nand flash 文章 進入nand flash技術(shù)社區(qū)
NAND半壁江山 三星與海力士拿下全球閃存市場52.9%份額
- 根據(jù)市場研究機構(gòu)TrendForce最近發(fā)布的報告顯示,在2022年二季度全球NAND Flash閃存市場中,三星電子與SK海力士拿下了全球52.9%的市場份額。根據(jù)數(shù)據(jù)顯示,2022年二季度三星電子NAND銷售額為59.8億美元,環(huán)比下滑5.4%,排名第一。SK海力士因為對英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)收購的完成,2022年二季度銷售額位36.15億美元,環(huán)比增長12.1%,超越了鎧俠,成為了全球第二大NAND閃存廠商,兩家韓國廠商已經(jīng)那拿下了全球NAND市場52.9%的份額。
- 關(guān)鍵字: NAND 內(nèi)存
FORESEE中國大陸首發(fā)512Mb SPI NAND Flash
- 江波龍(股票代碼:301308)近期發(fā)布了中國大陸首款FORESEE 512Mb SPI NAND Flash。FORESEE 512Mb SPI NAND Flash由江波龍完全自主研發(fā),能夠極大地幫助客戶降低整機系統(tǒng)成本,并提升終端的產(chǎn)品競爭力。目前,F(xiàn)ORESEE 512Mb SPI NAND Flash已全面量產(chǎn),在智能穿戴、物聯(lián)網(wǎng)模塊、安防監(jiān)控、網(wǎng)絡(luò)通訊等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。加量減價,降本與增效兼得替換256Mb以上大容量SPI NOR Flash的上佳選擇根據(jù)系統(tǒng)存儲容量需求的不同,客
- 關(guān)鍵字: 江波龍 NAND
應(yīng)需而生!兆易創(chuàng)新推出突破性1.2V超低功耗SPI NOR Flash產(chǎn)品系列
- 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice(股票代碼 603986)宣布,推出突破性的1.2V超低功耗SPI NOR Flash產(chǎn)品——GD25UF系列。該系列在數(shù)據(jù)傳輸速度、供電電壓、讀寫功耗等關(guān)鍵性能指標上均達到國際領(lǐng)先水平,在針對智能可穿戴設(shè)備、健康監(jiān)測、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備或其它單電池供電的應(yīng)用中,能顯著降低運行功耗,有效延長設(shè)備的續(xù)航時間。 隨著物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的發(fā)展,新一代智能可穿戴設(shè)備需要擁有更豐富的功能來滿足消費者的需求,這種空間敏感型產(chǎn)品對系統(tǒng)功耗提出了更嚴苛的要求,希
- 關(guān)鍵字: 兆易創(chuàng)新 1.2V SPI NOR Flash
三星電子236層NAND閃存預(yù)計年內(nèi)開始生產(chǎn)
- 據(jù)國外媒體報道,當(dāng)前全球最大的存儲芯片制造商三星電子,預(yù)計會在年內(nèi)開始生產(chǎn)236層NAND閃存。此外,它還計劃在本月開設(shè)一個新的研發(fā)中心,負責(zé)更先進NAND閃存產(chǎn)品的開發(fā)。韓國媒體在報道中還表示,三星目前量產(chǎn)的NAND閃存,最高是176層,在236層的產(chǎn)品量產(chǎn)之后,三星電子NAND閃存的層數(shù)就將創(chuàng)下新高。從韓國媒體的報道來看,三星電子對即將量產(chǎn)的236層NAND閃存寄予了厚望。他們在報道中就表示,在NAND閃存市場,三星電子的市場份額占了35%,為全球最高。將層數(shù)增加60層后,他們計劃憑借生產(chǎn)技術(shù)、價格及
- 關(guān)鍵字: 三星 NAND 閃存
業(yè)界首發(fā),不二選擇:美光推出全球首款232層NAND
- 半導(dǎo)體行業(yè)十分有趣,同時也充滿挑戰(zhàn)。俗話說,“打江山難,守江山更難”,這句話形容半導(dǎo)體行業(yè)十分貼切。我們需要頂住重重壓力,不斷突破物理、化學(xué)、制造和創(chuàng)新的極限,以推動邏輯、內(nèi)存、存儲等計算器件的發(fā)展。如何開發(fā)出尺寸更小、速度更快、功耗更少、成本更低,同時容量更大的閃存技術(shù)是我們每天都要應(yīng)對的挑戰(zhàn)。美光憑借3D NAND新技術(shù)與率先推出的新產(chǎn)品再攀高峰,借此機會讓我們回顧美光取得的輝煌成就。 美光一直以來被公認為3D NAND技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)廠商,之前我們推出了業(yè)內(nèi)首款176層替換柵極NAND技術(shù),再次
