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車用/工用等IGBT供不應求,缺貨問題至少在2024年中前難以解決?
- 隨著車用、工業(yè)應用所需用量大增,IGBT市場陷入供不應求,此前有消息指出,部分廠商IGBT產(chǎn)線代工價上漲10%。而根據(jù)行業(yè)媒體的最新消息,IGBT缺貨問題至少在2024年中前難以解決。導致IGBT缺貨、漲價的原因主要有四點:其一,需求旺盛,車用、工業(yè)應用所需IGBT用量大增;其二,供給不足,產(chǎn)能擴增緩慢;其三,客戶認證需要時間;其四,特斯拉大砍75%碳化硅用量,IGBT為潛在替代方案。IGBT是第三代功率半導體技術革命的代表性產(chǎn)品,具有高頻、高電壓、大電流,易于開關等優(yōu)良性能,被業(yè)界譽為電力電子裝置的“C
- 關鍵字: IGBT 缺貨問題
SiC功率半導體市場分析;廠商談IGBT大缺貨
- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢旗下化合物半導體研究處最新報告《2023 SiC功率半導體市場分析報告-Part1》分析,隨著Infineon、ON Semi等與汽車、能源業(yè)者合作項目明朗化,將推動2023年整體SiC功率元件市場規(guī)模達22.8億美元,年成長41.4%。與此同時,受惠于下游應用市場的強勁需求,TrendForce集邦咨詢預期,至2026年SiC功率元件市場規(guī)模可望達53.3億美元,其主流應用仍倚重電動汽車及可再生能源2全球車用MCU市場規(guī)模預估2022年全球車用MCU市場規(guī)模達82
- 關鍵字: SiC 功率半導體 IGBT 美光
廠商談IGBT大缺貨:根本買不到!
- 當下半導體周期下行,半導體產(chǎn)業(yè)鏈多細分領域均明顯邁入到庫存調整周期。然而,在電動車與太陽能光伏兩大主流應用需求大增助推下,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)近期出現(xiàn)較大程度缺貨,不僅價格連漲,業(yè)界更以“不是價格多高的問題,而是根本買不到”來形容缺貨盛況。01IGBT供不應求,代工價格喊漲自2020年汽車缺芯以來,汽車芯片結構性缺芯愈發(fā)明顯,IGBT一直處于緊缺狀態(tài)。在2022年下半年,其甚至超越車用MCU,成為影響汽車擴產(chǎn)的最大掣肘。今年年初媒體消息顯示,漢磊集團于年初調漲IGBT產(chǎn)線代工價一成左右。據(jù)悉,漢
- 關鍵字: IGBT 缺貨
安森美開發(fā)IGBT FS7開關平臺,性能領先,應用工業(yè)市場
- 2023 年 3 月 21日—領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi,美國納斯達克上市代號:ON),推出一系列全新超高能效1200V絕緣柵雙極型晶體管(IGBT),具備業(yè)界領先的性能水平,最大程度降低導通損耗和開關損耗。這些新器件旨在提高快速開關應用能效,將主要用于能源基礎設施應用,如太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)、儲能和電動汽車充電電源轉換。新的1200V溝槽型場截止(FS7)IGBT在高開關頻率能源基礎設施應用中用于升壓電路提高母線電壓,及逆變回路以提供交流輸出。FS7器件的低開關損耗
- 關鍵字: 安森美 IGBT FS7開關
吉利科技旗下晶能車規(guī)級IGBT產(chǎn)品成功流片
- 近日,吉利科技旗下浙江晶能微電子有限公司宣布,其自主設計研發(fā)的首款車規(guī)級IGBT產(chǎn)品成功流片。新款芯片各項參數(shù)均達到設計要求。吉利科技集團消息顯示,該款IGBT芯片采用第七代微溝槽柵和場截止技術,通過優(yōu)化表面結構和FS結構,兼具短路耐受同時實現(xiàn)更低的導通/開關損耗,功率密度增大約35%,綜合性能指標達到行業(yè)領先水平。晶能與晶圓代工廠深度綁定,采用工藝共創(chuàng)方式持續(xù)提升芯片性能。據(jù)悉,晶能微電子是吉利科技集團孵化的功率半導體公司,聚焦于Si IGBT&SiC MOS的研制與創(chuàng)新,發(fā)揮“芯片設計+模塊制
