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用結(jié)點溫度評估器件可靠性的案例分析
- 工程師在設(shè)計一款產(chǎn)品時用了一顆9A的MOS管，量產(chǎn)后發(fā)現(xiàn)壞品率偏高，經(jīng)重新計算分析后，換成了一顆5A的MOS管，問題解決。為什么用電流裕量更小的器件，卻能提高可靠性呢? 工程師在設(shè)計的過程中非常注意元器件性能上的裕量，卻很容易忽視熱耗散設(shè)計，案例分析我們放到最后說，為了幫助理解，我們先引入一個概念： 其中Tc為芯片的外殼溫度，P D為芯片在該環(huán)境中的耗散功率，Tj表示芯片的結(jié)點溫度，目前大多數(shù)芯片的結(jié)點溫度為150℃，Rjc表示芯片內(nèi)部至外殼的熱阻，Rcs表示外殼至散熱片的熱阻，Rsa表示散熱片到
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開關(guān)電源變壓器溫升過高問題改善方法
- 在開關(guān)電源變壓器的工作過程中，工程師不僅需要綜合考慮其設(shè)計構(gòu)造的合理性問題，還需要嚴格把控其溫升范圍，以免出現(xiàn)溫升過高導致工作效率下降的問題
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MOS管驅(qū)動電路詳解
- 使用MOS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也
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MOS管入門——只談應(yīng)用，不談原理
- 1、三個極怎么判定 G極(gate)—柵極，不用說比較好認 S極(source)—源極，不論是P溝道還是N溝道，兩根線相交的就是 D極(drain)—漏極，不論是P溝道還是N溝道，是單獨引線的那邊
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MOS管功率損耗竟然還可以這么測
- MOSFET/IGBT的開關(guān)損耗測試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對開關(guān)損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上，PFC?MOSFET的開關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗反復摸索，那么該如何量化評估呢? 1.1功率損耗的原理圖和實測圖 一般來說，開關(guān)管工作的功率損耗原理圖如圖?1所示，主要的能量損耗體現(xiàn)在“導通過程”和“關(guān)閉過程”，小部分能量體現(xiàn)在“導通狀態(tài)”，而關(guān)閉狀態(tài)的損耗很小幾乎為0，可以忽略不計?！ ?? 圖?1開關(guān)管工作的功
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mos管介紹
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管?；蛘叻Q是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。
雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transc [ 查看詳細 ]
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