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第二季DRAM合約價漲幅上修至13~18%;NAND Flash約15~20%
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新預估,第二季DRAM合約價季漲幅將上修至13~18%;NAND Flash合約價季漲幅同步上修至約15~20%,全線產(chǎn)品僅eMMC/UFS價格漲幅較小,約10%。403地震發(fā)生前,TrendForce集邦咨詢原先預估,第二季DRAM合約價季漲幅約3~8%;NAND Flash為13~18%,相較第一季漲幅明顯收斂,當時從合約價先行指標的現(xiàn)貨價格就可看出,現(xiàn)貨價已出現(xiàn)連續(xù)走弱,上漲動能低落、交易量降低等情況。究其原因,主要是除了AI以外的終端需求不振,尤其筆電、智能手機
- 關鍵字: DRAM NAND Flash TrendForce
累計上漲100%還不停!消息稱SK海力士將對內(nèi)存等漲價 至少上調(diào)20%
- 5月6日消息,供應鏈爆料稱,SK海力士將對旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等產(chǎn)品提價,漲幅均有15%-20%。按照消息人士的說法,海力士DRAM產(chǎn)品價格從去年第四季度開始逐月上調(diào),目前已累計上漲約60%-100%不等,下半年漲幅將趨緩??恐鎯q價,三星電子2024年第一季營業(yè)利潤達到了6.606萬億韓元。財報顯示,三星電子一季度存儲業(yè)務營收17.49萬億韓元,環(huán)比增長11%,同比暴漲96%,在整體的半導體業(yè)務營收當中的占比高達75.58%。三星表示,一季度存儲市場總體需求強勁,特別是生
- 關鍵字: SK海力士 三星 DDR5 NAND Flash 上漲
群聯(lián)3月營收年增73%,創(chuàng)歷史單月新高紀錄
- 近日,存儲廠商群聯(lián)公布了2024年3月份營運結果,合并營收為新臺幣67.75億元,年成長達73%,刷新歷史單月營收新高紀錄。全年度營收累計至3月份達新臺幣165.26億元,年成長達64%,為歷史同期次高。群聯(lián)表示,2024年3月份SSD控制芯片總累計總出貨量年成長達96%,其中PCIe SSD控制芯片總出貨量年增率達176%,刷新歷史單月新高。此外,全年度累計至3月份之整體NAND閃存位元數(shù)總出貨量的年成長率(Bit Growth Rate)也達80%,刷新歷史同期新高,顯示整體市場需求持續(xù)緩步回升趨勢不
- 關鍵字: 群聯(lián) SSD固態(tài)硬盤 NAND Flash
3D NAND,1000層競爭加速
- 據(jù)國外媒體Xtech Nikkei報道,日本存儲芯片巨頭鎧俠(Kioxia)首席技術官(CTO)Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學的應用物理學會春季會議上宣布,該公司計劃到2031年批量生產(chǎn)超過1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知,在所有的電子產(chǎn)品中,NAND閃存應用幾乎無處不在。而隨著云計算、大數(shù)據(jù)以及AI人工智能的發(fā)展,以SSD為代表的大容量存儲產(chǎn)品需求高漲,堆疊式閃存因此而受到市場的青睞。自三星2013年設計出垂直堆疊單元技術后,NAND廠商之間的競爭便主要集中在芯
- 關鍵字: NAND Flash 存儲芯片 鎧俠
3D NAND,1000層競爭加速!
- 據(jù)國外媒體Xtech Nikkei報道,日本存儲芯片巨頭鎧俠(Kioxia)首席技術官(CTO)Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學的應用物理學會春季會議上宣布,該公司計劃到2031年批量生產(chǎn)超過1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知,在所有的電子產(chǎn)品中,NAND閃存應用幾乎無處不在。而隨著云計算、大數(shù)據(jù)以及AI人工智能的發(fā)展,以SSD為代表的大容量存儲產(chǎn)品需求高漲,堆疊式閃存因此而受到市場的青睞。自三星2013年設計出垂直堆疊單元技術后,NAND廠商之間的競爭便主要集中在芯
- 關鍵字: 3D NAND 集邦咨詢
第二季NAND Flash合約價季漲13~18%,Enterprise SSD漲幅最高
- TrendForce集邦咨詢表示,除了鎧俠(Kioxia)和西部數(shù)據(jù)(WDC)自今年第一季起提升產(chǎn)能利用率外,其它供應商大致維持低投產(chǎn)策略。盡管第二季NAND Flash采購量較第一季小幅下滑,但整體市場氛圍持續(xù)受供應商庫存降低,以及減產(chǎn)效應影響,預估第二季NAND Flash合約價將強勢上漲約13~18%。eMMC方面,中國智能手機品牌為此波eMMC最大需求來源,由于部分供應商已降低供應此類別產(chǎn)品,中國模組廠出貨大幅提升。買方為了滿足生產(chǎn)需求開始擴大采用模組廠方案,助益中國模組廠技術進一步升級及
