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          Qorvo 助力簡化 GaN PA 偏置

          • 移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?, Inc.(納斯達克代碼:QRVO)今日宣布推出 ACT41000-104-REF1,這是一款 GaN 功率放大器 (PA) 偏置參考設計,可加強 Qorvo GaN PA 的設計與測試。GaN 器件是耗盡型 FET,運行時需要施加負柵極電壓。在使用 GaN PA 的系統(tǒng)中,需要以特定的順序進行偏置:提高漏極偏置電壓之前,必須施加負柵極電壓,以保護器件免受損壞。Qorvo 的 ACT41000-104-REF1 內(nèi)置可配置
          • 關鍵字: GAN  PA  

          學貫中西(8):從GAN領悟人機協(xié)同創(chuàng)新之道

          • 1 回顧:GAN里的兩個角色在上一期里,詳細介紹了 GAN( 生成對抗網(wǎng) ) 里的 兩個角色:生成者 (generator) 和判別者 (discriminator)。 其中的生成者,又稱為創(chuàng)新者,而判別者又稱為鑒賞者。 在常見的圖像繪畫領域,其典型的協(xié)同創(chuàng)新模式是: G( 創(chuàng)新者 ) 負責創(chuàng)作圖片;而 D( 鑒賞者 ) 負責辨別一 張圖像的真或假,然后引領 G 逐步改進,止于完美逼 近目標。上述的 GAN 協(xié)同創(chuàng)新模式,屬于 AI 機器與機器之 間的協(xié)同合作或創(chuàng)新。然而,在 AI 科技不斷
          • 關鍵字: 202206  GAN  人機協(xié)同  

          EPC開拓"GaN Talk支持論壇"平臺

          • 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)新推線上論壇,為工程師提供產(chǎn)品信息、答疑解難和分享採用氮化鎵技術(shù)的應用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢。宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布新推"GaN Talk支持論壇",為工程師提供產(chǎn)品信息和技術(shù)支持,從而了解氮化鎵(GaN)技術(shù)的應用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢。該論壇專為工程師、工程專業(yè)學生和所有氮化鎵技術(shù)愛好者而設,為用戶答疑解難和提供互相交流的平臺。提問可以用主題類別、熱門話題或最新帖子搜索。除了提問外,用戶還可以在論壇使用帖子中的"分享"鏈接參看所有之前的提問和反饋。此外,
          • 關鍵字: GaN  宜普  

          貿(mào)澤備貨UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET,為各類電源應用提供更好的支持

          • 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始分銷UnitedSiC(現(xiàn)已被Qorvo?收購)的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅 (SiC) FET。作為廣泛的高性能SiC FET系列產(chǎn)品,此第四代器件具有出色的導通電阻特性,適用于主流800V總線架構(gòu)中的電源解決方案,如電動汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC-DC太陽能逆變器等應用。?貿(mào)澤電子分銷的UF4C/SC SiC FET為設計人員提供了
          • 關鍵字: SiC  FET  

          毫米波技術(shù)需要高度線性、緊湊和高能效的寬帶產(chǎn)品

          • 5G 通信正在改變我們的生活,同時也在促進產(chǎn)業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型,為工業(yè)、汽車和消費電子等行業(yè)提供了巨大的應用想象空間與市場機會,例如實現(xiàn)創(chuàng)建人與機器人和諧共存的環(huán)境,高質(zhì)量醫(yī)療,并且加速實現(xiàn)安全的自動駕駛汽車,等等?!?打造未來智能工廠——5G 無線網(wǎng)絡可以幫助工廠實現(xiàn)更高的可靠性,例如縮短延遲時間、提高生產(chǎn)效率。在人與機器人共存的世界里,更強的連接可以改善人機互動,并降低事故風險?!?提供高質(zhì)量的醫(yī)療服務——通用5G 連接可以借助可穿戴生物傳感器對患者實施遠程監(jiān)測,進行生命體征檢測,并將信息傳輸給基于云的診斷
          • 關鍵字: 202206  毫米波  5G  GAN  

