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          手把手教你讀懂FET選取合適器件
          
                                                            
            
                    	
          • 現(xiàn)在；一臺臺電源，幾乎都能發(fā)現(xiàn)FET的影子。幾乎每個電源工程師都用過這東西，或用來逆變；或用來整流；或就當(dāng)個開關(guān)...
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          • 關(guān)鍵字：
                        FET                          
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          CISSOID推出高溫度30V小訊號P-FET場效應(yīng)管
          
                                                            
            
                    	
          • 　　CISSOID，在高溫半導(dǎo)體方案的領(lǐng)導(dǎo)者推出了一個行星家族(高溫度晶體管及開關(guān))的新成員.火星是一個高溫度30V小訊號P-FET場效應(yīng)管, 適合于-55 ° C至+225° C高溫可靠運作. 由于它耐于極端溫度,只有14pF的輸入電容值及于+225° C下最高只有400nA閘極漏電流. 所以這30V晶體管非常適合于高溫度傳感器介面,例如壓電傳感器或保護放大器.
　　
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          • 關(guān)鍵字：
                        CISSOID  P-FET                          
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          如何對反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓進行緩沖
          
                                                            
            
                    	
          • 　　圖 1 顯示了反向轉(zhuǎn)換器功率級和一次側(cè) MOSFET 電壓波形。該轉(zhuǎn)換器將能量存儲于一個變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關(guān)閉時將其釋放到次級繞組。由于變壓器的漏極電感會使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上，因
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          • 關(guān)鍵字：
                        進行  緩沖  電壓  關(guān)斷  轉(zhuǎn)換器  FET  如何                          
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          MOS-FET開關(guān)電路
          
                                                            
            
                    	
          • MOS-FET雖然與JFET結(jié)構(gòu)不同，但特性極為相似，N溝道和P溝道各分增強型和耗盡型，可在許多電路中代替J-FET，如圖5.4-97所示，電路用MOS-FET代替J-FET更簡單，如釁5.4-100所示短路開關(guān)對應(yīng)圖5.4-96中的A、C、D三個電路
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          • 關(guān)鍵字：
                        MOS-FET  開關(guān)電路                            
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          J-FET開關(guān)電路工作原理
          
                                                            
            
                    	
          • 1、簡單開關(guān)控制電路圖5.4-97為簡單J-FET開關(guān)電路。當(dāng)控制電壓VC高于輸入電壓V1時，VGS=0，J-FET導(dǎo)通，傳輸信號至VO；當(dāng)VC比V1足夠負，VD導(dǎo)通而J-FET截止，VO=0。2、改進的J-FET開關(guān)電路圖5.4-98電路是圖5.4-97電路的
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          • 關(guān)鍵字：
                        J-FET  開關(guān)電路  工作原理                            
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          與萬用表結(jié)合使用的FET VP、VOO檢驗器
          
                                                            
            
                    	
          • 電路的功能場效晶體管漏極飽和電流IDSS和夾斷電壓VP等有很大差別，所以確定置偏很麻煩。雖然在生產(chǎn)廠已分了幾種等級，但一個等級內(nèi)仍有差別，如果在組裝電路之前測量實際工作電流狀態(tài)下的VP和VOS則比較方便。測量時，
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          • 關(guān)鍵字：
                        VOO  檢驗  VP  FET  結(jié)合  使用  萬用表                          
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          使用FET輸入型OP放大器的長時間模擬定時電路
          
                                                            
            
                    	
          • 電路的功能定時器專用IC有NE555和C-MOS單穩(wěn)態(tài)多批振蕩器4538B等。然后用FET輸入型OP放大器也可用途長時間定時電路。本電路采用其他模擬電路中使用的雙OP放大器余下的一個來組成定時器，這樣可以減少IC的數(shù)量，事先了
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          • 關(guān)鍵字：
                        FET  輸入  OP放大器  模擬定時電路                            
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          可用于VCA或幅度調(diào)制的FET乘法運算電路
          
                                                            
            
                    	
          • 電路的功能本電路是一種使用雙FET的2象限乘法電路最大輸入電壓為10V，2象限乘法運算與幅度調(diào)制（AM）等效，可作為低頻調(diào)制電路使用。電路工作原理本電路利用了FET的溝道電阻變化，以TT15、TT16特性相同為前提條件，O
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          • 關(guān)鍵字：
                        VCA  FET  幅度調(diào)制  乘法運算電路                            
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          使用結(jié)型FET的簡易電壓控制放大器
          
                                                            
            
                    	
          • 電路的功能在VCA（電壓控制放大器）。由反饋環(huán)路組成電路時，通過控制反正電壓來改變放大器增益。所以傳統(tǒng)的作法是利用二極管的單向特性或采用CDS光耦合器。而在本電路中，是利用柵極源極之間的電壓使溝道電阻發(fā)生變
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          • 關(guān)鍵字：
                        FET  結(jié)型  電壓控制  放大器                            
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          Vishay推出4款MOSFET
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET®技術(shù)延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。

