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          英特爾拿下首套High-NA EUV,臺(tái)積電如何應(yīng)對(duì)?

          • 英特爾(intel)近日宣布,已經(jīng)接收市場首套具有0.55數(shù)值孔徑(High-NA)的ASML極紫外(EUV)光刻機(jī),預(yù)計(jì)在未來兩到三年內(nèi)用于 intel 18A 工藝技術(shù)之后的制程節(jié)點(diǎn)。 相較之下,臺(tái)積電則采取更加謹(jǐn)慎的策略,業(yè)界預(yù)計(jì)臺(tái)積電可能要到A1.4制程,或者是2030年之后才會(huì)采用High-NA EUV光刻機(jī)。業(yè)界指出,至少在初期,High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV,這也是臺(tái)積電暫時(shí)觀望的原因,臺(tái)積電更傾向于采用成本更低的成熟技術(shù),以確保產(chǎn)品競爭力。Hig
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          ASML兩款光刻機(jī)出口許可被撤銷

          • 1月2日,全球光刻機(jī)龍頭ASML在官網(wǎng)發(fā)布聲明稱,荷蘭政府最近撤銷了此前頒發(fā)給其2023年發(fā)貨NXT:2050i和NXT:2100i光刻機(jī)的部分出口許可證,這將對(duì)ASML在中國內(nèi)地的個(gè)別客戶產(chǎn)生影響。在聲明中,ASML表示:“在新的出口管制條例下,今年(指2023年)年底前ASML仍能履行已簽訂的合同,發(fā)運(yùn)這些光刻設(shè)備??蛻粢惨阎こ隹诠苤茥l例所帶來的限制,即自2024年1月1日起,ASML將基本不會(huì)獲得向中國客戶發(fā)運(yùn)這些設(shè)備的出口許可證?!鳖A(yù)計(jì)此次出口許可證撤銷及最新的美國出口管制限制不會(huì)對(duì)公司2023
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          ?ASML被禁止向中國運(yùn)送其部分關(guān)鍵的芯片制造工具

          • 半導(dǎo)體設(shè)備制造商ASML表示,荷蘭政府禁止其向中國出口部分工具。ASML表示,荷蘭政府最近部分撤銷了其NXT:2050i和NXT:2100i光刻系統(tǒng)在2023年裝運(yùn)的許可證。在撤銷船舶許可證之前,美國政府在10月份加強(qiáng)了對(duì)中國先進(jìn)半導(dǎo)體和芯片制造工具的出口管制,并在此前的規(guī)定基礎(chǔ)上進(jìn)行了進(jìn)一步收緊。荷蘭公司ASML制造了制造世界上最先進(jìn)芯片所需的最重要機(jī)器之一。美國的芯片限制使包括ASML在內(nèi)的公司爭先恐后地弄清楚這些規(guī)則在實(shí)踐中的含義。ASML公司該公司表示,荷蘭政府禁止其制造最先進(jìn)半導(dǎo)體的關(guān)鍵機(jī)器向中
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          英特爾拿到首臺(tái)2nm光刻機(jī) 重回領(lǐng)先地位?

          • 12月21日,荷蘭光刻機(jī)巨頭ASML通過社交媒體宣布,其首套高數(shù)值孔徑極紫外(High-NA EUV)光刻機(jī)正從荷蘭Veldhoven總部開始裝車發(fā)貨,將向英特爾進(jìn)行交付。數(shù)值孔徑(NA)是光刻機(jī)光學(xué)系統(tǒng)的重要指標(biāo),直接決定了光刻的實(shí)際分辨率和最高能達(dá)到的工藝節(jié)點(diǎn)。
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          韓國總統(tǒng)到訪之際,ASML與三星達(dá)成7.52億美元的芯片廠協(xié)議

          • 周二,荷蘭科技巨頭ASML和三星(Samsung)簽署了一項(xiàng)價(jià)值約7億歐元的協(xié)議,將在韓國建設(shè)一家半導(dǎo)體研究廠。與此同時(shí),韓國總統(tǒng)尹錫悅(Yoon Suk Yeol)結(jié)束了這次以科技為重點(diǎn)的訪問的第一天。尹錫悅是第一位到訪ASML高度安全的“無塵室”的外國領(lǐng)導(dǎo)人,這次到訪荷蘭的目的是在這兩個(gè)全球半導(dǎo)體大國之間結(jié)成“芯片聯(lián)盟”。他參觀了ASML的城市規(guī)模設(shè)施,該公司制造先進(jìn)的機(jī)器來制造半導(dǎo)體芯片,為從智能手機(jī)到汽車的一切提供動(dòng)力。ASML和三星后來同意“未來共同”投資該設(shè)施,該設(shè)施將“使用下一代EUV(極紫
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          紐約州宣布聯(lián)合IBM、美光等公司,斥資100億美元建立研發(fā)中心

