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學貫中西(8):從GAN領悟人機協(xié)同創(chuàng)新之道
- 1 回顧:GAN里的兩個角色在上一期里,詳細介紹了 GAN( 生成對抗網(wǎng) ) 里的 兩個角色:生成者 (generator) 和判別者 (discriminator)。 其中的生成者,又稱為創(chuàng)新者,而判別者又稱為鑒賞者。 在常見的圖像繪畫領域,其典型的協(xié)同創(chuàng)新模式是: G( 創(chuàng)新者 ) 負責創(chuàng)作圖片;而 D( 鑒賞者 ) 負責辨別一 張圖像的真或假,然后引領 G 逐步改進,止于完美逼 近目標。上述的 GAN 協(xié)同創(chuàng)新模式,屬于 AI 機器與機器之 間的協(xié)同合作或創(chuàng)新。然而,在 AI 科技不斷
- 關鍵字: 202206 GAN 人機協(xié)同
EPC開拓"GaN Talk支持論壇"平臺
- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)新推線上論壇,為工程師提供產(chǎn)品信息、答疑解難和分享採用氮化鎵技術(shù)的應用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢。宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布新推"GaN Talk支持論壇",為工程師提供產(chǎn)品信息和技術(shù)支持,從而了解氮化鎵(GaN)技術(shù)的應用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢。該論壇專為工程師、工程專業(yè)學生和所有氮化鎵技術(shù)愛好者而設,為用戶答疑解難和提供互相交流的平臺。提問可以用主題類別、熱門話題或最新帖子搜索。除了提問外,用戶還可以在論壇使用帖子中的"分享"鏈接參看所有之前的提問和反饋。此外,
- 關鍵字: GaN 宜普
貿(mào)澤備貨UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET,為各類電源應用提供更好的支持
- 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始分銷UnitedSiC(現(xiàn)已被Qorvo?收購)的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅 (SiC) FET。作為廣泛的高性能SiC FET系列產(chǎn)品,此第四代器件具有出色的導通電阻特性,適用于主流800V總線架構(gòu)中的電源解決方案,如電動汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC-DC太陽能逆變器等應用。?貿(mào)澤電子分銷的UF4C/SC SiC FET為設計人員提供了
- 關鍵字: SiC FET
毫米波技術(shù)需要高度線性、緊湊和高能效的寬帶產(chǎn)品
- 5G 通信正在改變我們的生活,同時也在促進產(chǎn)業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型,為工業(yè)、汽車和消費電子等行業(yè)提供了巨大的應用想象空間與市場機會,例如實現(xiàn)創(chuàng)建人與機器人和諧共存的環(huán)境,高質(zhì)量醫(yī)療,并且加速實現(xiàn)安全的自動駕駛汽車,等等?!?打造未來智能工廠——5G 無線網(wǎng)絡可以幫助工廠實現(xiàn)更高的可靠性,例如縮短延遲時間、提高生產(chǎn)效率。在人與機器人共存的世界里,更強的連接可以改善人機互動,并降低事故風險?!?提供高質(zhì)量的醫(yī)療服務——通用5G 連接可以借助可穿戴生物傳感器對患者實施遠程監(jiān)測,進行生命體征檢測,并將信息傳輸給基于云的診斷
- 關鍵字: 202206 毫米波 5G GAN
TI:運用GaN技術(shù)可提升數(shù)據(jù)中心的能源效率
- 德州儀器(TI)副總裁暨臺灣、韓國與南亞總裁李原榮,26日于2022 COMPUTEX Taipei論壇中表示,TI將協(xié)助客戶充分發(fā)揮氮化鎵(GaN)技術(shù)的潛力,以實現(xiàn)更高的功率密度和效率。李原榮今日以「數(shù)據(jù)中心正在擴建 – 以氮化鎵技術(shù)實現(xiàn)更高效率」為題,分享設計工程師如何利用TI 氮化鎵技術(shù)為數(shù)據(jù)中心達成體積更小、更高功率密度的解決方案。李原榮表示,隨著各產(chǎn)業(yè)領導者期盼透過數(shù)據(jù)中心實現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新,從而也提高了運算能力的需求,TI希望協(xié)助客戶充分發(fā)揮氮化鎵技術(shù)的潛力,以實現(xiàn)更高的功率密度和效率。他也強調(diào),
- 關鍵字: TI GaN 數(shù)據(jù)中心 能源效率
學貫中西(7):介紹生成對抗網(wǎng)路(GAN)
- 1? ?GAN與NFT的結(jié)合在上一期里,我們說明了天字第一號模型:分類器。接著本期就來看看它的一項有趣應用:GAN(generative adversarial networks,生成對抗網(wǎng)絡)。自從2014 年問世以來,GAN 在電腦生成藝術(shù)(generative art) 領域,就開始涌現(xiàn)了許多極具吸引力的創(chuàng)作和貢獻。GAN 如同生成藝術(shù)的科技畫筆,使用GAN 進行創(chuàng)作特別令人振奮,常常創(chuàng)作出很特別的效果,給人們許多驚喜的感覺,例如圖1。?圖1近年來,非同質(zhì)化代幣NFT(
- 關鍵字: 202205 生成對抗網(wǎng)路 GAN
UnitedSiC(現(xiàn)已被Qorvo收購)宣布推出行業(yè)先進的高性能1200V第四代SiC FET
- 移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場效應晶體管 (FET) 系列,該系列具有出色的導通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線架構(gòu),這種架構(gòu)常見于電動汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC/DC 太陽能逆變器、焊接機、不間斷電源和感應加熱等應用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件總工程師 Anup Bhalla 表示:“我們通過
- 關鍵字: Mentor P Qorvo SiC FET
射頻硅基氮化鎵:兩個世界的最佳選擇
- 當世界繼續(xù)努力追求更高速的連接,并要求低延遲和高可靠性時,信息通信技術(shù)的能耗繼續(xù)飆升。這些市場需求不僅將5G帶到許多關鍵應用上,還對能源效率和性能提出了限制。5G網(wǎng)絡性能目標對基礎半導體器件提出了一系列新的要求,增加了對高度可靠的射頻前端解決方案的需求,提高了能源效率、更大的帶寬、更高的工作頻率和更小的占地面積。在大規(guī)模MIMO(mMIMO)系統(tǒng)的推動下,基站無線電中的半導體器件數(shù)量急劇增加,移動網(wǎng)絡運營商在降低資本支出和運營支出方面面臨的壓力更加嚴峻。因此,限制設備成本和功耗對于高效5G網(wǎng)絡的安裝和
- 關鍵字: 氮化鎵 GaN
gan fet介紹
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