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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> igbt fs7

          車用/工用等IGBT供不應求,缺貨問題至少在2024年中前難以解決?

          • 隨著車用、工業(yè)應用所需用量大增,IGBT市場陷入供不應求,此前有消息指出,部分廠商IGBT產(chǎn)線代工價上漲10%。而根據(jù)行業(yè)媒體的最新消息,IGBT缺貨問題至少在2024年中前難以解決。導致IGBT缺貨、漲價的原因主要有四點:其一,需求旺盛,車用、工業(yè)應用所需IGBT用量大增;其二,供給不足,產(chǎn)能擴增緩慢;其三,客戶認證需要時間;其四,特斯拉大砍75%碳化硅用量,IGBT為潛在替代方案。IGBT是第三代功率半導體技術革命的代表性產(chǎn)品,具有高頻、高電壓、大電流,易于開關等優(yōu)良性能,被業(yè)界譽為電力電子裝置的“C
          • 關鍵字: IGBT  缺貨問題  

          SiC功率半導體市場分析;廠商談IGBT大缺貨

          • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢旗下化合物半導體研究處最新報告《2023 SiC功率半導體市場分析報告-Part1》分析,隨著Infineon、ON Semi等與汽車、能源業(yè)者合作項目明朗化,將推動2023年整體SiC功率元件市場規(guī)模達22.8億美元,年成長41.4%。與此同時,受惠于下游應用市場的強勁需求,TrendForce集邦咨詢預期,至2026年SiC功率元件市場規(guī)模可望達53.3億美元,其主流應用仍倚重電動汽車及可再生能源2全球車用MCU市場規(guī)模預估2022年全球車用MCU市場規(guī)模達82
          • 關鍵字: SiC  功率半導體  IGBT  美光  

          安森美開發(fā)IGBT FS7開關平臺,性能領先,應用工業(yè)市場

          • 領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi),推出一系列全新超高能效1200V絕緣柵雙極型晶體管(IGBT),具備業(yè)界領先的性能水平,最大程度降低導通損耗和開關損耗。這些新器件旨在提高快速開關應用能效,將主要用于能源基礎設施應用,如太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)、儲能和電動汽車充電電源轉換。新的1200V溝槽型場截止(FS7)IGBT在高開關頻率能源基礎設施應用中用于升壓電路提高母線電壓,及逆變回路以提供交流輸出。FS7器件的低開關損耗可實現(xiàn)更高的開關頻率,從而減少磁性元件的尺寸,提高功率密度
          • 關鍵字: 安森美  IGBT FS7  

          廠商談IGBT大缺貨:根本買不到!

          • 當下半導體周期下行,半導體產(chǎn)業(yè)鏈多細分領域均明顯邁入到庫存調整周期。然而,在電動車與太陽能光伏兩大主流應用需求大增助推下,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)近期出現(xiàn)較大程度缺貨,不僅價格連漲,業(yè)界更以“不是價格多高的問題,而是根本買不到”來形容缺貨盛況。01IGBT供不應求,代工價格喊漲自2020年汽車缺芯以來,汽車芯片結構性缺芯愈發(fā)明顯,IGBT一直處于緊缺狀態(tài)。在2022年下半年,其甚至超越車用MCU,成為影響汽車擴產(chǎn)的最大掣肘。今年年初媒體消息顯示,漢磊集團于年初調漲IGBT產(chǎn)線代工價一成左右。據(jù)悉,漢
          • 關鍵字: IGBT  缺貨  

          安森美開發(fā)IGBT FS7開關平臺,性能領先,應用工業(yè)市場

          • 2023 年 3 月 21日—領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi,美國納斯達克上市代號:ON),推出一系列全新超高能效1200V絕緣柵雙極型晶體管(IGBT),具備業(yè)界領先的性能水平,最大程度降低導通損耗和開關損耗。這些新器件旨在提高快速開關應用能效,將主要用于能源基礎設施應用,如太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)、儲能和電動汽車充電電源轉換。新的1200V溝槽型場截止(FS7)IGBT在高開關頻率能源基礎設施應用中用于升壓電路提高母線電壓,及逆變回路以提供交流輸出。FS7器件的低開關損耗
          • 關鍵字: 安森美  IGBT FS7開關  

