epc gan fet 文章 進(jìn)入epc gan fet技術(shù)社區(qū)
GaN 出擊
- 自上世紀(jì)五十年代以來，以硅材料為代表的第一代半導(dǎo)體材料取代了笨重的電子管引發(fā)了以集成電路為核心的微電子領(lǐng)域迅速發(fā)展。隨著時間的流逝，盡管目前業(yè)內(nèi)仍然以 Si 材料作為主流半導(dǎo)體材料，但第二代、第三代甚至是第四代半導(dǎo)體材料都紛沓而至。這其中又以第三代半導(dǎo)體材料——氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）受到大眾關(guān)注。近段時間，GaN 方面又有了新進(jìn)展。本土 GaN 企業(yè)快速發(fā)展3 月 2 日，英飛凌宣布收購氮化鎵公司 GaN Systems，交易總值 8.3 億美元（約 57.3 億人民幣）。根據(jù)公告，英飛凌計劃
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EPC新推ePower? IC，可在不同功率預(yù)算提高功率密度和簡化設(shè)計
- 繼早前推出的100 V、35 A功率級IC（EPC23102）之后，EPC公司新推兩款新型100V功率級IC，其額定電流分別為15A(EPC23104)和25A(EPC23103)。這三款集成電路能夠承受100 V的最大電壓和集成了GaN半橋功率級，內(nèi)含采用半橋配置的對稱FET、半橋驅(qū)動器、電平轉(zhuǎn)換器、自舉充電和輸入邏輯接口。這三款器件采用熱增強型QFN封裝，尺寸僅為3.5 mm x 5 mm，頂部裸露以實現(xiàn)雙面冷卻和可潤濕側(cè)面。其封裝兼容的特性使客戶的設(shè)計得以升級，從而實現(xiàn)更高的性能或更低的成本而無需修
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基于Navitas NV6115的150W電源解決方案
- 傳統(tǒng)的功率半導(dǎo)體被設(shè)計用來提升系統(tǒng)的效率以及減少能量損失?？墒菍嶋H上，出于兩個方面的原因-傳導(dǎo)和開關(guān)切換，設(shè)備可能會出現(xiàn)能量損失。GaN FET為第三代功率半導(dǎo)體技術(shù)，其改善開關(guān)切換的延遲時間。納微（Navitas）半導(dǎo)體公司是世界上第一家的氮化鎵（ GaN ）功率芯片公司。所謂的氮化鎵功率芯片，其中 GaN 驅(qū)動器、GaN FET 和 GaN 邏輯單元的單片集成，并全部采用 650V GaN 工藝，從而實現(xiàn)許多軟開關(guān)拓?fù)浜蛻?yīng)用中的高速、高頻率、高效率操作。該方案采用NV6115 與 NV6117 氮化鎵
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GaN 良率受限，難以取代 IGBT
- GaN 要快速擴散至各應(yīng)用領(lǐng)域，仍有層層關(guān)卡待突破。
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市場規(guī)模節(jié)節(jié)攀升，第三代半導(dǎo)體成收購的熱門賽道
- 以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體市場正如火如荼地發(fā)展著，而“圍墻”之外的企業(yè)亦對此賽道十分看重。近日，中瓷電子資產(chǎn)重組重新恢復(fù)審核，其對第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的開拓有了新的進(jìn)展。3月6日，中瓷電子發(fā)布了《發(fā)行股份購買資產(chǎn)并募集配套資金暨關(guān)聯(lián)交易報告書（草案）（修訂稿）》。根據(jù)該修訂稿，中瓷電子擬以發(fā)行股份的方式，購買博威公司73.00%股權(quán)、氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務(wù)資產(chǎn)及負(fù)債、國聯(lián)萬眾94.6029%股權(quán)。事實上，除中瓷電子外，近來還有許多企業(yè)選擇以收購的方式，布局或擴大第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。2023年3月2
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GaN 時代來了？
- 隨著特斯拉宣布其下一代 EV 動力總成系統(tǒng)的 SiC 組件使用量減少 75%，預(yù)計第三代化合物半導(dǎo)體市場狀況將發(fā)生變化，GaN 被認(rèn)為會產(chǎn)生后續(xù)替代效應(yīng)。據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士透露，這有望使臺積電、世界先進(jìn)半導(dǎo)體 (VIS) 和聯(lián)華電子受益，它們已經(jīng)進(jìn)行了早期部署，并繼續(xù)擴大其 8 英寸加工 GaN 器件的產(chǎn)能。GaN 和 SiC 的比較GaN 和 SiC 滿足市場上不同的功率需求。SiC 器件可提供高達(dá) 1200V 的電壓等級，并具備高載流能力，因此非常適合汽車和機車牽引逆變器、高功率太陽能發(fā)電場和大型三相電網(wǎng)
