨供應(yīng)

　　氮化鎵(eGaN?)功率晶體管繼續(xù)為電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)定業(yè)界領(lǐng)先的性能基準(zhǔn)。由于氮化鎵器件具有更低的導(dǎo)通電阻、更低的電容、更大的電流及卓越的熱性能，因此使得功率轉(zhuǎn)換器可實(shí)現(xiàn)超過(guò)98%的效率。　　宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出六個(gè)新一代功率晶體管及相關(guān)的開(kāi)發(fā)板。這些由30 V至200 V的產(chǎn)品在很多應(yīng)用可大大降低導(dǎo)通電阻(RDS(on))并可增強(qiáng)輸出電流性能，例如具高功率密度的直流-直流轉(zhuǎn)換器、負(fù)載點(diǎn)(POL)轉(zhuǎn)換器、直流-直流及交流-直流轉(zhuǎn)換器的同步整流器、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器、發(fā)光二極管照明及工業(yè)自動(dòng)化等廣
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EPC瞄準(zhǔn)氮化鎵功率器件市場(chǎng)興起機(jī)遇

　　功率器件一直都是由材料引導(dǎo)技術(shù)革新，硅材質(zhì)的MOSFET已經(jīng)應(yīng)用多年，現(xiàn)在面臨在功率密度、工作溫度和更高電壓方面的技術(shù)挑戰(zhàn)，而解決這一問(wèn)題最根本的辦法是采用更高性能的材料。　　宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)是首家推出替代功率MOSFET器件的增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的公司，他們希望借助技術(shù)優(yōu)勢(shì)快速推廣其技術(shù)和產(chǎn)品，并于未來(lái)數(shù)年間取代硅功率MOSFET器件及IGBT，搶奪超過(guò)百億美元的功率轉(zhuǎn)換市場(chǎng)份額。　　增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管作為寬頻隙器件，其優(yōu)勢(shì)包括具有更高功率密度、更
關(guān)鍵字： MOSFET EPC eGaN 201406