lpddr5x dram 文章 進(jìn)入lpddr5x dram技術(shù)社區(qū)
2010年內(nèi)存市場預(yù)測:價格走高 產(chǎn)能不足
- 隨著2010年寒假及春節(jié)的臨近，電子賣場即將迎來新一輪的銷售高潮。記者在走訪中關(guān)村電子賣場時了解到，步入2010年，多數(shù)型號內(nèi)存價格已有小幅上漲，或已計劃漲價。銷售人員向記者介紹道，從2009年中旬至今，內(nèi)存價格一路上揚(yáng)，其主要原因在于金融危機(jī)對中國市場的影響逐漸消逝，而各廠家的出貨量沒有迅速提高，導(dǎo)致部分廠家、型號的內(nèi)存出現(xiàn)短時間缺貨。 據(jù)商家預(yù)計，2010年內(nèi)存價格仍會緩慢上漲，寒假銷售情況被普遍看好。 據(jù)國外專業(yè)分析機(jī)構(gòu)DRAMeXchange報道，受2010年P(guān)C銷量看漲以及OEM
- 關(guān)鍵字： 奇夢達(dá) DRAM DDR3 內(nèi)存
韓結(jié)束3年反壟斷調(diào)查 未發(fā)現(xiàn)芯片廠操縱價格
- 韓國公平交易委員會(FTC)周三宣布，并未發(fā)現(xiàn)NAND快閃記憶芯片制造商在韓國或其它地區(qū)有操縱市場價格的行為，也宣告終止近3年來對該產(chǎn)業(yè)的反壟斷調(diào)查。 反壟斷監(jiān)管單位聲明，針對計算機(jī)記憶芯片產(chǎn)業(yè) (包括DRAM芯片、NAND芯片等) 相關(guān)的價格操縱調(diào)查已經(jīng)全部結(jié)束。 2007年1月，F(xiàn)TC宣布將針對NAND快閃記憶芯片制造商進(jìn)行反壟斷調(diào)查，偵查是否有操縱價格的事實，之后已針對全球4家企業(yè)進(jìn)行調(diào)查，其中2家位于韓國，另外2家分別在美國和日本，但FTC并未公布詳細(xì)的企業(yè)名單。 韓國快閃記
- 關(guān)鍵字： 海力士 NAND DRAM
韓國FTC：NAND Flash大廠無操控價格
- 據(jù)華爾街日報(WSJ)報導(dǎo)，韓國公平貿(mào)易委員會(FTC)并未發(fā)現(xiàn)NAND Flash存儲器大廠有任何操控價格的證據(jù)，將結(jié)束為期將近3年的調(diào)查。此外，韓國FTC表示，至目前為止所有和存儲器市場相關(guān)的操控價格調(diào)查皆已完成，包括DRAM、SRAM及NAND Flash市場。 韓國FTC自2007年1月開始調(diào)查存儲器產(chǎn)業(yè)是否存在操控價格的不法行為，并調(diào)查4家全球存儲器大廠，包括兩家韓國廠商、1家日本及1家美國廠商，然FTC并未透露遭調(diào)查的廠商名稱。 存儲器產(chǎn)業(yè)近年來遭數(shù)個國家調(diào)查是否存在柯斷，近期
- 關(guān)鍵字： Samsung DRAM 存儲器芯片 NAND
華亞科現(xiàn)金增資案過關(guān)
- 2010年DRAM產(chǎn)業(yè)前景看好，臺系DRAM廠忙著搶錢擴(kuò)大產(chǎn)能，華亞科日前宣布辦理現(xiàn)金增資，預(yù)計再募資超過新臺幣百億元，日前已正式獲得證期局的同意。華亞科預(yù)計2010年資本支出上看450億元，與同為臺塑集團(tuán)的南亞科合計資本支出高達(dá)640億元，2家DRAM廠雙雙展開搶錢大作戰(zhàn)，一同轉(zhuǎn)進(jìn)50奈米制程世代，且同時增加DDR3新產(chǎn)品的出貨比重，屆時生產(chǎn)成本可持續(xù)降低。 經(jīng)歷2008年金融風(fēng)暴洗禮，全球DRAM廠從破產(chǎn)邊緣逐漸爬起，也使得各廠都沒有多余的資金可以擴(kuò)產(chǎn)和進(jìn)行制程微縮，配合終端需求有Windo
- 關(guān)鍵字： 華亞科 DRAM DDR3
記取DRAM再造失敗教訓(xùn) 臺“經(jīng)濟(jì)部”擬推動“產(chǎn)業(yè)再造法”
- 臺“經(jīng)濟(jì)部”主導(dǎo)的「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案」幾乎已確定翻案無望，“經(jīng)濟(jì)部”長施顏祥29日首度松口表示，若國發(fā)基金無法投資臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)，或許可改由民間資金投入。由于產(chǎn)業(yè)經(jīng)常會遇到再造的需求，“經(jīng)濟(jì)部”也可能要仿效日本，制定「產(chǎn)業(yè)再造法」，作為政府解決產(chǎn)業(yè)危機(jī)的主要依據(jù)。 “經(jīng)濟(jì)部”長施顏祥29日舉行“經(jīng)濟(jì)部”年終記者會，對于TIMC停擺，政府的「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方
- 關(guān)鍵字： TIMC DRAM
DRAM內(nèi)存芯片2010年將嚴(yán)重缺貨 廠商受益