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面向USB PD 3.1應(yīng)用,EPC新推基于eGaN IC的高功率密度、薄型DC/DC轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計
- EPC推出EPC9177，這是一種基于eGaN?IC的高功率密度、薄型DC/DC轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計，可滿足新型USB PD 3.1對多端口充電器和主板上從28 V~48 V輸入電壓轉(zhuǎn)換至12 V或20 V輸出電壓的嚴(yán)格要求。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出EPC9177，這是一款數(shù)字控制、單輸出同步降壓轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計，工作在?720 kHz 開關(guān)頻率，可轉(zhuǎn)換?48 V、36 V、28 V至穩(wěn)壓12 V輸出電壓，并提供可高達(dá)20 A的連續(xù)輸出電流。這款小面積（21mm?x 13m
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用于 GaN HEMT 的超快分立式短路保護(hù)
- 當(dāng)今的行業(yè)需要緊湊且速度更快的電子電路，這些電路可以在高性能計算機、電動汽車、數(shù)據(jù)中心和高功率電機驅(qū)動等高功率應(yīng)用中實施。實現(xiàn)這一壯舉的方法是提高電子設(shè)備的功率密度。硅基MOSFET具有較低的開關(guān)速度和熱效率；因此，如果不增加尺寸并因此影響功率密度，它們就不能用于高功率應(yīng)用。這就是基于氮化鎵 (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 用于制造高功率密度電子產(chǎn)品的地方，適用于各行各業(yè)的不同應(yīng)用。當(dāng)今的行業(yè)需要緊湊且速度更快的電子電路，這些電路可以在高性能計算機、電動汽車、數(shù)據(jù)中心和高功率電機驅(qū)動等高功
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英飛凌將收購氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems）
- 【2023 年 03 月 03日，德國慕尼黑和加拿大渥太華訊】英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）和氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems）聯(lián)合宣布，雙方已簽署最終協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議，英飛凌將斥資 8.3 億美元收購氮化鎵系統(tǒng)公司。氮化鎵系統(tǒng)公司是全球領(lǐng)先的科技公司，致力于為功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用開發(fā)基于氮化鎵的解決方案。該公司總部位于加拿大渥太華，擁有 200 多名員工。 英飛凌科技首席執(zhí)行官 Jochen Hanebeck 表示：“氮化鎵技術(shù)為打造更加
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幾個氮化鎵GaN驅(qū)動器PCB設(shè)計必須掌握的要點
- NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關(guān)。之前我們簡單介紹過氮化鎵GaN驅(qū)動器的PCB設(shè)計策略概要，本文將為大家重點說明利用 NCP51820 設(shè)計高性能 GaN 半橋柵極驅(qū)動電路必須考慮的 PCB 設(shè)計注意事項。本設(shè)計文檔其余部分引用的布線示例將使用含有源極開爾文連接引腳的 GaNFET 封裝。VDD 電容VDD 引腳應(yīng)有兩個盡可能靠近 VDD 引腳放置的陶瓷電容。如圖 7 所示，較低值的高頻旁路電
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氮化鎵GaN驅(qū)動器的PCB設(shè)計策略概要
- NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動氮化鎵（以下簡稱“GaN”） 功率開關(guān)。只有合理設(shè)計能夠支持這種功率開關(guān)轉(zhuǎn)換的印刷電路板 (PCB) ，才能實現(xiàn)實現(xiàn)高電壓、高頻率、快速dV/dt邊沿速率開關(guān)的全部性能優(yōu)勢。本文將簡單介紹NCP51820及利用 NCP51820 設(shè)計高性能 GaN 半橋柵極驅(qū)動電路的 PCB 設(shè)計要點。NCP51820 是一款全功能專用驅(qū)動器，為充分發(fā)揮高電子遷移率晶體管 (HEMT) GaNFET 的開關(guān)性能而
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納芯微新品，專門用于驅(qū)動E?mode（增強型）GaN 開關(guān)管的半橋芯片NSD2621
- 前言現(xiàn)階段的大多數(shù) GaN 電源系統(tǒng)都是由多個芯片組成。GaN 器件在電路板上組裝前采用分立式的元件組裝會產(chǎn)生寄生電感，從而影響器件的性能。例如驅(qū)動器會在單獨的芯片上帶有驅(qū)動器的分立晶體管，受到驅(qū)動器輸出級和晶體管輸入之間以及半橋開關(guān)節(jié)點之間的寄生電感的影響，同時GaN HEMT 具有非常高的開關(guān)速度，如果寄生電感未被抑制，將會導(dǎo)致信號傳輸?shù)牟▌?。近日，納芯微推出了兩款全新的GaN相關(guān)產(chǎn)品，分別是GaN驅(qū)動NSD2621，一顆高壓半橋柵極驅(qū)動芯片，專門用于驅(qū)動E?mode（增強型）GaN 開關(guān)管；集成化的
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納芯微全新推出GaN相關(guān)產(chǎn)品NSD2621和NSG65N15K
- 納芯微全新推出GaN相關(guān)產(chǎn)品，包含GaN驅(qū)動NSD2621與集成化的Power Stage產(chǎn)品NSG65N15K，均可廣泛適用于快充、儲能、服務(wù)器電源等多種GaN應(yīng)用場景。其中，NSD2621是一顆高壓半橋柵極驅(qū)動芯片，專門用于驅(qū)動E?mode（增強型）GaN 開關(guān)管；NSG65N15K是一顆集成化的Power Stage產(chǎn)品，內(nèi)部集成了高壓半橋驅(qū)動器和兩顆650V耐壓的GaN開關(guān)管。NSD2621產(chǎn)品特性： 01. SW引腳耐壓±700V 02. 峰值驅(qū)動電流2A/-4A 03.&n
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基于安森美半導(dǎo)體高頻率準(zhǔn)諧振NCP1342搭配GaN的65W PD電源適配器
- 電源適配器曾在電子產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而市場對于高功率密度的需求也正日益增高。過去硅(silicon)電源技術(shù)的發(fā)展與創(chuàng)新曾大幅縮減產(chǎn)品尺寸，但卻難有更進(jìn)一步的突破。在現(xiàn)今的尺寸規(guī)格下，硅材料已無法在所需的頻率下輸出更高的功率。對于未來的5G無線網(wǎng)絡(luò)、機器人，以及再生能源至數(shù)據(jù)中心技術(shù)，功率將是關(guān)鍵的影響因素。GaN作為款能帶隙材質(zhì)，在電子遷移率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于硅，輸出電容也大大小于硅，致使其可工作在更高頻率以致變壓器尺寸可以做的更小來實現(xiàn)更高功率的小尺寸電源。?場景應(yīng)用圖?產(chǎn)品實體圖?方案方塊圖?核心技術(shù)優(yōu)
- 關(guān)鍵字： 安森美 NCP1342 PD QR 高頻率 GaN
基于安森美半導(dǎo)體有源鉗位的NCP1568搭配GaN的65W PD電源適配器
- 電源適配器曾在電子產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而市場對于高功率密度的需求也正日益增高。過去硅(silicon)電源技術(shù)的發(fā)展與創(chuàng)新曾大幅縮減產(chǎn)品尺寸，但卻難有更進(jìn)一步的突破。在現(xiàn)今的尺寸規(guī)格下，硅材料已無法在所需的頻率下輸出更高的功率。對于未來的5G無線網(wǎng)絡(luò)、機器人，以及再生能源至數(shù)據(jù)中心技術(shù)，功率將是關(guān)鍵的影響因素。GaN作為款能帶隙材質(zhì)，在電子遷移率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于硅，輸出電容也大大小于硅，致使其可工作在更高頻率以致變壓器尺寸可以做的更小來實現(xiàn)更高功率的小尺寸電源。?場景應(yīng)用圖?展示板照片?方案方塊圖?核心技術(shù)優(yōu)
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