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IR為混合動力汽車和電動車推出堅固耐用的600V 車用IGBT產品AUIRGP66524D0和AUIRGF66524D0

　　全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日發(fā)布600V車用IGBT產品AUIRGP66524D0和 AUIRGF66524D0，針對混合動力汽車和電動車中的小型輔助電機驅動應用而優(yōu)化，包括空調壓縮機應用等。　　新的24A AUIRGP66524D0 和AUIRGF66524D0采用IR的COOLiRIGB平臺，并與軟恢復二極管共同封裝，擁有低Vce(on)，可有效減少功耗。同時，該產品提供最高175℃結溫，以
關鍵字：國際整流器 IGBT TO-247

中國8英寸IGBT模塊地鐵車輛達國際領先水平

　　2012年，株洲建設起國內第一條8英寸IGBT專業(yè)芯片線。10月，自主IGBT模塊成功通過功率考核試驗，并于當月底裝載至昆明地鐵1號線城軌車。據稱，載有首批8英寸IGBT芯片的模塊的列車，在昆明地鐵車輛段完成段內調試，并穩(wěn)定運行一萬公里，各項參數指標均達國際先進水平。
關鍵字： IGBT 晶閘管整流管

英飛凌推出額定電流高達 120A 的新型 TO-247PLUS 封裝

　　英飛凌科技股份有限公司針對大功率應用擴大分立式 IGBT 產品組合，推出新型 TO-247PLUS 封裝，可滿足額定電流高達 120A 的 IGBT封裝，并在相同的體積和引腳內裝有滿額二極管作為 JEDEC 標準TO-247-3。TO-247PLUS 可用于 UPS、焊接、太陽能、工業(yè)驅動等工業(yè)應用以及傳動系統(tǒng)逆變器等汽車應用，可更新高功率輸出的現有設計或者改進這些應用的熱環(huán)境，從而提高系統(tǒng)可靠性和延長系統(tǒng)使用壽命。TO-247PLUS 具備更高的電流承受能力，能夠在并聯時減少設備數量，實現更緊湊的產
關鍵字：英飛凌 IGBT TO-247-3

中國首批自主研發(fā)8英寸IGBT芯片裝車成功試運行

　　中國南車株洲所25日對外公布，裝有中國首批自主研發(fā)8英寸IGBT芯片的模塊在昆明地鐵車輛段完成段內調試，并穩(wěn)定運行一萬公里，各項參數指標均達國際先進水平。　　這意味著，由中國南車株洲所下屬公司南車時代電氣自主研制生產的8英寸IGBT芯片已徹底打破國外高端IGBT技術壟斷，實現從研發(fā)、制造到應用的完全國產化。　　IGBT是一種新型功率半導體器件，中文全名“絕緣柵雙極型晶體管”。作為電力電子裝置的“心臟”，IGBT在國家戰(zhàn)略領域中不可或缺。　　由
關鍵字： IGBT 功率半導體

Littelfuse推出額定值高達1700V和450A的模塊，以擴充其IGBT功率控制半導體系列產品

　　Littelfuse公司是全球電路保護領域的領先企業(yè)，已擴充其專為電機控制和逆變器應用設計的IGBT模塊功率半導體產品。 IGBT功率模塊提供廣泛的包裝設計，現包括半橋、六只裝以及S、D、H、W和WB封裝的PIM模塊，額定值高達1700V和450A。這些模塊依托現代IGBT技術能夠可靠、靈活地提供高效快速的開關速度。除了標準設計外，Littelfuse還可提供定制解決方案以滿足客戶的具體規(guī)范。這些模塊將被用于工業(yè)電子產品的眾多功率應用中，包括工業(yè)驅動與運動控制硬件、太陽能逆變器、不間斷電源/開關
關鍵字： Littelfuse IGBT

