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          武漢新芯推出50nm高性能SPI NOR Flash產(chǎn)品系列

          • 近日,紫光集團(tuán)旗下武漢新芯集成電路制造有限公司,宣布推出業(yè)界先進(jìn)的50nm Floating Gate工藝SPI NOR Flash寬電壓產(chǎn)品系列XM25QWxxC。該系列支持低功耗寬電壓工作,為物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備和其它功耗敏感應(yīng)用提供靈活的設(shè)計(jì)方案。
          • 關(guān)鍵字: 武漢新芯  50nm  SPI NOR Flash  

          海可枯石可爛,程序存儲(chǔ)的空間也會(huì)變

          • 現(xiàn)如今,基本上所有的東西都打上了一個(gè)叫做“保質(zhì)期”的標(biāo)簽。在電子產(chǎn)品那里,有一個(gè)更為專(zhuān)業(yè)一點(diǎn)的術(shù)語(yǔ),叫做“產(chǎn)品生命周期”。
          • 關(guān)鍵字: RAM  flash  程序  

          兆易SPI NOR Flash GD25LX256E榮獲“中國(guó)芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)

          • 近日,?業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice(股票代碼 603986)宣布,其旗下全新一代高速8通道SPI NOR Flash---GD25LX256E榮獲中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院頒發(fā)的2019年第十四屆“中國(guó)芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)。“中國(guó)芯”獎(jiǎng)項(xiàng)是目前國(guó)內(nèi)最具權(quán)威性與影響力的獎(jiǎng)項(xiàng)之一,本屆共有125家芯片企業(yè)、累計(jì)187款芯片產(chǎn)品參與報(bào)名,基本涵蓋國(guó)內(nèi)最具實(shí)力的集成電路企業(yè)和最具代表性的產(chǎn)品,是國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)品和技術(shù)發(fā)展的風(fēng)向標(biāo)和大檢閱。此次SPI NOR Flash產(chǎn)品
          • 關(guān)鍵字: NOR  Flash  

          東芝存儲(chǔ)器最新發(fā)布XL-Flash技術(shù)

          • 據(jù)外媒報(bào)道,東芝存儲(chǔ)器美國(guó)子公司宣布推出一種新的存儲(chǔ)器(Storage Class Memory)解決方案:XL-Flash,該技術(shù)是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC,XL-Flash將為數(shù)據(jù)中心和企業(yè)存儲(chǔ)帶來(lái)了低延遲和高性能的解決方案,樣品預(yù)計(jì)將于下月送樣檢測(cè),或?qū)⒂?020年量產(chǎn)。
          • 關(guān)鍵字: 東芝  存儲(chǔ)器  XL-Flash  

          NAND Flash 2020年新戰(zhàn)場(chǎng)暗潮洶涌 各家布局蓄勢(shì)待發(fā)

          • 受到東芝工廠(chǎng)停產(chǎn)及日韓貿(mào)易戰(zhàn)導(dǎo)致存儲(chǔ)器價(jià)格將反轉(zhuǎn)契機(jī)出現(xiàn),NAND Flash價(jià)格調(diào)漲從7月開(kāi)始顯現(xiàn),而國(guó)際大廠(chǎng)之間的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)更是暗潮洶涌。
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  東芝存儲(chǔ)器  NAND Flash  3D XPoint  Z-NAND  

          停電余威沖擊NAND Flash出貨 價(jià)格維持小跌

          • 日本三重縣四日市日前發(fā)生停電意外,市場(chǎng)傳出存儲(chǔ)器大廠(chǎng)東芝存儲(chǔ)器(TMC)當(dāng)?shù)貭I(yíng)運(yùn)的5座 NAND Flash工廠(chǎng)的營(yíng)運(yùn)中斷,盡管東芝存儲(chǔ)器尚未對(duì)外說(shuō)明影響,但據(jù)傳出,合作投資的威騰(WD)已通知客戶(hù)可能無(wú)法按照原定時(shí)程出貨。
          • 關(guān)鍵字: ?威騰  東芝存儲(chǔ)器  NAND Flash  

          數(shù)據(jù)存儲(chǔ)很重要,這塊把錢(qián)省不掉?

          • 多日后,當(dāng)李工在領(lǐng)導(dǎo)面前拍著桌子指責(zé)我的時(shí)候,我才知道,原來(lái)我倆在項(xiàng)目啟動(dòng)會(huì)上的交鋒早已埋下了日后沖突的種子。
          • 關(guān)鍵字: 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)  EEPROM  Flash  

          2019年全球Flash支出達(dá)260億美元 連續(xù)3年高于DRAM與晶圓代工支出

          • 盡管隨著主要存儲(chǔ)器業(yè)者已完成或即將完成Flash存儲(chǔ)器產(chǎn)量擴(kuò)增計(jì)劃,2019年全球半導(dǎo)體業(yè)者在Flash業(yè)務(wù)上的資本支出將會(huì)大幅下滑,但該支出金額仍然會(huì)繼續(xù)高于各業(yè)者在DRAM與晶圓代工業(yè)務(wù)上的支出?! CInsights最新資料顯示,2016年全球半導(dǎo)體業(yè)者在Flash業(yè)務(wù)上的資本支出金額為144億美元,低于同年晶圓代工業(yè)務(wù)資本支出金額的219億美元。 
          • 關(guān)鍵字: DRAM  晶圓  Flash  

