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	mosfet
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          對(duì)使用銅絲鍵合的功率MOSFET進(jìn)行失效分析
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 摘要：由于銅絲鍵合可以替代金鍵合，價(jià)格又便宜，正在被越來越多地應(yīng)用到微電子元器件當(dāng)中。目前的情況表明銅是可行的替代品，但是證明其可靠性還需要采用針對(duì)銅絲鍵合工藝的新型失效分析(FA)技術(shù)。
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          • 關(guān)鍵字：
                        銅絲鍵合  MOSFET  金鍵合  失效分析  金屬層  201308                          
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          利用PowerTrench MOSFET應(yīng)對(duì)更高功率密度的新挑戰(zhàn)
          
                                                            
            
                    	
          • 引言隨著社會(huì)經(jīng)濟(jì)從紙張型向數(shù)字信息管理型方向發(fā)展，用于數(shù)據(jù)處理、存儲(chǔ)和網(wǎng)絡(luò)的數(shù)據(jù)中心在個(gè)人業(yè)務(wù)、學(xué)術(shù)...
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          • 關(guān)鍵字：
                        PowerTrench  MOSFET                          
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          飛兆開發(fā)出SP 5智能功率模塊系列三相MOSFET逆變器解決方案
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　電機(jī)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員需要能夠在嚴(yán)苛的應(yīng)用條件下，提高效率同時(shí)確保最高可靠性的解決方案。為此，飛兆半導(dǎo)體開發(fā)了SPM? 5 智能功率模塊系列三相 MOSFET 逆變器解決方案，為設(shè)計(jì)人員提供交流感應(yīng)電機(jī) (ACIM) 和無刷直流電機(jī)逆變器解決方案，適用于功率最高為 200 W 的電機(jī)，包括風(fēng)扇電機(jī)、洗碗機(jī)和各種小型工業(yè)電機(jī)。
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          • 關(guān)鍵字：
                        飛兆  MOSFET  SPM                          
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          理想二極管和熱插拔控制器實(shí)現(xiàn)電源冗余并隔離故障
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 用肖特基二極管實(shí)現(xiàn)多電源系統(tǒng)有多種方式。例如，μTCA 網(wǎng)絡(luò)及存儲(chǔ)服務(wù)器等高可用性電子系統(tǒng)都在其冗余電源系統(tǒng)中采用了肖特基二極管“或”電路。二極管“或”電路還用于采用備用電源的系統(tǒng)，例如 AC 交流適配器和備份電池饋送。
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          • 關(guān)鍵字：
                        凌力爾特  肖特基二極管  MOSFET                          
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          Vishay新款-40V和-30V MOSFET擴(kuò)充Gen III P溝道產(chǎn)品
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出采用PowerPAK? 1212-8封裝的-40V---SiS443DN和PowerPAK? 1212-8S封裝的-30V---SiSS27DN器件，擴(kuò)充其TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。
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          • 關(guān)鍵字：
                        Vishay  MOSFET                          
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          復(fù)蘇乏力 元件供應(yīng)商日子難過
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　雖然所有領(lǐng)先指標(biāo)都顯示2013年下半年將恢復(fù)季節(jié)性增長，但包括半導(dǎo)體在內(nèi)的電子元件產(chǎn)業(yè)目前訂單情況遜于當(dāng)前市場(chǎng)復(fù)蘇階段的預(yù)期水平。據(jù)IHS公司的元件價(jià)格走勢(shì)追蹤服務(wù)，這種需求缺口可能限制今年電子元件市場(chǎng)的增長幅度。
　　2013年商品類芯片的總體前景仍然堅(jiān)挺，預(yù)計(jì)半導(dǎo)體營業(yè)收入增長4.8%，盡管該市場(chǎng)的各個(gè)領(lǐng)域不會(huì)同樣強(qiáng)勁。
　　在假日季節(jié)之前的這個(gè)時(shí)期，MOSFET、電容與邏輯器件的訂單活動(dòng)沒有呈現(xiàn)出通常的水平。這個(gè)階段通常出現(xiàn)交貨期延長和價(jià)格上漲現(xiàn)象，而目前尚未看到這些情況。同時(shí)，消費(fèi)電子、汽
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          • 關(guān)鍵字：
                        電子元件  MOSFET                          
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          為您的電源選擇正確的工作頻率——電源設(shè)計(jì)小貼士
          
                                                            
            
