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Vishay 推出業(yè)界最小的N溝道芯片級功率MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)界最小和最薄的N溝道芯片級功率MOSFET --- Si8800EDB，該器件也是面積低于1mm2的首款產(chǎn)品。20V MICRO FOOT® Si8800EDB具有0.8mmx0.8mm的超小外形和0.357mm的厚度，可減少在便攜式電子產(chǎn)品中占用的空間。　　隨著便攜式產(chǎn)品變得愈加小巧，器件的尺寸成為選擇器件的重要因素，因為按鍵和電池占用了大部分空間，使PCB的面積受到極大限制。Si8800EDB具有超小的外形和
關鍵字： Vishay MOSFET

IR 推出全新 HEXFET 功率MOSFET系列

　　全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新HEXFET®功率MOSFET系列。該器件采用業(yè)界標準SOT-23封裝，具有超低導通電阻 (RDS(on)) ，適用于電池充電及放電開關、系統(tǒng)和負載開關、輕載電機驅動，以及電信設備等應用。　　新款SOT-23 MOSFET 器件采用IR最新的中壓硅技術，通過大幅降低90% RDS(on)顯著改善了電流處理能力，為客戶的特定應用優(yōu)化了性能及價格。　　IR
關鍵字： IR MOSFET HEXFET

2009年度電源產(chǎn)品獎評選結果揭曉

　　2010年6月8日，由中國電子技術權威雜志《電子產(chǎn)品世界》舉辦的“2009年度電源產(chǎn)品評選”活動在“第七屆綠色電源與電源管理技術研討會”舉行了頒獎典禮。社長陳秋娜女士宣布了最終的獲獎結果，中國電源學會常務理事長李龍文和陳秋娜女士分別為獲獎廠商代表進行頒獎。本次活動中共收到來自近20家國內(nèi)外電源廠商提交的五大類別60多款產(chǎn)品，經(jīng)網(wǎng)上票選和專家測評最終的分別選出最佳創(chuàng)新獎和最佳應用獎獲獎產(chǎn)品，另外還同時從所有參選產(chǎn)品中特別評選出了兩款綠色電源獎產(chǎn)品獎。
關鍵字：電源管理 MOSFET LED驅動

Vishay Siliconix 推出三款新型500V N溝道功率MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，該MOSFET在10V柵極驅動下的最大導通電阻達到超低的0.555Ω，柵極電荷減小為48nC，采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK(TO-263)封裝。　　這三款器件的低導通電阻意味著更低的功率損耗，從而在各種應用的功率因數(shù)校正(PFC)升壓電路、脈寬調
關鍵字： Vishay MOSFET

晶圓代工漲15% 模擬IC點頭

　　包括德儀、英飛凌、國家半導體(NS)、安森美(On Semi)等IDM廠，開出高于業(yè)界水平價格，包下臺積電、聯(lián)電、世界先進等晶圓代工產(chǎn)能，成熟制程產(chǎn)能不足問題，已對立锜、致新等臺灣模擬IC業(yè)者造成排擠效應。為了避免下半年旺季時無貨可出，臺灣業(yè)者只能松口答應調漲代工價10%至15%不等幅度，以便爭取到更多產(chǎn)能。　　下半年將進入手機及計算機銷售旺季，不論市場是否對市場需求有所疑慮，但業(yè)界仍認為旺季仍會有旺季應有表現(xiàn)，至少第3季的手機、筆電、消費性電子產(chǎn)品等出貨量，與去年同期相較仍有2成至3成的年
關鍵字：飛思卡爾 MOSFET 模擬IC

iSuppli：部分芯片產(chǎn)品交貨期拉長至20周

　　市場研究機構iSuppli指出，部分模擬、邏輯、內(nèi)存與電源管理IC 出現(xiàn)嚴重缺貨現(xiàn)象，導致價格上揚與交貨期延長至“令人擔憂的程度”。“當交貨期來到20周左右的水平，意味著零組件供應端與需求端出現(xiàn)了很大的差異;”追蹤半導體與零組件價格的iSuppli資深分析師Rick Pierson表示。　　當零組件供應端出現(xiàn)吃緊情況，對照目前正處于復蘇狀態(tài)的市場，或許并不令人驚訝;Pierson指出，特定的市場與價格也激化各種零組件領域出現(xiàn)不同程度的短缺。根據(jù)iSu
關鍵字：電源管理 MOSFET

Vishay Siliconix推出新款ThunderFET 功率MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用針對更高電壓器件優(yōu)化的新型低導通電阻技術的首款TrenchFET?功率MOSFET --- ThunderFET? SiR880DP。新器件是業(yè)界首款在4.5V柵極驅動下就能導通的80V功率MOSFET。新的80V SiR880DP采用熱增強型PowerPAK? SO-8封裝，在4.5V、7.5V和10V下具有8.5m?、6.7m?和5.9m?的超低導通電阻。在4.5V柵極驅動下，該器件的典型導通電
關鍵字： Vishay MOSFET SiR880DP

