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	mos管
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          鋰離子電池管理芯片的研究及其低功耗設(shè)計 — 模擬電路的低功耗設(shè)計方法
          
                                                            
            
                    	
          • 近年來，鋰離子電池以其能量密度高、自放電率低、單節(jié)電池電壓高等優(yōu)點，獲得了廣泛應(yīng)用，相應(yīng)的電池管理芯片研究也在不斷地完善與發(fā)展。其中，為了盡可能保證電池使用的安全性并且延長電池的使用壽命，電池管理芯片的功能及低功耗研究顯得更為迫切和必要。
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          • 關(guān)鍵字：
                        鋰離子電池管理芯片  模擬電路  MOS管                          
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          模擬又掛科了？看懂模擬運放想掛都難
          
                                                            
            
                    	
          • 經(jīng)過多年的發(fā)展，模擬運算放大器技術(shù)已經(jīng)很成熟，性能曰臻完善，品種極多。這使得初學(xué)者選用時不知如何是好。為了便于初學(xué)者選用，本文對集成模擬運算放大器采用工藝分類法和功能/性能分類分類法等兩種分類方法，便于讀者理解，可能與通常的分類方法有所不同。
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          • 關(guān)鍵字：
                        模擬運放  高速運放  MOS管                          
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          通用測試儀器大全之電子負(fù)載儀（特性，工作原理，使用方法，應(yīng)用范圍）
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 通用測試儀器大全之電子負(fù)載儀（特性，工作原理，使用方法，應(yīng)用范圍）-以增強AVRRISC結(jié)構(gòu)的ATmega16控制器為核心，設(shè)計并制作了直流電子負(fù)載儀。系統(tǒng)通過斜波發(fā)生器產(chǎn)生的鋸齒波和電流采樣信號與控制信號的誤差信號作比較產(chǎn)生約20kHz的PWM波控制MOSFET管工作，然后經(jīng)過誤差放大器的PI調(diào)節(jié)構(gòu)成閉環(huán)負(fù)反饋控制環(huán)路，實現(xiàn)恒流。恒阻和恒壓模式通過軟件實時調(diào)節(jié)流過MOS管電路的電流實現(xiàn)。
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          • 關(guān)鍵字：
                        mos管  電子負(fù)載儀                          
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          全面解析MOS管特性、驅(qū)動和應(yīng)用電路
          
                                                            
            
                    	
          • 　　在使用MOS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS管的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計也是不允許的?！　∠旅媸俏覍OS及MOS驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點總結(jié)，其中參考了一些資料，并非原創(chuàng)。包括MOS管的介紹、特性、驅(qū)動以及應(yīng)用電路。　　MOSFET管FET的一種(另一種是JEFT)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應(yīng)用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管
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          • 關(guān)鍵字：
                        MOS管                          
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          關(guān)于MOS管失效，說白了就這六大原因
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。
　　目前在市場應(yīng)用方面，排名第一的是消費類電子電源適配器產(chǎn)品。而MOS管的應(yīng)用領(lǐng)域排名第二的是計算機主板、NB、
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          • 關(guān)鍵字：
                        MOS管  MOSFET                          
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          詳解由MOS管、變壓器搭建的逆變器電路及其制作過程
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　逆變器，別稱為變流器、反流器，是一種可將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的器件，由逆變橋、邏輯控制、濾波電路三大部分組成，主要包括輸入接口、電壓啟動回路、MOS開關(guān)管、PWM控制器、直流變換回路、反饋回路、LC振蕩及輸出回路、負(fù)載等部分，可分為半橋逆變器、全橋逆變器等。目前已廣泛適用于空調(diào)、家庭影院、電腦、電視、抽油煙機、風(fēng)扇、照明、錄像機等設(shè)備中。
　　逆變變壓器原理
　　它的工作原理流程是控制電路控制整個系統(tǒng)的運行，逆變電路完成由直流電轉(zhuǎn)換為交流電的功能，濾波電路用于濾除不需要的信號，逆變器的工作過程就是這
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          • 關(guān)鍵字：
                        MOS管  變壓器                          
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          詳解由MOS管、變壓器搭建的逆變器電路及其制作過程
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　逆變器，別稱為變流器、反流器，是一種可將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的器件，由逆變橋、邏輯控制、濾波電路三大部分組成，主要包括輸入接口、電壓啟動回路、MOS開關(guān)管、PWM控制器、直流變換回路、反饋回路、LC振蕩及輸出回路、負(fù)載等部分，可分為半橋逆變器、全橋逆變器等。目前已廣泛適用于空調(diào)、家庭影院、電腦、電視、抽油煙機、風(fēng)扇、照明、錄像機等設(shè)備中。
　　逆變變壓器原理
　　它的工作原理流程是控制電路控制整個系統(tǒng)的運行，逆變電路完成由直流電轉(zhuǎn)換為交流電的功能，濾波電路用于濾除不需要的信號，逆變器的工作過程就是這
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          • 關(guān)鍵字：
                        MOS管  變壓器                          
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          MOS及MOS驅(qū)動電路基礎(chǔ)總結(jié)
          
                                                            
            