DC-DC電源模塊的設計及優(yōu)化方案匯總，提供完整軟硬件設計指南

　　DC-DC是一種新研制的小型化電源開關模塊，它是采用微電子技術，把小型表面安裝集成電路與微型電子元器件組裝成一體而構成。dc-dc電源模塊的使用有利于簡化電源電路設計縮短研制周期，實現最佳指標等，可廣泛應用于各類數字儀表和智能儀器中。本文為大家介紹相關DC-DC電源設計方案及優(yōu)化方案。　　隔離型全橋DC-DC電源的設計方案　　本文介紹了一種基于全橋DC-DC的隔離電源設計。文中提及的半橋IGBT板為兩組隔離的正負電壓輸出，這樣做是為了能夠成為IGBT的驅動及保護。并且在實踐設計時，需要根據選擇
關鍵字：元器件 IGBT 智能儀器

IR為高功率工業(yè)應用推出新IGBT模塊系列

　　全球功率半導體和管理方案領導廠商，國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出完善的IGBT模塊系列，適合電機驅動逆變器、開關模式電源、不間斷電源、太陽能逆變器及焊接應用等高功率工業(yè)應用。　　全新模塊系列采用IR極為堅固可靠的IGBT技術(包括非擊穿平面柵極和場截止溝道柵極技術)及成熟的二極管技術，提供一系列穩(wěn)健的高效模塊。這些產品采用了行業(yè)標準封裝，加上寬泛的配置及電流額定值范圍，有助于設計師靈活、輕易地部署高功率系統(tǒng)。這72款模塊提供600V或1200V
關鍵字：國際整流器 IGBT

先進攜手北車構建中國IGBT核心競爭力

　　上海先進半導體制造股份公司(ASMC)與中國北車股份有限公司(CNR)10月22日在上海就雙方“建設戰(zhàn)略產業(yè)聯盟合作協議”簽約，上海先進總裁王慶宇、中國北車總工王勇智分別代表雙方在協議書上簽字，上海先進董事長陳建明、中國北車副總裁孫永才均表示，通過雙方戰(zhàn)略聯盟的合作，在充分利用各自競爭優(yōu)勢基礎上聯手打造出具有核心競爭力的國產化IGBT大規(guī)模商用產業(yè)生態(tài)鏈。　　據悉，戰(zhàn)略產業(yè)聯盟合作主要包括4個方面：一是通過成立聯盟形成從設計、制造到封裝、測試的完整IGBT產業(yè)鏈;二是簽訂合
關鍵字：北車 IGBT

中國變頻器工業(yè)遠景光亮

　　在大規(guī)模的分布式可再生能源發(fā)電中，變頻器在電力電子技術與信息通訊技術雙方面都扮演著重要的角色。據發(fā)布的數據顯示，全球再生能源用變頻器市場在2011年為72億美元的規(guī)模。預測今后5年該規(guī)模將會倍增，到2017年將超越190億美元。變頻器可使電機系統(tǒng)節(jié)電率達30%左右，甚至40%～60%。未來幾年中低壓變頻器需求將保持20%以上的增速，高壓變頻器行業(yè)保持40%以上的增速。絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是變頻器的核心部件，目前國內IGBT市場仍主要由外資企業(yè)所把控，擁有技術優(yōu)勢的企業(yè)有望率先實現進口替代。
關鍵字：變頻器工業(yè) IGBT

IGBT等功率器件：芯片更薄，封裝散熱更好，集成度更高

　　近日，三菱電機功率半導體制作所參加了上海2014年PCIM亞洲展，總工程師佐藤克己介紹了IGBT等功率器件的發(fā)展趨勢。　　IGBT芯片發(fā)展進程　　IGBT芯片始于19世紀80年代中期。30年以來，就FOM(優(yōu)點指數)來說，今日的IGBT芯片比第一代性能提升了20倍左右，其中改良技術包括：精細化加工工藝、柵式IGBT的開發(fā)(如三菱電機的CSTBT)，以及薄晶圓的開發(fā)等等。如今，三菱電機的IGBT芯片已經踏入第7代，正朝第8代邁進。　　隨著產品的更新換代，功耗越來越低，尺寸越來越小。從80
關鍵字：三菱電機 IGBT 晶圓 201408