- 關鍵字: 吉利科技 晶能 車規(guī)級 IGBT
吉利科技旗下晶能微電子自研首款車規(guī)級 IGBT 產(chǎn)品成功流片
- IT之家 3 月 16 日消息,吉利科技旗下浙江晶能微電子近期宣布,其自主設計研發(fā)的首款車規(guī)級 IGBT 產(chǎn)品成功流片。新款芯片各項參數(shù)均達到設計要求。晶能自主研發(fā) IGBT 流片晶圓該款 IGBT 芯片采用第七代微溝槽柵和場截止技術,通過優(yōu)化表面結構和 FS 結構,兼具短路耐受同時實現(xiàn)更低的導通 / 開關損耗,功率密度增大約 35%,綜合性能指標達到行業(yè)領先水平。晶能與晶圓代工廠深度綁定,采用工藝共創(chuàng)方式持續(xù)提升芯片性能。晶能表示,一輛典型的新能源汽車芯片用量超過 1200 顆。功率半導體占比接近 1/
- 關鍵字: 吉利 IGBT
基于Infineon TC233LP+AIKW40N65DF5的3.3KW OBC方案
- 隨著全球對環(huán)保問題的重視,在汽車領域,新能源汽車肩負著構建良好生態(tài)環(huán)境的目的和使命走在了前沿,汽車產(chǎn)業(yè)從不同技術路線探索環(huán)保之道。電動汽車是新能源汽車的主要技術路線之一,其核心部件車載充電機(OBC)經(jīng)過幾年的發(fā)展技術日益成熟。但高效可靠,易于控制,高性價比一直是各家方案商以及零部件供應商持續(xù)追求的目標。本方案是品佳集團聯(lián)合國內高校共同設計,基于Infineon AURIX系列MCU開發(fā)的一套OBC方案。首次采用單片MCU完成原本DSP+MCU的運算任務,功率器件采用Infineon TRENCHSTOP
- 關鍵字: Infineon TC233LP AIKW40N65DF5 OBC Aurix IGBT
功率器件:新能源產(chǎn)業(yè)的“芯”臟
- 功率半導體器件,也稱為電力電子器件,主要用于電力設備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件。逆變(直流轉換成交流)、整流(交流轉換成直流)、斬波(直流升降壓)、變頻(交流之間轉換)是基本的電能轉換方式。MOSFET 和 IGBT 是主流的功率分立器件。一 新能源汽車是功率器件增量需求主要來源01 下游應用領域廣泛,新能源汽車為主作為電能轉化和電路控制的核心器件,功率器件下游應用十分廣泛,包括新能源(風電、光伏、儲能和電動汽車)、消費電子、智能電網(wǎng)、軌道交通等,根據(jù)每個細分領域性能要求
- 關鍵字: 功率器件 IGBT MOSFET 國產(chǎn)替代
瑞薩電子推出新型柵極驅動IC 用于驅動EV逆變器的IGBT和SiC MOSFET
- 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子(TSE:6723)近日宣布,推出一款全新柵極驅動IC——RAJ2930004AGM,用于驅動電動汽車(EV)逆變器的IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC(碳化硅)MOSFET等高壓功率器件。柵極驅動IC作為電動汽車逆變器的重要組成部分,在逆變器控制MCU,及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們在低壓域接收來自MCU的控制信號,并將這些信號傳遞至高壓域,快速開啟和關閉功率器件。為適應電動車輛電池的更高電壓,RAJ2930004AGM內置3.75kV
- 關鍵字: 瑞薩 柵極驅動IC EV逆變器 IGBT SiC MOSFET
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