gan ipm 文章進(jìn)入gan ipm技術(shù)社區(qū)

GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將迅速增長(zhǎng)，2013年市場(chǎng)規(guī)模達(dá)1.8億

　　美國iSuppli公布了關(guān)于GaN(氮化鎵)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將迅速增長(zhǎng)的調(diào)查報(bào)告)。報(bào)告顯示，2010年的市場(chǎng)規(guī)模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式，不斷擴(kuò)大市場(chǎng)規(guī)模。iSuppli預(yù)測(cè)，該產(chǎn)品在高性能服務(wù)器、筆記本電腦、手機(jī)及有線通信設(shè)備等方面的應(yīng)用將取得進(jìn)展。　　目前，GaN功率半導(dǎo)體正處于在研究室評(píng)測(cè)階段，或者剛開始商用化的階段。不過，GaN功率半導(dǎo)體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導(dǎo)通電阻較低等優(yōu)點(diǎn)，可提高電源電路的轉(zhuǎn)
關(guān)鍵字： GaN MOSFET

TMS 32OF2812與DIP-IPM的通用電路設(shè)

關(guān)鍵字： TMS 32OF2812 DIP-IPM

TMS32OF2812與DIP-IPM的通用電路設(shè)計(jì)

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： TMS32OF2812 DSP DIP-IPM 通用電路

TMS320F2812與DIP-IPM的通用電路設(shè)計(jì)

關(guān)鍵字： DSP DIP-IPM SPWM 變頻調(diào)速

TMS 32OF2812與DIP-IPM的通用電路設(shè)計(jì)

結(jié)合三相電機(jī)的調(diào)速控制原理，對(duì)高速數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)TMS320F2812和三菱智能功率模塊DIP-IPM進(jìn)行了詳細(xì)的介紹，提出了完整的的通用變頻電路設(shè)計(jì)方案。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該方法控制精度高，工作穩(wěn)定，能夠?qū)崿F(xiàn)多種類型變頻調(diào)速。
關(guān)鍵字： DIP-IPM 2812 TMS 32

基于IPM的三相無刷直流電機(jī)控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

O 引言
無刷直流電機(jī)因其體積小，重量輕，維護(hù)方便，高效節(jié)能等一系列優(yōu)點(diǎn)，被廣泛用于各個(gè)領(lǐng)域。尤其隨著高性能的單片機(jī)和專門用途的DSP(Digital Signal Processor)微處理器和集IGBT模塊及其驅(qū)動(dòng)和保護(hù)于一身的
關(guān)鍵字： IPM 無刷直流電動(dòng)機(jī) 智能功率模塊 DSP 驅(qū)動(dòng) 放大器 BLDC

SiC襯底X波段GaN MMIC的研究

使用國產(chǎn)6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號(hào)模型，利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級(jí)GaNMMIC，研制出具有通孔結(jié)構(gòu)的GaN MMIC芯片，連續(xù)波測(cè)試顯示，頻率為9．1～10．1 GHz時(shí)連續(xù)波輸出功率大于10W，帶內(nèi)增益大于12 dB，增益平坦度為±0．2 dB。該功率單片為第一個(gè)采用國產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。
關(guān)鍵字： MMIC SiC GaN 襯底

基于DSP和IPM的變頻調(diào)速系統(tǒng)的硬件設(shè)計(jì)

摘要：介紹一種基于DSP和IPM的變頻調(diào)速系統(tǒng)的硬件設(shè)計(jì)。該系統(tǒng)采用“自舉”電路，采用DSP直接驅(qū)動(dòng)IPM，結(jié)構(gòu)緊湊。該系統(tǒng)已投入批量生產(chǎn)，并經(jīng)過數(shù)年連續(xù)運(yùn)行。實(shí)際運(yùn)行表明，該系統(tǒng)穩(wěn)定可靠，滿足使用要求。關(guān)鍵詞：DSP；IPM；變頻調(diào)速；硬件引言　　變頻調(diào)速技術(shù)廣泛應(yīng)用于工業(yè)領(lǐng)域。隨著電力電子控制技術(shù)及元器件的不斷發(fā)展，變頻調(diào)速系統(tǒng)的集成度、智能化程度越來越高，硬件構(gòu)成也越來越緊湊、簡(jiǎn)單。DSP(數(shù)字信號(hào)處理器)＋I(xiàn)PM（智能功率模塊）就是變頻調(diào)速系統(tǒng)最新的發(fā)展方向之一
關(guān)鍵字： DSP IPM 200812

IR推出革命性氮化鎵基功率器件技術(shù)平臺(tái)

　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 宣布，成功開發(fā)出一種革命性的GaN功率器件技術(shù)平臺(tái)。與此前最先進(jìn)的硅基技術(shù)平臺(tái)相比，該技術(shù)平臺(tái)可將關(guān)鍵特定設(shè)備的品質(zhì)因子 (FOM) 提高1/10，顯著提高計(jì)算和通信、汽車和電器等終端設(shè)備的性能，并降低能耗。　　開拓性GaN功率器件技術(shù)平臺(tái)是IR基于該公司的GaN器件專利技術(shù)，歷經(jīng)5年研發(fā)而成的成果。　　IR的GaN功率器件技術(shù)平臺(tái)有助于實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換解決方案的革命性進(jìn)步。通過有效利用公司60年來在電源轉(zhuǎn)換專業(yè)知識(shí)方面
關(guān)鍵字： IR 功率器件 GaN 終端