- 關鍵字: TrendForce NAND Flash Enterprise SSD
西部數(shù)據(jù)NAND Flash業(yè)務拆分最新進展,新任CEO揭曉
- 月5日,西部數(shù)據(jù)宣布,在NAND Flash業(yè)務拆分后,將保留原名,專注經(jīng)營核心HDD業(yè)務,并表示這一分拆過程有望在2024年下半年完成。與此同時,將為即將分拆的閃存和傳統(tǒng)硬盤業(yè)務任命CEO。西部數(shù)據(jù)稱,現(xiàn)任西部數(shù)據(jù)全球運營執(zhí)行副總裁 Irving Tan 將出任剩下的獨立 HDD公司的CEO,繼續(xù)以西部數(shù)據(jù)的身份運營?,F(xiàn)任CEO David Goeckeler則受命轉往NAND Flash部門成立的新公司,出任新公司執(zhí)行長。圖片來源:西部數(shù)據(jù)西部數(shù)據(jù)與鎧俠合并進展如何?據(jù)悉,自2021年以來,西部數(shù)據(jù)及
- 關鍵字: 閃存芯片 NAND Flash 西部數(shù)據(jù)
2023Q4 NAND 閃存行業(yè)產(chǎn)值環(huán)比增長 24.5%:三星增長 44.8% 居首位
- IT之家 3 月 6 日消息,集邦咨詢近日發(fā)布市場研究報告,表示 2023 年第 4 季度 NAND 閃存產(chǎn)值 114.9 億美元,環(huán)比增長 24.5%,2024 年第 1 季度 NAND 產(chǎn)值將繼續(xù)保持上漲,預估環(huán)比會繼續(xù)增長兩成。三星第四季營收以三星(Samsung)增長幅度最高,主要是服務器、筆記本電腦與智能手機需求均大幅增長。三星該季度出貨量環(huán)比增加 35%,平均銷售價格環(huán)比增加 12%,帶動營收上升至 42 億美元,環(huán)比增加 44.8%。SK 集團SK 集團(SK Group)受惠于價
- 關鍵字: NAND 閃存 存儲 市場分析
淺談因電遷移引發(fā)的半導體失效
- 前言半導體產(chǎn)品老化是一個自然現(xiàn)象,在電子應用中,基于環(huán)境、自然等因素,半導體在經(jīng)過一段時間連續(xù)工作之后,其功能會逐漸喪失,這被稱為功能失效。半導體功能失效主要包括:腐蝕、載流子注入、電遷移等。其中,電遷移引發(fā)的失效機理最為突出。技術型授權代理商Excelpoint世健的工程師Wolfe Yu在此對這一現(xiàn)象進行了分析。?1、?背景從20世紀初期第一個電子管誕生以來,電子產(chǎn)品與人類的聯(lián)系越來越緊密,特別是進入21世紀以來,隨著集成電路的飛速發(fā)展,人們對電子產(chǎn)品的需求也變得愈加豐富。隨著電子
- 關鍵字: 電遷移 半導體失效 世健 Microchip Flash FPGA
1年利潤暴跌84.9%!三星樂觀 今年業(yè)績回暖:存儲漲價是開始
- 2月1日消息,存儲一哥三星2023年的日子不太好過,全年利潤暴跌84.9%,確實沒辦法,不過他們保持樂觀態(tài)度。2023年IT市場整體低迷,尤其是存儲芯片價格暴跌的背景下,三星全年營收為258.94萬億韓元,同比減少14.3%;營業(yè)利潤為6.57萬億韓元,同比下滑84.9%。按照三星的說法,2024年上半年業(yè)績會回暖,其中以存儲產(chǎn)品價格回暖最為明顯,相關SSD等產(chǎn)品漲價不會停止,只會更猛烈。NAND芯片價格止跌回升后,目前報價仍與三星、鎧俠、SK海力士、美光等供應商達到損益兩平點有一段差距。國內(nèi)重量級NAN
- 關鍵字: 存儲 三星 鎂光 海力士 NAND
一季度 NAND Flash合約價預計上漲15%-20%
- 供應商為了盡量減少損失,正在推高 NAND Flash 價格。
- 關鍵字: NAND Flash
閃存芯片將掀起新一輪漲價潮
- 2023 下半年,以 DRAM 和 NAND Flash 為代表的存儲器報價逐步止跌回升。近期,NOR Flash 也呈現(xiàn)出明顯的回暖態(tài)勢,供應鏈人士透露,2024 年 1 月,預計 NOR Flash 價格將上漲 5%,并保持上漲態(tài)勢,到第二季度,漲幅將達到 10%。過去幾年,隨著整個半導體市場的變化,NOR Flash 的供需和價格也是起起落落。2018 年,NOR Flash 市場需求較為疲軟,而供貨商的產(chǎn)能卻在持續(xù)提升,導致當年的價格進入下行周期。經(jīng)過一年的低迷期后,NOR Flash 價格在 2
- 關鍵字: NOR Flash
nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫速度快,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲,因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行,如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]
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