IR 拓展了中壓功率 MOSFET 產(chǎn)品組合推出采用 PQFN 封裝和銅夾技術的新產(chǎn)品

　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合，提供完整的中壓器件系列，它們采用了5x6 mm PQFN封裝及優(yōu)化銅夾和焊接芯片技術。　　新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術來實現(xiàn)基準性能，適用于網(wǎng)絡和電信設備的DC-DC轉換器、AC-DC開關電源(SMPS)及電機驅動開關等開關應用。由于新器件滿足40V到250V的寬泛電壓，所以可提供不同水平的導通電阻(RDS(on))和柵極電荷(Qg)，為客戶的特定應用提供
關鍵字： IR MOSFET HEXFET

IR拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合

　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合，提供完整的中壓器件系列，它們采用了5x6 mm PQFN封裝及優(yōu)化銅夾和焊接芯片技術。　　新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術來實現(xiàn)基準性能，適用于網(wǎng)絡和電信設備的DC-DC轉換器、AC-DC開關電源(SMPS)及電機驅動開關等開關應用。由于新器件滿足40V到250V的寬泛電壓，所以可提供不同水平的導通電阻(RDS(on))和柵極電荷(Qg)，為客戶的特定應用提供
關鍵字： IR MOSFET HEXFET

英飛凌推出CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列

　　英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS™ C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級結(SJ)器件的優(yōu)勢(如低導通電阻和低容性開關損耗)與輕松控制的開關行為、及體二極管高牢固性融合在一起。基于同樣的技術平臺，C6器件針對易用性進行了優(yōu)化，而E6器件則旨在提供最高效率。　　CoolMOS™ C6/E6是來自英飛凌的第六代市場領先的高壓超級結功率MOSFET。全新的650V CoolMOS™ C6/E6器件具備快速、可控的開關性能，
關鍵字：英飛凌 CoolMOS MOSFET

TI推出可在25A電流下實現(xiàn)超過90%高效率的同步MOSFET半橋

　　德州儀器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 電流下實現(xiàn)超過 90% 高效率的同步 MOSFET 半橋，其占位面積僅為同類競爭功率 MOSFET 器件的 50%。TI 全新 CSD86350Q5D 功率模塊通過高級封裝將 2 個非對稱 NexFET 功率 MOSFET 進行完美整合，可為服務器、臺式機與筆記本電腦、基站、交換機、路由器以及高電流負載點 (POL) 轉換器等低電壓同步降壓半橋應用實現(xiàn)高性能。更多詳情，敬請訪問：www.ti.com.cn/powerblock-prcn。　　NexF
關鍵字： TI MOSFET NexFET CSD86350Q5D

Vishay發(fā)布助客戶進一步節(jié)約器件占位空間和系統(tǒng)成本的解決方案的視頻教程

　　日前， Vishay Intertechnology, Inc.宣布，為幫助客戶了解在一個小尺寸器件內(nèi)組合封裝的高邊和低邊MOSFET如何節(jié)省DC-DC轉換器的空間和成本，該公司在其網(wǎng)站(http://www.vishay.com)上新增了一個流媒體視頻，展示SiZ700DT PowerPAIR?雙芯片不對稱功率MOSFET解決方案。　　傳統(tǒng)上，設計者要在筆記本電腦、VRM、電源模塊、圖形卡、服務器和游戲機，以及工業(yè)系統(tǒng)的DC-DC轉換中實現(xiàn)系統(tǒng)電源、POL、低電流DC-DC和同步降壓轉換
關鍵字： Vishay MOSFET DC-DC 轉換器

英飛凌推出下一代CoolMOS MOSFET C6系列

　　英飛凌科技股份公司(Infineon)推出下一代高性能金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)600V CoolMOS C6系列。有了600V Cool-MOS C6系列器件，諸如PFC(功率因數(shù)校正)級或PWM(脈寬調制)級等能源轉換產(chǎn)品的能源效率可得到大幅提升。全新C6技術融合了現(xiàn)代超結結構及包括超低單位面積導通電阻(例如采用TO-220封裝，電阻僅為99毫歐)在內(nèi)的補償器件的優(yōu)勢，同時具有更低的電容開關損耗、更簡單的開關特性控制特性和更結實耐用的增強型體二極管。　　C6系列是英飛凌推
關鍵字：英飛凌 MOSFET CoolMOS C6

飛兆推出30V MOSFET器件FDMS7650

　　飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為服務器、刀片式服務器和路由器的設計人員帶來業(yè)界首款RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件，采用Power 56封裝，型號為 FDMS7650。FDMS7650 可以用作負載開關或ORing FET，為服務器中心 (server farm) 在許多電源并行安排的情況下提供分擔負載功能。FET的連續(xù)導通特性，可降低功耗和提高效率，以提升服務器中心的總體效率。FDMS7650 是首款采用 Power56 封裝以突破1
關鍵字： Fairchild MOSFET FDMS7650

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mosfet 介紹

　　金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]