                    	
          • 　　在使用MOS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS管的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計也是不允許的。
　　下面是我對MOS及MOS驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點總結(jié)，其中參考了一些資料。包括MOS管的介紹、特性、驅(qū)動以及應(yīng)用電路。
　　MOSFET管FET的一種(另一種是JEFT)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應(yīng)用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，
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          • 關(guān)鍵字：
                        MOS管  JEFT                          
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          MOS管被靜電擊穿的原因分析
          
                                                            
            
                    	
          • 　　MOS管一個ESD敏感器件,它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電,又因在靜電較強的場合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。
　　靜電擊穿有兩種方式;
　　一是電壓型，即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路;
　　二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開路或者是源極開路。
　　現(xiàn)在的mos管沒有那么容易被擊穿，尤其是是大功率的vmos,主要是不少都有二極管保護(hù)。vmos柵極電容大，感應(yīng)不出高壓。若是碰上3
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          • 關(guān)鍵字：
                        MOS管                          
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          教你如何合理選擇MOS管，四大要領(lǐng)要記住
          
                                                            
            
                    	
          • 　　怎么選擇MOS管是新手工程師們經(jīng)常遇到的問題，了解了MOS管的選取法則，那么工程師們選擇的時候就可以通過這些法則去選取所要的MOS管了，從而讓整個電路工作能順利進(jìn)行下去。不會因為MOS管的不合適而影響后面的各項工作和事宜。下面總結(jié)出如何正確選取MOS管的四大法則。
　　法則之一：用N溝道orP溝道
　　選擇好MOS管器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOS管。在典型的功率應(yīng)用中，當(dāng)一個MOS管接地，而負(fù)載連接到干線電壓上時，該MOS管就構(gòu)成了低壓側(cè)開關(guān)。在低壓側(cè)開關(guān)中，應(yīng)采用N溝道MOS管，這
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          • 關(guān)鍵字：
                        MOS管                          
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          關(guān)于MOS管的基礎(chǔ)知識大合集
          
                                                            
            
                    	
          • 　　下面對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點總結(jié)，包括MOS管的介紹，特性，驅(qū)動以及應(yīng)用電路。
　　1，MOS管種類和結(jié)構(gòu)
　　MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應(yīng)用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。
　　至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。
　　對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小，且容易制造。所以開
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          • 關(guān)鍵字：
                        MOS管  MOSFET                          
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          【E問E答】搞清楚MOS管的幾種“擊穿”？
          
                                                            
            
                    	
          • 　　MOSFET的擊穿有哪幾種?　　Source、Drain、Gate　　場效應(yīng)管的三極:源級S 漏級D 柵級G　　(這里不講柵極GOX擊穿了啊，只針對漏極電壓擊穿)　　先講測試條件，都是源柵襯底都是接地，然后掃描漏極電壓，直至Drain端電流達(dá)到1uA。所以從器件結(jié)構(gòu)上看，它的漏電通道有三條：Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate?！　?) Drain->Source穿通擊穿:　　這個主要是Drain加反偏電壓后，使得Drain/Bulk
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                        MOS管  MOSFET                          
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          【E問E答】場效應(yīng)管mos管vgs電壓過大有什么后果？
          
                                                            
            
                    	
          • 　　常遇到MOS管Vgs電壓過大會損壞管子，但是從原理上看，似乎不然呀?　　當(dāng)vGS數(shù)值較小，吸引電子的能力不強時，漏——源極之間仍無導(dǎo)電溝道出現(xiàn)，vGS增加時，吸引到P襯底表面層的電子就增多，當(dāng)vGS達(dá)到某一數(shù)值 時，這些電子在柵極附近的P襯底表面便形成一個N型薄層，且與兩個N+區(qū)相連通，在漏——源極間形成N型導(dǎo)電溝道，其導(dǎo)電類型與P襯底相反，形成反型層?！　GS越大，作用于半導(dǎo)體表面的電場就越強，吸引到P襯底表面的電子就越多，導(dǎo)電溝道越厚，溝道電阻越小?！　〖碞溝道MOS管在vGS
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                        場效應(yīng)管  mos管                          
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          【E課堂】MOS管為什么會被靜電擊穿？
          
                                                            
            
                    	
          • 　　MOS管一個ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電(少量電荷就可能在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓(想想U=Q/C)將管子損壞，又因在靜電較強的場合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。靜電擊穿有兩種方式：一是電壓型，即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路;二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開路或者是源極開路。JFET管和MOS管一樣，有很高的輸入電阻，只是MOS管的輸入電阻更高。
　　靜電放電形成
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                        MOS管  ESD                          
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          【E問E答】用MOS管防止電源反接的原理？
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　一般可以使用在電源的正極串入一個二極管解決，不過，由于二極管有壓降，會給電路造成不必要的損耗，尤其是電池供電場合，本來電池電壓就3.7V，你就用二極管降了0.6V，使得電池使用時間大減?！　OS管防反接，好處就是壓降小，小到幾乎可以忽略不計?，F(xiàn)在的MOS管可以做到幾個毫歐的內(nèi)阻，假設(shè)是6.5毫歐，通過的電流為1A(這個電流已經(jīng)很大了)，在他上面的壓降只有6.5毫伏?！　∮捎贛OS管越來越便宜，所以人們逐漸開始使用MOS管防電源反接了?！　MOS管防止電源反接電路：　　  
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                        MOS管  NMOS                          
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          mos管介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	　　mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管?；蛘叻Q是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。
　　雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transc		      	[ 查看詳細(xì) ]
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		            
        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
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