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深度剖析IGBT柵極驅(qū)動注意事項
- IGBT晶體管的結構要比 MOSFET 或雙極結型晶體管 (BJT) 復雜得多。它結合了這兩種器件的特點，并且有三個端子：一個柵極、一個集電極和一個發(fā)射極。就柵極驅(qū)動而言，該器件的行為類似于 MOSFET。它的載流路徑與 BJT 的集電極-發(fā)射極路徑非常相似。圖 1 顯示了 n 型 IGBT 的等效器件電路。圖 1. IGBT的等效電路圖 2. IGBT的導通電流為了快速導通和關斷 BJT，必須在每個方向上硬驅(qū)動柵極電流，以將載流子移入和移出基極區(qū)。當 MOSFET 的柵極被驅(qū)動為高電平時，會存在一個從雙
- 關鍵字： 安森美 IGBT 柵極驅(qū)動
針對電動馬達控制，在指定絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 時的考慮
- 針對所有的應用，人們越來越注意電動馬達的運作效率；因此，對高效率驅(qū)動器的需求變得日益重要。此外，使用馬達驅(qū)動的設計，例如電動馬達、泵和風扇，需要降低整體成本，且需要減低這些電動馬達應用中的能耗；因此，為電動馬達及其的驅(qū)動指定高效率的設計，以適合每項特定應用變得更加重要。面對今日要求更高的電壓或更高的電流以及更低頻率的電動馬達驅(qū)動應用，廣為人知且被廣泛使用的開關組件解決方案絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 即是一項絕佳的選擇。因為多數(shù)馬達在較低頻率運作，要求可靠的安全工作區(qū)（SOA）和短路額定值，且需要將效率
- 關鍵字： Bourns 電動馬達 IGBT
投身車電領域的入門課：IGBT和SiC功率模塊
- 2020 年初，疫情期間的封鎖政策并未對電動汽車行業(yè)造成太大影響。2021 年，由于疫情期間人們對電動汽車的需求上升，再加上全球各國政府紛紛采取激勵措施，電動汽車充電站的需求量開始增加。在過去的三年里，電動車領導品牌的銷量紛紛呈現(xiàn)巨幅成長的趨勢。 低成本、低排放汽車的不斷發(fā)展，將推動整個亞太地區(qū)的電動汽車市場實現(xiàn)穩(wěn)步擴張。同時，不斷加碼的政府激勵措施和持續(xù)擴張的高性能車市場也推動著北美和歐洲地區(qū)電動汽車市場的快速增長。因此，根據(jù)MarketsandMarkets 市調(diào)數(shù)據(jù)估計，全球電動汽車市場規(guī)模將從 2
- 關鍵字： 車用 電能轉(zhuǎn)換 車電領域 IGBT SiC 功率模塊
意法半導體發(fā)布靈活可變的隔離式降壓轉(zhuǎn)換器芯片
- 2023 年 5月 16 日，中國 —— 意法半導體發(fā) L6983i 10W 隔離降壓 (iso-buck) 轉(zhuǎn)換器芯片具有能效高、尺寸緊湊，以及低靜態(tài)電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優(yōu)勢。L6983i適合需要隔離式 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應用，采用隔離降壓拓撲結構，需要的外部組件比傳統(tǒng)隔離式反激式轉(zhuǎn)換器少，并且不需要光耦合器，從而節(jié)省了物料清單成本和 PCB面積。 L6983i 的其他優(yōu)勢包括 2μA 關斷電流，集成軟啟動時間可調(diào)、內(nèi)部環(huán)路補償、電源正常指示，以及過流保護、熱關斷等保護功能。擴
- 關鍵字： 意法半導體 隔離式降壓轉(zhuǎn)換器 功率轉(zhuǎn)換 IGBT SiC GaN 晶體管柵極驅(qū)動
IGBT模塊是如何失效的？
- IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構成，個芯片之間通過鋁導線實現(xiàn)電氣連接。標準的IGBT封裝中，單個IGBT還會并有續(xù)流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，用塑料殼封裝。1、IGBT模塊結構IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構成，個芯片之間通過鋁導線實現(xiàn)電氣連接。標準的IGBT封裝中，單個IGBT還會并有續(xù)流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，用塑料殼封裝，IGBT單元堆疊結構如圖1-1所示。從上之下它依次由芯片，DBC（Directed Bonding Copper）以及金屬散熱板（
- 關鍵字： IGBT
相較IGBT，SiC如何優(yōu)化混動和電動汽車的能效和性能？
- 隨著人們對電動汽車 (EV) 和混動汽車 (HEV) 的興趣和市場支持不斷增加，汽車制造商為向不斷擴大的客戶群提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，競爭日益激烈。由于 EV 的電機需要高千瓦時電源來驅(qū)動，傳統(tǒng)的 12 V 電池已讓位于 400-450 V DC 數(shù)量級的電池組，成為 EV 和 HEV 的主流電池電壓。市場已經(jīng)在推動向更高電壓電池的轉(zhuǎn)變。800 V DC 和更大的電池將變得更占優(yōu)勢，因為使用更高的電壓意味著系統(tǒng)可以在更低的電流下運行，同時實現(xiàn)相同的功率輸出。較低電流的優(yōu)點是損耗較低，需要管理的熱耗散較少，還有利于使