          • 據(jù)IBM官網(wǎng)消息,美國紐約州州長宣布與IBM、美光以及其他行業(yè)參與者合作,投資100億美元在紐約州 Albany NanoTech Complex 建設(shè)下一代 High-NA EUV 半導(dǎo)體研發(fā)中心。IBM稱,這將是北美第一個(gè)也是唯一一個(gè)擁有高數(shù)值孔徑極紫外光刻(高NA EUV)系統(tǒng)的公共研發(fā)中心,可為開發(fā)和生產(chǎn)小于2nm的節(jié)點(diǎn)芯片鋪平道路。
          • 關(guān)鍵字: IBM  美光  EUV  

          佳能押注納米壓印技術(shù) 價(jià)格比阿斯麥EUV光刻機(jī)“少一位數(shù)”

          • 11月6日消息,日本佳能一直在投資納米壓?。∟ano-imprint Lithography,NIL)這種新的芯片制造技術(shù),并計(jì)劃將新型芯片制造設(shè)備的價(jià)格定在阿斯麥最好光刻機(jī)的很小一部分,從而在光刻機(jī)領(lǐng)域取得進(jìn)展。納米壓印技術(shù)是極紫外光刻(EUV)技術(shù)的低成本替代品。佳能首席執(zhí)行官御手洗富士夫(Fujio Mitarai)表示,該公司最新的納米壓印技術(shù)將為小型芯片制造商生產(chǎn)先進(jìn)芯片開辟出一條道路?!斑@款產(chǎn)品的價(jià)格將比阿斯麥的EUV少一位數(shù),”現(xiàn)年88歲的御手洗富士夫表示。這是他第三次擔(dān)任佳能總裁,上一次退
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          納米壓印:一個(gè)「備胎」走向「臺(tái)前」的故事

          • 佳能在 10 月 13 日宣布,正式推出納米壓印半導(dǎo)體制造設(shè)備。對(duì)于 2004 年就開始探索納米壓印技術(shù)的佳能來說,新設(shè)備的推出無疑是向前邁出了一大步。佳能推出的這個(gè)設(shè)備型號(hào)是 FPA-1200NZ2C,目前可以實(shí)現(xiàn)最小線寬 14nm 的圖案化,相當(dāng)于生產(chǎn)目前最先進(jìn)的邏輯半導(dǎo)體所需的 5 納米節(jié)點(diǎn)。佳能表示當(dāng)天開始接受訂單,目前已經(jīng)向東芝供貨。半導(dǎo)體行業(yè)可謂是「苦光刻機(jī)久已」,納米壓印設(shè)備的到來,讓期盼已久的半導(dǎo)體迎來一線曙光。那么什么是納米壓印技術(shù)?這種技術(shù)距離真的能夠取代光刻機(jī)嗎?納米壓印走向臺(tái)前想要
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          EUV光刻技術(shù)仍需克服的三個(gè)缺點(diǎn)

          • 光刻技術(shù)是指在光照作用下,借助光致抗蝕劑(又名光刻膠)將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到基片上的技術(shù)。其主要過程為:首先紫外光通過掩膜版照射到附有一層光刻膠薄膜的基片表面,引起曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng);再通過顯影技術(shù)溶解去除曝光區(qū)域或未曝光區(qū)域的光刻膠(前者稱正性光刻膠,后者稱負(fù)性光刻膠),使掩膜版上的圖形被復(fù)制到光刻膠薄膜上;最后利用刻蝕技術(shù)將圖形轉(zhuǎn)移到基片上。想要了解光刻技術(shù)對(duì)半導(dǎo)體供需穩(wěn)定將會(huì)產(chǎn)生什么樣的影響,首先要了解的是大家經(jīng)常聽到的 14 納米 DRAM、4 納米應(yīng)用處理器等用語,要先說明納米是什么意
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          英特爾首次采用EUV技術(shù)的Intel 4制程節(jié)點(diǎn)已大規(guī)模量產(chǎn)

          • 近日,英特爾宣布已開始采用極紫外光刻(EUV)技術(shù)大規(guī)模量產(chǎn)(HVM)Intel 4制程節(jié)點(diǎn)。據(jù)英特爾中國官微獲悉,近日,英特爾宣布已開始采用極紫外光刻(EUV)技術(shù)大規(guī)模量產(chǎn)(HVM)Intel 4制程節(jié)點(diǎn)。據(jù)悉,作為英特爾首個(gè)采用極紫外光刻技術(shù)生產(chǎn)的制程節(jié)點(diǎn),Intel 4與先前的節(jié)點(diǎn)相比,在性能、能效和晶體管密度方面均實(shí)現(xiàn)了顯著提升。極紫外光刻技術(shù)正在驅(qū)動(dòng)著算力需求最高的應(yīng)用,如AI、先進(jìn)移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)、自動(dòng)駕駛及新型數(shù)據(jù)中心和云應(yīng)用。英特爾“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”計(jì)劃正在順利推進(jìn)中。目前,Intel 7和I
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          俄羅斯7納米驚人突破 泄國產(chǎn)EUV曝光時(shí)間