　　新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK
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          • 關(guān)鍵字：
                        Vishay  MOSFET  FET                          
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          友達光電宣布收購FET公司的FED資產(chǎn)及技術(shù)
          
                                                            
            
                    	
          • 　　友達光電1月20日宣布， 與由索尼(SONY)持股39.8%的Field Emission Technologies Inc. 公司(以下簡稱FET)及FET Japan Inc.(以下簡稱FETJ)簽署資產(chǎn)收購技術(shù)移轉(zhuǎn)協(xié)議，收購FET的場發(fā)射顯示器(field emission displays;FED)技術(shù)，該公司為全球FED技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者。友達在此交易中，將取得FET顯示技術(shù)及材料的專利、技術(shù)、發(fā)明，以及相關(guān)設(shè)備等資產(chǎn)。
　　FED技術(shù)在快速反應(yīng)時間、高效率、亮度和對比度方面不但能與傳統(tǒng)CRT相
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          • 關(guān)鍵字：
                        友達  FED  FET                          
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          瞄準(zhǔn)高端市場  友達將收購FET的部分資產(chǎn)
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　臺灣友達科技近日宣布，他們已經(jīng)與FET公司以及FET日本公司達成了協(xié)議，友達將出資收購FET公司的部分資產(chǎn)，并將因此而獲得FET公司的部分專利技術(shù)。FET公司目前在FED場射顯示技術(shù)(Field Emission Display)領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)先地位，索尼公司目前擁有FET公司39.8%的股份。友達并表示，其收購的內(nèi)容將包括FED場射面板相 關(guān)技術(shù)專利，F(xiàn)ED技術(shù)實施方案，以及FED面板生產(chǎn)用設(shè)備等。

　　FED場射面板兼具CRT顯示器和LCD顯示器的優(yōu)勢，其工作原理與CRT顯示器完全相同，同樣采用
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          • 關(guān)鍵字：
                        友達  FED  FET                          
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          砷化鎵外延襯底市場規(guī)模將超過4億美元 
          
                                                            
            
                    	
          • 　　Strategy Analytics 發(fā)布最新年度預(yù)測報告“半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場預(yù)測2008-2013”。報告總結(jié)，2008年半絕緣砷化鎵(SI GaAs)外延襯底市場年增長率達到22%，但 Strategy Analytics 預(yù)計2009年該市場將持平或轉(zhuǎn)負增長。借助下一代蜂窩手機平臺上嵌入多砷化鎵(GaAs)器件，以及來自其它市場對砷化鎵 (GaAs) 器件的需求，半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場在2010年將恢復(fù)增長。
　　一直
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          • 關(guān)鍵字：
                        GaAs  外延襯底  FET  HBT                          
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          T推出具有 FET 的全集成 10 A 同步降壓轉(zhuǎn)換器
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款具有 FET 的全集成 10 A 同步降壓轉(zhuǎn)換器，該器件將寬泛的輸入、輕負載效率以及更小的解決方案尺寸進行完美結(jié)合，可實現(xiàn)更高的電源密度。TPS51315 是一款具有 D-CAP 模式控制機制的 1 MHz DC/DC 轉(zhuǎn)換器，與同類競爭產(chǎn)品相比，該器件在將外部輸出電容需求數(shù)量降至 32% 的同時，還可實現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)。該轉(zhuǎn)換器充分利用自動跳過模式與 Eco-mode 輕負載控制機制，幫助設(shè)計人員滿足能量之星/90Plus 標(biāo)準(zhǔn)的要求，從而可實現(xiàn)整個負載范圍內(nèi)的高
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          • 關(guān)鍵字：
                        TI  FET  轉(zhuǎn)換器  TPS51315                          
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          ADI公司推出快速FET運算放大器
          
                                                            
            
                    	
          • 　　2009年1月22日，中國北京——Analog Devices, Inc.（紐約證券交易所代碼: ADI），全球領(lǐng)先的高性能信號處理解決方案供應(yīng)商，最新推出一款業(yè)界最快的場效應(yīng)晶體管(FET)運算放大器——ADA4817。這款產(chǎn)品工作頻率高達1GHz，設(shè)計用于高性能的便攜式醫(yī)療診斷設(shè)備和儀器儀表設(shè)備。與競爭器件相比，可提供兩倍的帶寬，同時噪聲降低一半。它已被領(lǐng)先的醫(yī)療、測試和測量設(shè)備公司所采用，用于如CT、MRI、示波器衰減探頭和其它醫(yī)療設(shè)備。與ADA4
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          • 關(guān)鍵字：
                        ADI  運算放大器  FET  ADA4817                          
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