- 關鍵字： 安森美 IGBT SiC
Power Integrations推出具有溫度讀數(shù)功能的新型SCALE-iFlex LT NTC IGBT/SiC模塊門極驅(qū)動器
- 德國紐倫堡，PCIM 2023 – 2023年5月9日訊 – 深耕于中高壓逆變器應用門極驅(qū)動器技術領域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日推出SCALE-iFlex? LT NTC系列IGBT/SiC模塊門極驅(qū)動器。新款門極驅(qū)動器適配于流行的100mmx140mm IGBT半橋模塊，例如Mitsubishi LV100 和 Infineon XHP 2，以及耐壓在2300V以內(nèi)的碳化硅(SiC)衍生模塊。SCALE-iFlex LT NTC驅(qū)動器可提供負溫度系數(shù)
- 關鍵字： Power Integrations IGBT SiC模塊 門極驅(qū)動器
快速開關TRENCHSTOP 5 IGBT
- 緊湊的尺寸和不斷降低的系統(tǒng)成本是電力電子設計的開發(fā)者一直追求的目標?，F(xiàn)在，由于家用電器消耗的能量不斷增加，從事此類應用的工程師還有一個目標：保持高功率因數(shù)(PF)。特別是空調(diào)，其額定功率為1.8kW或更大，是最耗電的設備之一。在這里，功率因數(shù)校正(PFC)是強制性的，對于PFC，設計者認為IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是具有最高性價比的開關器件。緊湊的尺寸和不斷降低的系統(tǒng)成本是電力電子設計的開發(fā)者一直追求的目標?，F(xiàn)在，由于家用電器消耗的能量不斷增加，從事此類應用的工程師還有一個目標：保持高功率因數(shù)(PF)
- 關鍵字： 快速開關 IGBT
功率半導體“放量年”，IGBT、MOSFET與SIC的思考
- 4月24日，東芝電子元器件及存儲裝置株式會社宣布，在石川縣能美市的加賀東芝電子公司舉行了一座可處理300毫米晶圓的新功率半導體制造工廠的奠基儀式。該工廠是其主要的分立半導體生產(chǎn)基地。施工將分兩個階段進行，第一階段的生產(chǎn)計劃在2024財年內(nèi)開始。東芝還將在新工廠附近建造一座辦公樓，以應對人員的增加。此外，今年2月下旬，日經(jīng)亞洲報道，東芝計劃到2024年將碳化硅功率半導體的產(chǎn)量增加3倍以上，到2026年增加10倍。而據(jù)日媒3月16日最新消息，東芝又宣布要增加SiC外延片生產(chǎn)環(huán)節(jié)，布局完成后將形成：外延設備+外
- 關鍵字： 功率半導體 IGBT MOSFET SIC
“一芯難求”？IGBT 憑啥這么搶手？
- 今天要聊的這個或許不僅是“供不應求”，在媒體報道中更被稱為是“一芯難求”！用報道的話來說，“不是價格多高的問題，而是根本買不到”。TA就是簡稱為“IGBT”的絕緣柵雙極型晶體管。聽到“一芯難求”，聰明的你應該就能get到其中的投資機會，IGBT究竟為啥這么搶手？咱們又能從中找到哪些投資良機呢？01 什么是IGBT？作為新能源領域的“新晉紅人”，IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，可以簡單理解為一種功率開關元件。心臟的作用大家都知道吧？在心臟泵的作用下，心臟把血液推動到身體的各個器官，為身體補充充足的血液和
- 關鍵字： IGBT
設備廠商訂單量大增；4個IGBT項目開工
- 2022年，盡管全球半導體產(chǎn)業(yè)局勢復雜，但中國本土半導體似乎依然保持著朝陽勢頭，發(fā)展火熱。尤其是半導體設備廠商，在國產(chǎn)化浪潮進一步驅(qū)動下，去年大部分國產(chǎn)設備廠商在營收及訂單方面表現(xiàn)出了強勁的增長態(tài)勢。2023年以來，至純科技、中微公司、以及盛美上海均披露了其2022年年度報告。其中，2022年度，至純科技實現(xiàn)營業(yè)收入30.5億元，同比增長46.32%，新增訂單42.19億元，同比增長30.62%；；中微公司實現(xiàn)營收47.4億元，同比增長52.5%，新簽訂單金額約63.2億元，同比增加約53%；盛美上海實現(xiàn)
- 關鍵字： 設備廠商 IGBT
高電壓技術是構建更可持續(xù)未來的關鍵
- 隨著世界各地的電力消耗持續(xù)增長，高電壓技術領域的創(chuàng)新讓設計工程師能夠開發(fā)出更高效的解決方案，使電氣化和可再生能源技術更易于使用。?“隨著人均用電量的持續(xù)增長，可持續(xù)能源變得越來越重要，”TI 副總裁及高電壓產(chǎn)品部總經(jīng)理 Kannan Soundarapandian 表示?！耙载撠煹姆绞焦芾砟茉词褂梅浅Ｖ匾?。我們不能浪費任何一毫焦1的能量。這就是為什么高電壓技術的創(chuàng)新是實現(xiàn)能源可持續(xù)的關鍵?！?隨著電力需求的增加（在 2 秒內(nèi)將電動汽車 (EV) 從 0mph加速到 60mph?
- 關鍵字： 高電壓技術 電動汽車 GaN IGBT
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