          第三代半導體引領5G基站技術(shù)全面升級

          • 5G 受到追捧是有充足的理由的。根據(jù)CCS Insight 的預測,到2023 年,5G 用戶數(shù)量將達10 億;2022 年底,5G蜂窩基礎設施將承載近15%的全球手機流量。高能效、尺寸緊湊、低成本、高功率密度和高線性度是5G 基礎設施對射頻半導體器件的硬性要求。對于整個第三代半導體技術(shù),尤其是氮化鎵(GaN),5G 開始商用是一大利好。與硅、砷化鎵、鍺、甚至碳化硅器件相比,GaN 器件的開關頻率、輸出功率和工作溫度更高,適合1-110 GHz的高頻通信應用,涵蓋移動通信、無線網(wǎng)絡、點對點和點對多點微波通
          • 關鍵字: 202206  第三代半導體  GaN  

          TI:運用GaN技術(shù)可提升數(shù)據(jù)中心的能源效率

          • 德州儀器(TI)副總裁暨臺灣、韓國與南亞總裁李原榮,26日于2022 COMPUTEX Taipei論壇中表示,TI將協(xié)助客戶充分發(fā)揮氮化鎵(GaN)技術(shù)的潛力,以實現(xiàn)更高的功率密度和效率。李原榮今日以「數(shù)據(jù)中心正在擴建 – 以氮化鎵技術(shù)實現(xiàn)更高效率」為題,分享設計工程師如何利用TI 氮化鎵技術(shù)為數(shù)據(jù)中心達成體積更小、更高功率密度的解決方案。李原榮表示,隨著各產(chǎn)業(yè)領導者期盼透過數(shù)據(jù)中心實現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新,從而也提高了運算能力的需求,TI希望協(xié)助客戶充分發(fā)揮氮化鎵技術(shù)的潛力,以實現(xiàn)更高的功率密度和效率。他也強調(diào),
          • 關鍵字: TI  GaN  數(shù)據(jù)中心  能源效率  

          學貫中西(7):介紹生成對抗網(wǎng)路(GAN)

          • 1? ?GAN與NFT的結(jié)合在上一期里,我們說明了天字第一號模型:分類器。接著本期就來看看它的一項有趣應用:GAN(generative adversarial networks,生成對抗網(wǎng)絡)。自從2014 年問世以來,GAN 在電腦生成藝術(shù)(generative art) 領域,就開始涌現(xiàn)了許多極具吸引力的創(chuàng)作和貢獻。GAN 如同生成藝術(shù)的科技畫筆,使用GAN 進行創(chuàng)作特別令人振奮,常常創(chuàng)作出很特別的效果,給人們許多驚喜的感覺,例如圖1。?圖1近年來,非同質(zhì)化代幣NFT(
          • 關鍵字: 202205  生成對抗網(wǎng)路  GAN  

          UnitedSiC(現(xiàn)已被Qorvo收購)宣布推出行業(yè)先進的高性能1200V第四代SiC FET

          • 移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場效應晶體管 (FET) 系列,該系列具有出色的導通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線架構(gòu),這種架構(gòu)常見于電動汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC/DC 太陽能逆變器、焊接機、不間斷電源和感應加熱等應用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件總工程師 Anup Bhalla 表示:“我們通過
          • 關鍵字: Mentor P  Qorvo  SiC FET  

          UnitedSiC(現(xiàn)已被 Qorvo收購)宣布推出行業(yè)先進的高性能 1200 V第四代SiC FET

          • 移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場效應晶體管 (FET) 系列,該系列具有出色的導通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線架構(gòu),這種架構(gòu)常見于電動汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC/DC 太陽能逆變器、焊接機、不間斷電源和感應加熱等應用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件總工程師 Anup Bhalla 表示:“我們通過
          • 關鍵字: SiC  FET  