                    	
          • 歡迎來到電源設(shè)計(jì)小貼士！隨著現(xiàn)在對(duì)更高效、更低成本電源解決方案需求的強(qiáng)調(diào)，我們創(chuàng)建了該專欄，就各種電源管理...
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          • 關(guān)鍵字：
                        工作頻率    MOSFET    Pcon                          
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          飛兆的100V BOOSTPAK解決方案降低了系統(tǒng)成本
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 飛兆半導(dǎo)體公司是高性能功率半導(dǎo)體和移動(dòng)半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商，通過引入 100 V BoostPak 設(shè)備系列優(yōu)化 MOSFET 和二極管選擇過程，將 MOSFET 和二極管集成在一個(gè)封裝內(nèi)，代替 LED 電視 / 顯示器背光、LED 照明和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中目前使用的分立式解決方案。
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          • 關(guān)鍵字：
                        飛兆  MOSFET  LED                          
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          安森美推出兩款新的MOSFET器件
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor) 推出兩款新的MOSFET器件，用于智能手機(jī)及平板電腦應(yīng)用，作為鋰離子電池充電/放電保護(hù)電路開關(guān)的關(guān)鍵組成部分。EFC6601R和EFC6602R幫助設(shè)計(jì)人員減小方案尺寸、提升能效及將電池使用時(shí)間延至最長。
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          • 關(guān)鍵字：
                        安森美  MOSFET  鋰離子電池                          
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          Vishay大幅擴(kuò)充E系列650V N溝道功率MOSFET家族
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，其E系列器件新增650V功率MOSFET。這些22款新器件采用8種不同封裝，將10V下的導(dǎo)通電阻擴(kuò)展到30mΩ～600mΩ，將最高電流等級(jí)擴(kuò)大為6A～105A。
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          • 關(guān)鍵字：
                        Vishay  E系列  MOSFET                          
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          功率MOSFET基礎(chǔ)知識(shí)
          
                                                            
            
                    	
          • 什么是功率MOSFET？我們都懂得如何利用二極管來實(shí)現(xiàn)開關(guān)，但是，我們只能對(duì)其進(jìn)行開關(guān)操作，而不能逐漸控制信...
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          • 關(guān)鍵字：
                        功率  MOSFET  基礎(chǔ)知識(shí)                          
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          用IGBT代替MOSFET的可行性分析
          
                                                            
            
                    	
          • 一、引言電力電子設(shè)備正朝著高頻、高效、高可靠、高功率因數(shù)和低成本的方向發(fā)展，功率器件則要求高速、...
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          • 關(guān)鍵字：
                        IGBT  MOSFET                          
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          AOS發(fā)布150V MOSFET旗艦產(chǎn)品
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 日前，集設(shè)計(jì)，研發(fā)一體的著名功率半導(dǎo)體及芯片供應(yīng)商萬國半導(dǎo)體(AOS, 納斯達(dá)克代碼: AOSL)發(fā)布了旗下最新150V MOSFET器件: AON6250。該器件作為AOS AlphaMOS? (?MOS?)中壓系列旗艦產(chǎn)品，為眾多設(shè)備追求極致效率提供了解決方案。
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          • 關(guān)鍵字：
                        AOS  AON6250  MOSFET                          
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          飛兆四路MOSFET解決方案提高了效率
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 高分辨率、緊湊有源整流橋應(yīng)用(如網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī))中的過熱可能導(dǎo)致圖像質(zhì)量問題。 同樣，熱致噪聲可能影響系統(tǒng)的圖像傳感器，也會(huì)降低相機(jī)的圖片質(zhì)量。 調(diào)節(jié)熱波動(dòng)的典型散熱解決方案會(huì)增加元件數(shù)量，占用電路板空間，讓這些設(shè)計(jì)變得更復(fù)雜。
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          • 關(guān)鍵字：
                        飛兆  FDMQ86530L  MOSFET                          
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          淺談三極管和MOS管作開關(guān)用時(shí)的區(qū)別
          
                                                            
            
                    	
          • 我們?cè)谧鲭娐吩O(shè)計(jì)中三極管和MOS管做開關(guān)用時(shí)候有什么區(qū)別。工作性質(zhì)：1.三極管用電流控制，MOS管...
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          • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  三極管                          
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		      			      			      	　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管，簡稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF		      	[ 查看詳細(xì) ]
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		            
        		  		
  		  		
		
          
	
          
	
          

          

          
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