          美光行使認(rèn)購(gòu)期權(quán),收購(gòu)在IM Flash Technologies 合資公司中的剩余股份

          •   美光科技股份有限公司(納斯達(dá)克股票代碼:MU)今日宣布公司正在行使其認(rèn)購(gòu)期權(quán),收購(gòu)英特爾在雙方合資公司 IM Flash Technologies, LLC (簡(jiǎn)稱(chēng)“IM Flash”) 中的權(quán)益。2018 年 10 月 18 日,美光宣布了其行使期權(quán)的意向。  “收購(gòu) IM Flash 將使美光加速研發(fā)進(jìn)程,并優(yōu)化 3D Xpoint 制造計(jì)劃,”美光科技總裁兼首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 說(shuō)。“猶他州的工廠(chǎng)將幫助我們提升生產(chǎn)制造柔性,配備高技術(shù)型人才隊(duì)伍,以推動(dòng) 3D Xpo
          • 關(guān)鍵字: 美光,F(xiàn)lash  

          真正的汽車(chē)0級(jí)EEPROM支持下一代汽車(chē)特性

          • 對(duì)于可擦除的、非易失性的存儲(chǔ),業(yè)界已經(jīng)在兩項(xiàng)技術(shù)上進(jìn)行了標(biāo)準(zhǔn)化:Flash(閃存)和EEPROM。在某些方面,EEPROM被視為過(guò)時(shí)的方案,但它在一些具有特定需求的應(yīng)用中提供顯著的優(yōu)勢(shì),例如當(dāng)數(shù)據(jù)的保留被視為安全至上時(shí),EEPROM將是首選,因此十分適用于汽車(chē)電子等領(lǐng)域。
          • 關(guān)鍵字: EEPROM  Flash  汽車(chē)  1級(jí)  201812  

          H-Jtag V1.0 燒寫(xiě)NOR Flash

          DSP硬件設(shè)計(jì)需要知道的注意事項(xiàng)知多少?

          • 數(shù)字信號(hào)處理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(時(shí)鐘性能超過(guò)100MHZ)和高速先進(jìn)外圍設(shè)備,通過(guò)CMOS處理技術(shù),DSP芯片的功耗越來(lái)越低。這些巨大的進(jìn)步增加了D
          • 關(guān)鍵字: 硬件設(shè)計(jì)  FlaSh  DSP  

          一招教你如何使用嵌入式參數(shù)代碼

          • 如果有幾個(gè)設(shè)置參數(shù)需要存儲(chǔ)到Flash中,我們一般會(huì)怎么存儲(chǔ)呢?將不同的參數(shù)都存儲(chǔ)到不同的頁(yè)中,還是將這幾個(gè)參數(shù)捆綁成一種結(jié)構(gòu)體,每次修改都同時(shí)寫(xiě)
          • 關(guān)鍵字: 源代碼  RAM  FlaSh  

          詳解嵌入式中參數(shù)存儲(chǔ)的一種方式

          • 如果有幾個(gè)設(shè)置參數(shù)需要存儲(chǔ)到Flash中,我們一般會(huì)怎么存儲(chǔ)呢?將不同的參數(shù)都存儲(chǔ)到不同的頁(yè)中,還是將這幾個(gè)參數(shù)捆綁成一種結(jié)構(gòu)體,每次修改都同時(shí)寫(xiě)
          • 關(guān)鍵字: 工控  FlaSh  嵌入式  

          對(duì)STM32的flash進(jìn)行操作的一些要點(diǎn)

          • 說(shuō)到STM32的flash,我們的第一反應(yīng)是用來(lái)裝程序的,實(shí)際上,STM32的片內(nèi)FLASH不僅用來(lái)裝程序,還用來(lái)裝芯片配置、芯片ID、自舉程序等等。當(dāng)然, FLAS
          • 關(guān)鍵字: STM32  flash  
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          flash介紹

          閃存(Flash ROM): 是一種電擦除非易失型存儲(chǔ)器,由浮柵型場(chǎng)效應(yīng)管構(gòu)成,寫(xiě)入時(shí),利用熱電子注入,使浮柵帶電;擦除時(shí),則利用高壓下的隧道效應(yīng),使浮柵失去電子。 FLASH閃存是半導(dǎo)體技術(shù),內(nèi)部是相對(duì)靜態(tài)的,體積小,抗震性很高(便于攜帶)。加上半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展很快,價(jià)格下降也很快,這是目前的MP3大多數(shù)是用FLASH閃存的原因。 [ 查看詳細(xì) ]

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