中國半導體產業(yè)機遇之IGBT產業(yè)

IGBT產品集合了高頻、高壓、大電流三大技術優(yōu)勢，是電力電子技術第三次革命最具代表性的產品，中國市場的諸多因素將推進IGBT應用的發(fā)展，在電力領域、消費電子、汽車電子、新能源等傳統(tǒng)和新興領域，市場前景廣闊。
關鍵字：半導體 IGBT

中國半導體產業(yè)機遇之三：IGBT產業(yè)

　　IGBT 　　是功率器件技術演變的最新產品，是未來功率器件的主流發(fā)展方向。IGBT器件(絕緣柵雙極型晶體管)是一種MOSFET與雙極晶體管復合器件。既有功率MOSFET易于驅動、控制簡單、開關頻率高的優(yōu)點。又有功率晶體管的導通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點?；诩夹g和功能上的優(yōu)勢，IGBT產品可以實現對以往功率器件產品的逐步替代。IGBT產品集合了高頻、高壓、大電流三大技術優(yōu)勢。IGBT能夠實現節(jié)能減排，具有很好的環(huán)境保護效益。IGBT被公認為是電力電子技術第三次革命最具代表性的產品，是未來應
關鍵字：半導體 IGBT

IGBT崛起——國產功率器件的曙光

　　IGBT是功率器件技術演變的最新產品，是未來功率器件的主流發(fā)展方向。IGBT器件(絕緣柵雙極型晶體管)是一種MOSFET與雙極晶體管復合器件。既有功率MOSFET易于驅動、控制簡單、開關頻率高的優(yōu)點。又有功率晶體管的導通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點?；诩夹g和功能上的優(yōu)勢，IGBT產品可以實現對以往功率器件產品的逐步替代。IGBT產品集合了高頻、高壓、大電流三大技術優(yōu)勢。IGBT能夠實現節(jié)能減排，具有很好的環(huán)境保護效益。IGBT被公認為是電力電子技術第三次革命最具代表性的產品，是未來應用發(fā)展的必然
關鍵字：功率器件 IGBT

意法半導體(ST)推出先進的1200V IGBT,可實現更長的使用壽命、節(jié)省更多能源

　　意法半導體最新的1200V絕緣柵雙極晶體管(IGBT,Insulated-Gate Bipolar Transistors)借助第二代溝柵式場截止型高速技術提升太陽能逆變器、電焊機、不間斷電源和功率因數校正(PFC, Power-Factor Correction)轉換器等應用的能效和耐用性。　　意法半導體的新H系列1200V IGBT將關斷損耗和導通損耗降低多達15%。飽和電壓(Vce(sat))減低至2.1V (在標準集極電流和100°C下的典型值)，這能確保總體損耗降至最低，在20k
關鍵字：意法半導體 IGBT H系列

詳解IGBT驅動系統(tǒng)方案

　　IGBT作為一種大功率的復合器件，存在著過流時可能發(fā)生鎖定現象而造成損壞的問題。在過流時如采用一般的速度封鎖柵極電壓，過高的電流變化率會引起過電壓，為此需要采用軟關斷技術，因而掌握好IGBT的驅動和保護特性是十分必要的。　　IGBT是電壓控制型器件，在它的柵極-發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有μA級的漏電流流過，基本上不消耗功率。但IGBT的柵極-發(fā)射極間存在著較大的寄生電容(幾千至上萬pF)，在驅動脈沖電壓的上升及下降沿需要提供數A的充放電電流，才能滿足開通和關斷的動態(tài)要求，這使得它的驅
關鍵字： LED 驅動 IGBT

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igbt 介紹

什么是 IGBT　　IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型功率管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式電力電子器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合 [ 查看詳細 ]