          射頻硅基氮化鎵:兩個世界的最佳選擇

          •   當世界繼續(xù)努力追求更高速的連接,并要求低延遲和高可靠性時,信息通信技術(shù)的能耗繼續(xù)飆升。這些市場需求不僅將5G帶到許多關鍵應用上,還對能源效率和性能提出了限制。5G網(wǎng)絡性能目標對基礎半導體器件提出了一系列新的要求,增加了對高度可靠的射頻前端解決方案的需求,提高了能源效率、更大的帶寬、更高的工作頻率和更小的占地面積。在大規(guī)模MIMO(mMIMO)系統(tǒng)的推動下,基站無線電中的半導體器件數(shù)量急劇增加,移動網(wǎng)絡運營商在降低資本支出和運營支出方面面臨的壓力更加嚴峻。因此,限制設備成本和功耗對于高效5G網(wǎng)絡的安裝和
          • 關鍵字: 氮化鎵  GaN  

          從手機快充到電動汽車,氮化鎵功率半導體潛力無限

          •   近期,蘋果“爆料大神”郭明錤透露,蘋果可能年某個時候推出下一款氮化鎵充電器,最高支持30W快充,同時采用新的外觀設計?! ∨c三星、小米、OPPO等廠商積極發(fā)力氮化鎵快充產(chǎn)品相比,蘋果在充電功率方面一直較為“保守”。去年10月,伴隨新款MacBook Pro的發(fā)布,蘋果推出了140W USB-C電源適配器(下圖),這是蘋果首款采用氮化鎵材料的充電器,售價729元。圖片來源:蘋果  如今,蘋果有望持續(xù)加碼氮化鎵充電器,氮化鎵功率半導體市場有望迎來高歌猛進式發(fā)展。手機等快充需求上升,氮化鎵功率市場規(guī)模將達1
          • 關鍵字: 氮化鎵  GaN  

          氮化鎵 (GaN) 封裝的諸多挑戰(zhàn)

          • EETOP編譯整理自techinsights  在處理氮化鎵(GaN)時,與硅(Si)相比,還有兩個額外的考慮因素可以優(yōu)化器件性能。  由于GaN/AlGaN異質(zhì)結(jié)界面上的二維電子氣體(2DEG)通道,GaN具有快速開關的潛力。  氮化鎵的導熱性相對較差。(在300K時約1.3W/cm.K,而硅(Si)為1.49W/cm.K和碳化硅(SiC)為3.7W/cm.K)  雖然體積熱導率并不明顯低于硅,但請記住更高的電流密度-它被限制在異質(zhì)結(jié)周圍的一個小區(qū)域。漸進式的改進  雖然不理想,但傳統(tǒng)的硅封裝可以而且已
          • 關鍵字: 氮化鎵  GaN  

          氮化鎵集成方案如何提高功率密度

          •   氮化鎵(GaN)是電力電子行業(yè)的熱門話題,因為它可以使得80Plus鈦電源、3.8 kW/L電動汽車(EV)車載充電器和電動汽車(EV)充電站等設計得以實施。在許多具體應用中,由于GaN能夠驅(qū)動更高的功率密度和具有更高的效率,因此它取代了傳統(tǒng)的MOSFET晶體管。但由于GaN的電氣特性和它所能實現(xiàn)的性能,使得使用GaN元件進行設計時,要面臨與硅元件截然不同的一系列挑戰(zhàn)?! aN場效應晶體管包括耗盡型(d-mode)、增強型(e-mode)、共源共柵型(cascode)等三種類型,并且每種都具有各自的
          • 關鍵字: 氮化鎵  GaN  

          意法半導體發(fā)布50W GaN功率變換器,面向高能效消費及工業(yè)級電源設計

          • 意法半導體 VIPerGaN50能夠簡化最高50 W的單開關反激式功率變換器設計,并集成一個 650V 氮化鎵 (GaN) 功率晶體管,使電源的能效和小型化達到更高水平。VIPerGaN50 采用單開關拓撲,集成很多功能,包括內(nèi)置電流采樣和保護電路,采用低成本的 5mm x 6mm 緊湊封裝。芯片內(nèi)部集成的GaN 晶體管可應用于高開關頻率,從而減小反激變換器的體積和重量。使用這款產(chǎn)品設計先進的高能效開關電源 (SMPS),可顯著減少外圍元器件的數(shù)量。VIPerGaN50 可幫助設計人員利用 GaN 寬禁帶
          • 關鍵字: 意法半導體  GaN  功率變換器  
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          gan fet介紹

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