mosfet 文章進入mosfet 技術社區(qū)

MOSFET雪崩能量與器件熱性能和工作狀態(tài)相關性能

關鍵字：雪崩能量熱性能電源系統(tǒng) MOSFET

國際整流器公司擴大汽車專用MOSFET 組合

　　全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布擴大了旗下包括邏輯電平器件系列在內的 40V 至 100V 汽車專用 MOSFET 組合。新系列 MOSFET 適合傳統(tǒng)內燃機 (ICE) 平臺以及微型混合動力和全混合動力平臺上的重載應用。　　
關鍵字： IR MOSFET

RF功率MOSFET產品及工藝

電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
關鍵字： 3G MOSFET RF功率放大器 RF

恩智浦發(fā)布業(yè)界最低RDSon的30V MOSFET

　　恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V.今天發(fā)布了NextPower系列首款30V Power-SO8 MOSFET，擁有業(yè)界最低RDSon，4.5V時僅為1.4mΩ。全新的MOSFET器件PSMN1R0-30YLC，專門針對4.5V開關應用優(yōu)化，采用LFPAK封裝技術，是目前業(yè)界最牢固的Power-SO8封裝。NextPower技術已專門針對高性能DC-DC轉換應用進行了優(yōu)化，例如隔離電源和電源OR-ing中的同步降壓調節(jié)器、同步整流器。　　技術要點：　　&mi
關鍵字：恩智浦 MOSFET

Diodes新即插即用器件提升負載點轉換器效率

　　Diodes公司推出兩款新型雙通道器件DMS3017SSD及DMS3019SSD，擴展了旗下DIOFET產品系列。DMS3017SSD及DMS3019SSD將一個經過優(yōu)化的控制MOSFET及一個專有DIOFET集成在一個SO8封裝中，為消費類及工業(yè)應用的負載點轉換器提供高效的解決方案。
關鍵字： Diodes mosfet

如何為具體應用恰當?shù)倪x擇MOSFET

雖然工程師都熟諳MOSFET數(shù)據(jù)手冊上的品質因數(shù)，但為了選擇出合適的MOSFET，工程師必需利用自己的專業(yè)知識對各個具體應用的不同規(guī)格進行全面仔細的考慮。例如，對于服務器電源中的負載開關這類應用，由于MOSFET基本上
關鍵字： MOSFET

深入理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表

本文不準備寫成一篇介紹功率MOSFET的技術大全,只是讓讀者去了解如何正確的理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表中的常用主要參數(shù),以幫助設計者更好的使用功率MOSFET進行設計?！　?shù)據(jù)表中的參數(shù)分為兩類:即最大額定值和電氣特性值。
關鍵字： MOSFET 數(shù)據(jù)表

瑞薩電子高壓MOS在進行產品開發(fā)時的注意要點

　　本文主要介紹瑞薩電子(又稱：Renesas)高壓MOS在客戶電源等產品開發(fā)時的選型以及特性的說明，為客戶的產品開發(fā)提供參考性的設計意見。　　MOSFET以其電壓控制、開關頻率高、開關速度快等優(yōu)點，廣泛應用于電源等產品中。Renesas高壓MOS涵蓋漏源電壓(VDSS)等級600V、800V、900V、1400V，具有極低的RDS(ON)和豐富的封裝系列，應用十分廣泛。　　MOSFET最重要的兩個參數(shù)是漏源電壓(VDSS)和導通電阻RDS(ON)。電流值和最大耗散功率值必須仔細觀察，因為它們只有
關鍵字： Renesas MOSFET

PI推出帶集成控制器/MOSFET的高效率功率因數(shù)校正IC產品系列

　　用于高能效電源轉換的高壓集成電路業(yè)界的領導者Power Integrations公司今日宣布推出全新的HiperPFS產品，一款集成高壓MOSFET并可實現(xiàn)功率因數(shù)校正(PFC)的控制器芯片。HiperPFS器件采用創(chuàng)新的控制方案，可提高輕載條件下的效率。此外，與使用分立式MOSFET和控制器的設計相比，HiperPFS器件能大幅減少元件數(shù)和縮小電路板占用面積，同時簡化系統(tǒng)設計并增強可靠性。HiperPFS器件采用極為緊湊的薄型eSIPä封裝，適合75 W至1 kW的PFC應用。　　歐洲
關鍵字： PI HiperPFS MOSFET 控制器芯片

Vishay Siliconix推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅動下具有0.07Ω的超低最大導通電阻，柵極電荷減小到216nC，采用TO-247封裝。　　
關鍵字： Vishay Siliconix MOSFET

Diodes 推出強固型MOSFET

　　Diodes 公司推出專為IP電話(VoIP)通信開發(fā)的新型60V N溝道器件，擴展了其MOSFET產品系列。新型 Diodes DMN60xx 系列專為處理產生正極線和負極線換行線路饋電 (Tip and Ring Linefeeds) 所需的高脈沖電流，以及抵擋電源開關時引起的雪崩能量而設計。該器件能夠滿足基于變壓器的用戶線路接口電路 (SLIC) 直流/直流轉換器對基本切換功能的嚴格要求。　　Diodes 這次推出的四款產品提供四種不同的行業(yè)標準封裝選擇，包括：SOT223封裝的DMN606
關鍵字： Diodes MOSFET

IR 拓展堅固可靠、系統(tǒng)可擴展的車用 DirectFET?2 功率 MOSFET 系列

　　全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布拓展了車用DirectFET®2功率MOSFET系列。該系列具有非常出色的功率密度、雙面冷卻功能以及最小寄生電感和電阻，適用于重負載應用，包括電動助力轉向系統(tǒng)、電源、混合動力汽車的電池開關、微型混合動力汽車的集成起動發(fā)電機系統(tǒng)等。　　與傳統(tǒng)的標準塑料封裝器件相比，IR 的車用 DirectFET®2 器件可以實現(xiàn)整個系統(tǒng)級尺寸和更低的成本，以及超高的性
關鍵字： IR MOSFET

滿足供電需求的新型封裝技術和MOSFET

當維持相同的結點溫度時，可以獲得更高的輸出功率和改善功率密度。另外，散熱能力的提高使得電路在提供額定電流的同時，還可以額外提供不超過額定電流50%的更高電流，并使器件工作在更低的溫度、減少發(fā)熱對其他器件的影響，也提高了系統(tǒng)的可靠性。
關鍵字：技術 MOSFET 封裝新型供電需求滿足

Vishay Siliconix 推出新款500V的 N溝道功率MOSFET超低導通電阻

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新型500V、16A的N溝道功率MOSFET --- SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C。新MOSFET在10V柵極驅動下具有0.38Ω的超低最大導通電阻，柵極電荷降至68nC，采用TO-220AB、TO-220 FULLPAK、D2PAK和TO-247AC封裝。　　SiHP16N50C (TO-220AB)、SiHF16N50C (TO-220 FULLPA
關鍵字： Vishay MOSFET

共1269條 66/85 |‹ « 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 » ›|

mosfet 介紹

　　金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]