          吉利科技旗下晶能車規(guī)級IGBT產(chǎn)品成功流片

          • 近日,吉利科技旗下浙江晶能微電子有限公司宣布,其自主設計研發(fā)的首款車規(guī)級IGBT產(chǎn)品成功流片。新款芯片各項參數(shù)均達到設計要求。吉利科技集團消息顯示,該款IGBT芯片采用第七代微溝槽柵和場截止技術,通過優(yōu)化表面結構和FS結構,兼具短路耐受同時實現(xiàn)更低的導通/開關損耗,功率密度增大約35%,綜合性能指標達到行業(yè)領先水平。晶能與晶圓代工廠深度綁定,采用工藝共創(chuàng)方式持續(xù)提升芯片性能。據(jù)悉,晶能微電子是吉利科技集團孵化的功率半導體公司,聚焦于Si IGBT&SiC MOS的研制與創(chuàng)新,發(fā)揮“芯片設計+模塊制
          • 關鍵字: 吉利科技  晶能  車規(guī)級  IGBT  

          吉利科技旗下晶能微電子自研首款車規(guī)級 IGBT 產(chǎn)品成功流片

          • IT之家 3 月 16 日消息,吉利科技旗下浙江晶能微電子近期宣布,其自主設計研發(fā)的首款車規(guī)級 IGBT 產(chǎn)品成功流片。新款芯片各項參數(shù)均達到設計要求。晶能自主研發(fā) IGBT 流片晶圓該款 IGBT 芯片采用第七代微溝槽柵和場截止技術,通過優(yōu)化表面結構和 FS 結構,兼具短路耐受同時實現(xiàn)更低的導通 / 開關損耗,功率密度增大約 35%,綜合性能指標達到行業(yè)領先水平。晶能與晶圓代工廠深度綁定,采用工藝共創(chuàng)方式持續(xù)提升芯片性能。晶能表示,一輛典型的新能源汽車芯片用量超過 1200 顆。功率半導體占比接近 1/
          • 關鍵字: 吉利  IGBT  

          [向寬禁帶演進]:您能跟上寬禁帶測試要求的步伐嗎?

          • _____碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的新一代寬禁帶(WBG)材料的使用度正變得越來越高。在電氣方面,這些物質比硅和其他典型半導體材料更接近絕緣體。這些物質的采用旨在克服硅的局限性,而這些局限性源自其是一種窄禁帶材料,所以會引發(fā)不良的導電性泄漏,且會隨著溫度、電壓或頻率的提高而變得更加明顯。這種泄漏的邏輯極限是不可控的導電率,相當于半導體運行失效。在這兩種寬禁帶材料中,GaN主要適合中低檔功率實現(xiàn)方案,大約在1 kV和100 A以下。GaN的一個顯著增長領域是它在LED照明中的應用,而且在汽車
          • 關鍵字: MOSFET  IGBT  

          基于Infineon TC233LP+AIKW40N65DF5的3.3KW OBC方案

          • 隨著全球對環(huán)保問題的重視,在汽車領域,新能源汽車肩負著構建良好生態(tài)環(huán)境的目的和使命走在了前沿,汽車產(chǎn)業(yè)從不同技術路線探索環(huán)保之道。電動汽車是新能源汽車的主要技術路線之一,其核心部件車載充電機(OBC)經(jīng)過幾年的發(fā)展技術日益成熟。但高效可靠,易于控制,高性價比一直是各家方案商以及零部件供應商持續(xù)追求的目標。本方案是品佳集團聯(lián)合國內高校共同設計,基于Infineon AURIX系列MCU開發(fā)的一套OBC方案。首次采用單片MCU完成原本DSP+MCU的運算任務,功率器件采用Infineon TRENCHSTOP
          • 關鍵字: Infineon  TC233LP  AIKW40N65DF5  OBC  Aurix  IGBT  

          如何通過改進IGBT模塊布局來克服芯片縮小帶來的熱性能挑戰(zhàn)

          • 尺寸和功率往往看起來像是硬幣的兩面。當你縮小尺寸時--這是我們行業(yè)中不斷強調的目標之一--你不可避免地會降低功率。但情況一定是這樣嗎?如果將我們的思維從芯片轉移到模塊設計上,就不需要拋硬幣了。在IGBT模塊中,芯片面積減小導致了熱阻抗的增加,進而影響性能。但是,由于較小的芯片在基板上釋放了更多的空間,因此有可能利用這些新的可用空間來優(yōu)化模塊的布局。在這篇文章中,我們將探討如何調整模塊設計來改善熱性能。下篇將探討如何改善電氣性能。作為參考,我們將使用采用TRENCHSTOP? IGBT 7技術的新型1200
          • 關鍵字: 英飛凌  IGBT  