          • 俄羅斯企圖打破艾司摩爾(ASML)先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備獨(dú)占地位!俄媒消息指出,俄羅斯號(hào)稱開發(fā)出可取代曝光機(jī)的芯片制造工具,甚至發(fā)下豪語,將于2028年研發(fā)出可生產(chǎn)7納米芯片的曝光機(jī),還可擊敗ASML同類產(chǎn)品。俄國目前普遍使用20年前的65納米制程,正在興建28納米晶圓廠。俄羅斯國際新聞通訊社(俄新社)報(bào)導(dǎo),圣彼得堡理工大學(xué)研發(fā)出一種「國產(chǎn)曝光復(fù)合體」,可用于蝕刻生產(chǎn)無掩模芯片,將有助于解決俄羅斯在微電子領(lǐng)域的技術(shù)主權(quán)問題??茖W(xué)家表示,這款芯片制造設(shè)備成本為500萬盧布(約臺(tái)幣161萬元),而另一種工具的成本未知
          • 關(guān)鍵字: 俄羅斯  7納米  EUV  

          Intel 4技術(shù)在愛爾蘭大批量生產(chǎn),點(diǎn)燃?xì)W洲半導(dǎo)體制造能力

          • DIGITAL-得益于ASML的芯片機(jī),英特爾在愛爾蘭的尖端技術(shù)生產(chǎn)點(diǎn)燃了歐洲革命。在英特爾位于愛爾蘭的最新制造工廠Fab 34的潔凈室里。?英特爾公司?英特爾在技術(shù)領(lǐng)域掀起了波瀾,在愛爾蘭推出了英特爾4技術(shù)的大批量生產(chǎn),引發(fā)了一場歐洲革命。這標(biāo)志著極紫外光刻機(jī)(EUV)首次用于歐洲大規(guī)模生產(chǎn)。此舉鞏固了英特爾對(duì)快節(jié)奏生產(chǎn)戰(zhàn)略的承諾,并提升了歐洲的半導(dǎo)體制造能力。?這家科技巨頭在愛爾蘭、德國和波蘭的投資正在推動(dòng)整個(gè)歐洲大陸的尖端價(jià)值鏈。英特爾對(duì)可持續(xù)發(fā)展的執(zhí)著也體現(xiàn)在其愛爾蘭氣候行動(dòng)計(jì)
          • 關(guān)鍵字: 英特爾,EUV,ASML  

          在人工智能半導(dǎo)體市場不斷增長的情況下,美國加強(qiáng)了對(duì)芯片出口的控制

          • 美國政府計(jì)劃修改對(duì)半導(dǎo)體技術(shù)對(duì)中國的出口限制。此舉旨在加強(qiáng)對(duì)芯片制造中使用的工具的控制,包括人工智能(AI)中使用的芯片。這些法規(guī)將與荷蘭和日本最近的法規(guī)保持一致,將限制使用光刻設(shè)備等芯片制造工具,并旨在彌補(bǔ)人工智能處理芯片出口限制中的一些漏洞。?這一法規(guī)的更新是在首次實(shí)施出口限制近一年后才開始的。一些報(bào)告顯示,美國商務(wù)部一直在努力更新這些法規(guī)。據(jù)稱,美國提前向中國表明了即將改變限制措施,以避免華盛頓和北京之間關(guān)系的任何潛在關(guān)系。?加強(qiáng)對(duì)芯片制造工具的限制?荷蘭政府也對(duì)出口限
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          用新型極紫外光刻膠材料推進(jìn)半導(dǎo)體工藝

          • 新型極紫外光刻膠材料是不斷增強(qiáng)半導(dǎo)體技術(shù)的重要基石。
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          euv介紹

          在半導(dǎo)體行業(yè),EUV一般指EUV光刻,即極紫外光刻。 極紫外光刻(英語:Extreme ultra-violet,也稱EUV或EUVL)是一種使用極紫外(EUV)波長的光刻技術(shù)。 EUV光刻采用波長為10-14納米的極紫外光作為光源,可使曝光波長一下子降到13.5nm,它能夠把光刻技術(shù)擴(kuò)展到32nm以下的特征尺寸。 根據(jù)瑞利公式(分辨率=k1·λ/NA),這么短的波長可以提供極高 [ 查看詳細(xì) ]

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