- 由于消費(fèi)者需求增長，以及企業(yè)進(jìn)入PC更換周期，2010年下半年DRAM內(nèi)存將嚴(yán)重缺貨。 2009年，DRAM芯片價格在大部分時間內(nèi)都呈增長趨勢，因為受經(jīng)濟(jì)低迷影響許多廠商都削減了產(chǎn)量，只是在剛剛過去的兩個月內(nèi)趨于穩(wěn)定。 調(diào)研公司DRAMeXchange認(rèn)為：“受PC銷量增長推動，DRAM芯片明年下半年將出現(xiàn)嚴(yán)重缺貨。對于DRAM廠商而言，2010年全年盈利的機(jī)會較大。” DRAMeXchange預(yù)計，2010年P(guān)C出貨量將增長13%。其中，筆記本將增長22.5
- 關(guān)鍵字： DRAM 芯片
海力士調(diào)高資本支出 規(guī)模逼近華亞科
- 國際DRAM廠相繼傳來調(diào)高資本支出的消息，韓國大廠海力士(Hynix)宣布調(diào)高2010年資本支出，預(yù)估將從1兆韓元調(diào)高至1.5兆韓元，相當(dāng)于12.7億美元，雖然以全球的角度來看，2010年的資本支出仍高居全球第三大，然經(jīng)此一調(diào)高，海力士明年資本支出規(guī)模已經(jīng)接近華亞科(3474)的13.85億美元，且資本支出的規(guī)模也是2007年的高峰以來，最大規(guī)模的一次行動。 目前已知將調(diào)高資本支出的國際廠商包括爾必達(dá)、三星半導(dǎo)體、華邦電，上周25日，韓國大廠海力士也跟進(jìn)宣布調(diào)高資本支出。 根據(jù)外電指出，海
- 關(guān)鍵字： Hynix DRAM
機(jī)構(gòu)預(yù)計2010年下半年內(nèi)存芯片緊缺
- 業(yè)界分析機(jī)構(gòu)DRAMeXchange表示，受消費(fèi)者需求和企業(yè)更新PC拉動影響，預(yù)計明年下半年計算機(jī)芯片將出現(xiàn)緊缺。 芯片廠商受經(jīng)濟(jì)低迷打擊削減產(chǎn)量和資本支出，導(dǎo)致DRAM芯片緊缺，其價格在今年一直上漲，DRAM價格在過去兩個月中已企穩(wěn)。 DRAMeXchange周四預(yù)計明年P(guān)C發(fā)貨量將增長13%,筆記本發(fā)貨量將增長22.5%至1.6億臺，上網(wǎng)本發(fā)貨量將增長22%至3500萬臺。 DRAMeXchange稱：“在PC熱銷的拉動下，DRAM芯片將在2010年下半年面臨嚴(yán)重的緊
- 關(guān)鍵字： DRAM 芯片
DRAMeXchange：明年下半年內(nèi)存市場將出現(xiàn)嚴(yán)重缺貨現(xiàn)象
- 據(jù)DRAMeXchange預(yù)測，由于同期的PC銷量看好，加上OEM廠商為了保證庫存會開始大量進(jìn)貨，因此明年下半年內(nèi)存市場可能會出現(xiàn)嚴(yán)重的缺貨現(xiàn)象。另外，內(nèi)存價格的低迷走勢有望于明年第二季度開始減緩，而各大內(nèi)存廠商則有望于明年年底實現(xiàn)扭虧為盈。 DRAMeXchange還預(yù)測稱，明年第一季度，DDR3內(nèi)存將力壓DDR2成為內(nèi)存市場的主流產(chǎn)品，到明年年底，DDR3內(nèi)存的銷量將可占據(jù)內(nèi)存市場整體份額的80%。相比另外一家市場分析機(jī)構(gòu)iSuppli上個月的預(yù)測而言，DRAMeXchange對DDR3的信
- 關(guān)鍵字： PC DRAM DDR3
明年全球PC出貨將增13% DRAM芯片或出現(xiàn)缺貨
- 據(jù)國外媒體報道，亞洲最大的半導(dǎo)體交易市場Dramexchange提供的數(shù)據(jù)顯示，受消費(fèi)者需求增加及企業(yè)紛紛更換PC的推動，明年下半年計算機(jī)存儲芯片可能會出現(xiàn)缺貨。 在過去的兩個月中，DRAM芯片的售價一直保持穩(wěn)定。受制造商降低產(chǎn)能導(dǎo)致供不應(yīng)求的影響，在經(jīng)歷了去年的價格下跌之后，DRAM芯片售價在今年絕大部分時間一直處于上漲之中。 Dramexchange周四同時預(yù)計，受筆記本電腦出貨增加的推動，明年全球PC出貨總量將增長13%。其中，筆記本電腦出貨將增長22.5%，達(dá)到1.60億臺;上網(wǎng)本
- 關(guān)鍵字： 存儲芯片 DRAM
lpddr5x dram介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條lpddr5x dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對lpddr5x dram的理解，并與今后在此搜索lpddr5x dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對lpddr5x dram的理解，并與今后在此搜索lpddr5x dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
lpddr5x dram相關(guān)帖子
lpddr5x dram資料下載
lpddr5x dram專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473