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ARM平臺數(shù)據(jù)為何會莫名其妙丟失
- Nand-Flash/eMMC(帶有Flash控制器的Nand-Flash)作為一種非線性宏單元模式存儲器，為固態(tài)大容量存儲的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-Flash存儲器具有容量大，改寫速度快等優(yōu)點，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而越來越廣泛地應(yīng)用在如嵌入式產(chǎn)品、智能手機、云端存儲資料庫等業(yè)界各領(lǐng)域?！ ?nbsp; 圖1 Nand-Flash與eMMC芯片 1.1存儲器件使用壽命 使用了Nand-Flash的主板出現(xiàn)丟數(shù)據(jù)掉程序現(xiàn)象，是一個讓無數(shù)工程師毛骨悚然的
- 關(guān)鍵字： Nand-Flash eMMC
STM32的flash知識詳解
- 說到STM32的flash，我們的第一反應(yīng)是用來裝程序的，實際上，STM32的片內(nèi)FLASH不僅用來裝程序，還用來裝芯片配置、芯片ID、自舉程序等等。當然， FLASH還可以用來裝數(shù)據(jù)?！ LASH分類 根據(jù)用途，STM32片內(nèi)的FLASH分成兩部分：主存儲塊、信息塊。 主存儲塊用于存儲程序，我們寫的程序一般存儲在這里。 信息塊又分成兩部分：系統(tǒng)存儲器、選項字節(jié)。 系統(tǒng)存儲器存儲用于存放在系統(tǒng)存儲器自舉模式下的啟動程序(BootLoader)，當使用ISP方
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兆易創(chuàng)新獲中芯支援擴產(chǎn)Nor Flash 短期恐對價格沖擊有限
- 據(jù)報導， Nor Flash 生產(chǎn)大廠兆易創(chuàng)新(Gigadevice)搶進 Nor Flash 市場，獲得代工龍頭中芯國際(SMIC)的支持，將提供兆易創(chuàng)新每月 2.5 萬片，占全球 Nor Flash 約 30% 的產(chǎn)能，進一步威脅臺灣大廠旺宏與華邦電。 不過，根據(jù)《科技新報》獨家取得的消息，中芯國際供應(yīng)兆易創(chuàng)新的產(chǎn)能，僅為每月一萬片。雖然對當前市場的供貨有所幫助，但是對價格的沖擊，短期可能有限。 存儲器業(yè)者透露表示，預定 2018 年第 1 季在兆易創(chuàng)新獲得中芯國際支持的產(chǎn)能陸續(xù)投片，
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Nand Flash編程應(yīng)用難點淺析
- Nand Flash存儲器是flash存儲器的一種，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND存儲器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、記憶卡、體積小巧的U盤等?！ ?989年，東芝公司發(fā)表了Nand Flash結(jié)構(gòu)，強調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。經(jīng)過十幾年的發(fā)展，NAND應(yīng)用越來越廣泛，但是大多數(shù)工程師卻仍然不知道關(guān)于NAND應(yīng)用的一些難點：分區(qū)、ECC糾錯、壞塊管理等。只有真正了
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基于FPGA的水聲信號高速采集存儲系統(tǒng)的設(shè)計與實現(xiàn)
- 介紹了一種基于FPGA的水聲信號數(shù)據(jù)采集與存儲系統(tǒng)的設(shè)計與實現(xiàn),給出了系統(tǒng)的總體方案,并對各部分硬件和軟件的設(shè)計進行了詳細描述。系統(tǒng)以FPGA作為數(shù)據(jù)的控制處理核心,以存儲容量達2 GB的大容量NAND型Flash作為存儲介質(zhì)。該系統(tǒng)主要由數(shù)據(jù)采集模塊、數(shù)據(jù)存儲模塊和RS-232串行通信模塊組成,具有穩(wěn)定可靠、體積小、功耗低、存儲容量大等特點,實驗證明該系統(tǒng)滿足設(shè)計要求。
- 關(guān)鍵字： 數(shù)據(jù)采集 Flash FPGA
FPGA最小系統(tǒng)之：最小系統(tǒng)的概念
- FPGA最小系統(tǒng)是可以使FPGA正常工作的最簡單的系統(tǒng)。它的外圍電路盡量最少，只包括FPGA必要的控制電路。一般所說的FPGA的最小系統(tǒng)主要包括：FPGA芯片、下載電路、外部時鐘、復位電路和電源。如果需要使用NIOS II軟嵌入式處理器還要包括：SDRAM和Flash。一般以上這些組件是FPGA最小系統(tǒng)的組成部分。
- 關(guān)鍵字： FPGA最小系統(tǒng) Altera NiosII Flash SDRAM
flash介紹
閃存（Flash ROM）：
是一種電擦除非易失型存儲器，由浮柵型場效應(yīng)管構(gòu)成，寫入時，利用熱電子注入，使浮柵帶電；擦除時，則利用高壓下的隧道效應(yīng)，使浮柵失去電子。
FLASH閃存是半導體技術(shù)，內(nèi)部是相對靜態(tài)的，體積小，抗震性很高（便于攜帶）。加上半導體技術(shù)發(fā)展很快，價格下降也很快，這是目前的MP3大多數(shù)是用FLASH閃存的原因。
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