測(cè)試具備UMA/GAN功能的移動(dòng)電話技術(shù)問題

要預(yù)測(cè)客戶對(duì)一款手機(jī)性能的接受程度，從而預(yù)測(cè)手機(jī)設(shè)計(jì)的品質(zhì)，需要進(jìn)行實(shí)際使用測(cè)試。使用測(cè)試是一種很有價(jià)值...
關(guān)鍵字： GAN 蜂窩話音質(zhì)量

用于控制變速電動(dòng)機(jī)的功率模塊

　　改善洗衣機(jī)、電冰箱以及空調(diào)等家用電器能源使用效率的需求正在增加。從傳統(tǒng)的固定轉(zhuǎn)速馬達(dá)轉(zhuǎn)換到變速馬達(dá)可以節(jié)省能耗30%之多。但這種設(shè)計(jì)的難度較大，雖已經(jīng)出現(xiàn)了幾種方案來降低此類項(xiàng)目的數(shù)字設(shè)計(jì)工作難度，但是設(shè)計(jì)人員仍需要集成模塊和相關(guān)的設(shè)計(jì)工具來促進(jìn)功率級(jí)的設(shè)計(jì)。　　為了使低成本變速馬達(dá)控制器成為可能，元器件供應(yīng)商設(shè)法通過簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)和降低結(jié)構(gòu)復(fù)雜度來減少變速控制器的成本。例如，已經(jīng)出現(xiàn)了幾種數(shù)字信號(hào)控制平臺(tái)，它們結(jié)合了DSP和集成PWM和馬達(dá)控制外圍設(shè)備的RISC處理器。這些平臺(tái)可運(yùn)行第三方或者自行開發(fā)
關(guān)鍵字：電動(dòng)機(jī) IPM DSP PWM 馬達(dá)

Cree推出用于5GHzWiMAX的GaN HEMT三極管

　　Cree發(fā)布了兩款突破性的GaN HEMT三極管，用于覆蓋4.9-5.8GHz頻帶的WiMAX。新款三極管CGH55015F與CGH55030F是首次發(fā)布的特定工作在5.8GHz的GaN HEMT WiMAX產(chǎn)品，其性能級(jí)別進(jìn)一步證實(shí)了Cree在GaN技術(shù)上的的領(lǐng)導(dǎo)地位。　　新款15-watt與30-watt器件的重要潛在特性包括：　　1. 相比于類似功率級(jí)的GaAs MOSFET器件，效率增加四倍　　　　2. 相比于商業(yè)可用硅LDMOS，提高了工作頻率　　3. 在免授權(quán)的5.8G
關(guān)鍵字：三極管 WiMAX Cree GaN

研究人員公布低成本GaN功率器件重大進(jìn)展

　　研究人員介紹，他們第一次在200mm硅（111）晶圓上沉積了無裂縫的AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)。高清晰XRD測(cè)量顯示出很高的晶體質(zhì)量，并且研究人員還報(bào)告了“出色的”表面形貌和均勻性。AlGaN和GaN薄膜是在Aixtron應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室的300mmCRIUS金屬-有機(jī)化學(xué)氣相外延（MOVPE）反應(yīng)腔中生長(zhǎng)的。??????? 　　“對(duì)實(shí)現(xiàn)在大尺寸硅晶圓上制作GaN器件的目標(biāo)來說，在200mm硅晶圓上生長(zhǎng)出
關(guān)鍵字：硅晶圓 GaN 200mm MEMC

如何測(cè)試具備UMA/GAN功能的移動(dòng)電話

　　要預(yù)測(cè)客戶對(duì)一款手機(jī)性能的接受程度，從而預(yù)測(cè)手機(jī)設(shè)計(jì)的品質(zhì)，需要進(jìn)行實(shí)際使用測(cè)試。使用測(cè)試是一種很有價(jià)值的工具，本文將介紹如何進(jìn)行此類測(cè)試。　　UMA/GAN是一種能讓移動(dòng)電話在傳輸話音、數(shù)據(jù)、既有話音也有數(shù)據(jù)或既無話音也無數(shù)據(jù)時(shí)在蜂窩網(wǎng)絡(luò)(例如 GERAN--GSM/EDGE 無線接入網(wǎng))和IP接入網(wǎng)絡(luò)(例如無線 LAN)之間無縫切換的系統(tǒng)。作為網(wǎng)絡(luò)融合發(fā)展過程中一項(xiàng)里程碑式的技術(shù)，UMA/GAN能讓手機(jī)用戶得以享受固定寬帶網(wǎng)提供的服務(wù)。UMA/GAN最初叫做免許可移動(dòng)接入(UMA)網(wǎng)，之后被3
關(guān)鍵字：移動(dòng)電話 UMA GAN SEGW WLAN

中國首臺(tái)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)MOCVD設(shè)備問世

　　由青島杰生電氣有限公司承擔(dān)的國家863半導(dǎo)體照明工程重點(diǎn)項(xiàng)目“氮化鎵-MOCVD深紫外”LED材料生長(zhǎng)設(shè)備研制取得突破，我國首臺(tái)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的并能同時(shí)生長(zhǎng)6片外延片的MOCVD設(shè)備研制成功。　　　　該設(shè)備在高亮度的藍(lán)光發(fā)光二極管(LED)、激光器(LD)、紫外光電探測(cè)器、高效率太陽能電池、高頻大功率電子器件領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。MOCVD是半導(dǎo)體照明上游關(guān)鍵設(shè)備，目前國內(nèi)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的研發(fā)和生產(chǎn)所需設(shè)備全部依賴進(jìn)口。在此之前，杰生電氣已先后研發(fā)出2英寸單片和2英寸3片的
關(guān)鍵字：青島杰生電氣 MOCVD LED LD GaN