          一文搞懂IGBT的損耗與結溫計算

          • 與大多數(shù)功率半導體相比,IGBT 通常需要更復雜的一組計算來確定芯片溫度。這是因為大多數(shù) IGBT 都采用一體式封裝,同一封裝中同時包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個芯片的溫度,有必要知道每個芯片的功耗、頻率、θ 和交互作用系數(shù)。還需要知道每個器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。本應用筆記將簡單說明如何測量功耗并計算二極管和 IGBT 芯片的溫升。損耗組成部分根據(jù)電路拓撲和工作條件,兩個芯片之間的功率損耗可能會有很大差異。IGBT 的損耗可以分解為導通損耗和開關(開通和關斷)損耗,而二極管損耗
          • 關鍵字: 安森美  IGBT  

          為什么逆導型IGBT可以用于大功率CCM模式 PFC電路

          • 對于功率因數(shù)校正(PFC),通常使用升壓轉換器Boost拓撲結構。它可以最大限度地減少輸入電流的諧波。同時IGBT是大功率PFC應用的最佳選擇,如空調、加熱、通風和空調(HVAC)以及熱泵。理論上,在連續(xù)導通模式(CCM)下,通過IGBT反向續(xù)流永遠不會發(fā)生。然而,在輕負載或瞬態(tài)條件下,由于升壓電感Lboost和IGBT的輸出電容Coss之間的共振,會有反向電流流過。這個諧振電流,iQN(t)是由以下公式給出的。諧振期間IGBT兩端的電壓(VCE)可以得出:當輸入電壓Vin低于輸出電壓的一半時(Vin&l
          • 關鍵字: 英飛凌  IGBT  CCM模式  

          如何手動計算IGBT的損耗

          • 現(xiàn)今隨著高端測試儀器和仿真軟件的普及,大部分的損耗計算都可以使用工具自動完成,節(jié)省了不少精力,不得不說這對工程師來說是一種解放,但是這些工具就像黑盒子,好學的小伙伴總想知道工作機理。其實基礎都是大家學過的基本高等數(shù)學知識。今天作者就幫大家打開這個黑盒子,詳細介紹一下IGBT損耗計算方法同時一起復習一下高等數(shù)學知識。我們先來看一個IGBT的完整工作波形:IGBT的損耗可以分為開關損耗和導通損耗,其中開關損耗又分為開通和關斷兩部分,下面我分別來看一下各部分的計算推導過程。開關損耗-開通部分我們先來看一下理想的
          • 關鍵字: 英飛凌  IGBT  

          功率器件:新能源產(chǎn)業(yè)的“芯”臟

          • 功率半導體器件,也稱為電力電子器件,主要用于電力設備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件。逆變(直流轉換成交流)、整流(交流轉換成直流)、斬波(直流升降壓)、變頻(交流之間轉換)是基本的電能轉換方式。MOSFET 和 IGBT 是主流的功率分立器件。一 新能源汽車是功率器件增量需求主要來源01 下游應用領域廣泛,新能源汽車為主作為電能轉化和電路控制的核心器件,功率器件下游應用十分廣泛,包括新能源(風電、光伏、儲能和電動汽車)、消費電子、智能電網(wǎng)、軌道交通等,根據(jù)每個細分領域性能要求
          • 關鍵字: 功率器件  IGBT  MOSFET  國產(chǎn)替代  

          瑞薩電子推出新型柵極驅動IC 用于驅動EV逆變器的IGBT和SiC MOSFET

          • 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子(TSE:6723)近日宣布,推出一款全新柵極驅動IC——RAJ2930004AGM,用于驅動電動汽車(EV)逆變器的IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC(碳化硅)MOSFET等高壓功率器件。柵極驅動IC作為電動汽車逆變器的重要組成部分,在逆變器控制MCU,及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們在低壓域接收來自MCU的控制信號,并將這些信號傳遞至高壓域,快速開啟和關閉功率器件。為適應電動車輛電池的更高電壓,RAJ2930004AGM內置3.75kV
          • 關鍵字: 瑞薩  柵極驅動IC  EV逆變器  IGBT  SiC MOSFET  
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          igbt fs7介紹

          您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條igbt fs7!
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