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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> epc gan fet

          富士通明年計劃量產氮化鎵功率器件

          • 富士通半導體(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務器電源單元成功實現(xiàn)2.5kW的高輸出功率,富士通半導體計劃將于2013年下半年開始量產這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應用,對實現(xiàn)低碳社會做出重大貢獻。
          • 關鍵字: 富士通  功率器  GaN  

          電源設計:正確地同步降壓 FET 時序

          • 由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率,時序優(yōu)化正變得越來越重要。在開關期間,存在兩個過渡階段:低...
          • 關鍵字: 電源設計  同步降壓  FET  時序  

          UHF RFID讀寫器編解碼模塊的FPGA實現(xiàn)

          • 本文首先對EPC C1G2協(xié)議中的相關內容作了簡要介紹,對編解碼系統(tǒng)的架構以及各個組成模塊的FPGA實現(xiàn)作了重點說明,最后給出了Modelsim軟件仿真結果,以及在讀寫器工作時使用Signaltap邏輯分析儀抓取的數(shù)據(jù)。
          • 關鍵字: FPGA  UHF RFID  EPC C1G2協(xié)議  編解碼  FM0  miller碼  

          德州儀器推出最靈活PFET高側負載開關

          • 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款在微型 6 引腳封裝中集成功率 PFET 與控制 NFET 的高側負載開關。該 TPS27081A 提供 1.0 V 至 8 V 的業(yè)界最寬泛電源電壓支持,是分立式 FET 開關的最靈活替代產品。
          • 關鍵字: TI  TPS27081A  FET  

          LTE/EPC網絡信令風暴的抑制方案

          • 0 前言無線網絡架構演進到LTE/EPC架構時,網絡變得更加得扁平,信令消息直接在eNodeB和MME之間傳遞,沒有RNC來收斂匯聚,隨著LTE部署規(guī)模的擴大,一個MME要控制上萬個eNodeB,和這么多eNodeB進行信令交互,MME的壓力
          • 關鍵字: 方案  抑制  風暴  網絡  LTE/EPC  

          功放為智能手機提供最佳效率

          • 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
          • 關鍵字: 智能手機  功放  最佳效率  TD-LTE  GaN  

          將光電FET光耦用作一個線性壓控電位器

          • 光電FET可以用作一只可變電阻,或與一只固定電阻一起用作電位器。H11F3M光電FET有7.5kV的隔離電壓,因此能夠安全地控制高壓電路參數(shù)。但這些器件的非線性傳輸特性可能成為問題(圖1)。為了校正這種非線性,可以采用一
          • 關鍵字: FET  光電  電位器  光耦    

          基于優(yōu)化變換器的FET開關來改善能量效率

          •  在計算和消費電子產品中,效率已經有了顯著的提高,重點是AC/DC轉換上。不過,隨著80 PLUS,Climate Savers以及EnergyStar 5等規(guī)范的出現(xiàn),設計人員開始認識到,AC/DC和DC/DC功率系統(tǒng)都需要改進?! C/DC平均系統(tǒng)
          • 關鍵字: 改善  能量  效率  開關  FET  優(yōu)化  變換器  基于  

          設計主電源和備用電源之間的FET-OR電路開關

          • 圖1為一具有“二極管或”功能的電路,用于主電源和備用電源之間必須自動切換的場合,包括電池供電存儲器電...
          • 關鍵字: 主電源  備用電源  FET-OR  

          “主流GaN”的發(fā)展和未來

          • 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
          • 關鍵字: GaN  恩智浦  氮化鎵  射頻功率晶體管  

          科銳推出突破性GaN基固態(tài)放大器平臺

          • 科銳公司(Nasdaq: CREE)宣布推出具有革新性功率與帶寬性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅襯底氮化鎵基(GaN-on-SiC)裸芯片產品系列。該創(chuàng)新型產品系列能夠使得固態(tài)放大器替代行波管,從而提高效率和可靠性。
          • 關鍵字: 科銳  放大器  GaN  

          對反向轉換器的FET關斷電壓進行緩沖的方法

          • 圖 1 顯示了反向轉換器功率級和一次側 MOSFET 電壓波形。該轉換器將能量存儲于一個變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關閉時將其釋放到次級繞組。由于變壓器的漏極電感會使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上,因此
          • 關鍵字: 緩沖  方法  進行  電壓  FET  關斷  轉換器  

          技術講座:用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件(一)

          • 與SiC和GaN相比,β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件,因而引起了極大關注。契機源...
          • 關鍵字: SiC  功率元件  GaN  導通電阻  

          用智能MOSFET提升醫(yī)療設計可靠性及性能

          • 所有關于醫(yī)療應用的產品在要求高可靠性的同時,仍然需要提供終端用戶想要的新技術與功能。由于各醫(yī)療設備...
          • 關鍵字: 智能MOSFET  醫(yī)療電子  FET  

          基于FET輸入型OP放大器的長時間模擬定時電路介紹

          • 電路的功能定時器專用IC有NE555和C-MOS單穩(wěn)態(tài)多批振蕩器4538B等。然后用FET輸入型OP放大器也可用途長時間定時電路。本電路采用其他模擬電路中使用的雙OP放大器余下的一個來組成定時器,這樣可以減少IC的數(shù)量,事先了
          • 關鍵字: FET  輸入  OP放大器  模擬    
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          epc gan fet介紹

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