- 關(guān)鍵字: 美光 232層 NAND
集邦:明年DRAM需求位成長8.3%創(chuàng)新低 NAND跌價帶動搭載容量成長
- 根據(jù)集邦科技指出,2023年DRAM市場需求位成長僅8.3%,是歷年來首度低于10%,遠低于供給位成長約14.1%,分析至少2023年的DRAM市況在供過于求的情勢下仍相當(dāng)嚴峻,價格恐將持續(xù)下滑。至于NAND Flash仍是供過于求,但價格下跌應(yīng)有助于搭載容量提升。從各類應(yīng)用來看,高通膨持續(xù)沖擊消費市場需求,故優(yōu)先修正庫存是品牌的首要目標,尤其前兩年面對疫情造成的上游零組件缺料問題,品牌超額下訂,加上通路銷售遲緩,使得目前筆電整機庫存去化緩慢,造成2023年筆電需求將進一步走弱。標準型PC DRAM方面,
- 關(guān)鍵字: 集邦 DRAM NAND
美光出貨全球首款232層NAND,進一步鞏固技術(shù)領(lǐng)先地位
- Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達克股票代碼:MU)今日宣布已量產(chǎn)全球首款 232 層 NAND。它采用了業(yè)界領(lǐng)先的創(chuàng)新技術(shù),從而為存儲解決方案帶來前所未有的性能。與前幾代 NAND 相比,該產(chǎn)品擁有業(yè)界最高的面密度和更高的容量及能效,能為客戶端及云端等數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用提供卓越支持。???美光技術(shù)與產(chǎn)品執(zhí)行副總裁 Scott DeBoer 表示:“美光 232 層 NAND 率先在生產(chǎn)中將 3D NAND堆疊層數(shù)擴展到超過 200 層,
- 關(guān)鍵字: 美光 232層 NAND
SSD價格還將要大降價:NAND供應(yīng)過剩
- 芯研所7月22日消息,TrendForce集邦咨詢表示,需求未見好轉(zhuǎn),NAND Flash產(chǎn)出及制程轉(zhuǎn)進持續(xù),下半年市場供過于求加劇,包含筆記本、電視與智能手機等消費性電子下半年旺季不旺已成市場共識,物料庫存水位持續(xù)攀升成為供應(yīng)鏈風(fēng)險。因渠道庫存去化緩慢,客戶拉貨態(tài)度保守,造成庫存問題漫溢至上游供應(yīng)端,賣方承受的拋貨壓力與日俱增。芯研所采編TrendForce集邦咨詢預(yù)估,由于供需失衡急速惡化,第三季NAND Flash價格跌幅將擴大至8~13%,且跌勢恐將延續(xù)至第四季。按照供應(yīng)鏈的說法,雖然仍
- 關(guān)鍵字: NAND SSD 存儲
兆易創(chuàng)新1.2mm×1.2mm USON6 GD25WDxxK6 SPI NOR Flash產(chǎn)品系列問世
- 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice(股票代碼 603986)宣布推出GD25WDxxK6 SPI NOR Flash產(chǎn)品系列,采用1.2mm×1.2mm USON6超小型塑封封裝,最大厚度僅為0.4mm,在如此緊湊、輕薄的空間內(nèi),其功耗、電壓范圍等方面均實現(xiàn)了進一步提升,為消費電子、可穿戴設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)以及便攜式健康監(jiān)測設(shè)備等對電池壽命和緊湊型設(shè)計有著嚴苛需求的應(yīng)用提供了理想選擇。 如今,隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)、AI等技術(shù)的不斷迭代,在筆記本攝像頭、智能遙控器、智能健康手環(huán)等采用電池
- 關(guān)鍵字: 兆易創(chuàng)新 SPI NOR Flash
累計出貨190億顆!兆易創(chuàng)新NOR閃存高居全球第三
- 在國產(chǎn)化Flash閃存領(lǐng)域,NAND閃存的領(lǐng)軍當(dāng)屬長江存儲,NOR閃存的代表則是兆易創(chuàng)新?! ?月30日,兆易創(chuàng)新官方宣布,旗下Flash閃存產(chǎn)品累計出貨量已經(jīng)超過190億顆,其中NOR閃存的市場份額更是排名全球前三?! ≌滓讋?chuàng)新還透露,正在在超低功耗、超小封裝等技術(shù)工藝上持續(xù)打磨產(chǎn)品,比如采用WLCSP超小封裝的NOR閃存產(chǎn)品已經(jīng)上市,可大大縮減系統(tǒng)PCB面積;比如主打超低功耗的1.2V NOR產(chǎn)品即將面世,可顯著延長電池壽命?! OR閃存可廣泛用于智能手表、智能手環(huán)、無線耳機、XR眼鏡/頭顯等智能穿
- 關(guān)鍵字: 兆易創(chuàng)新 NOR Flash
2022年Nor Flash產(chǎn)值將增長21%至35億美元
- Nor Flash在2021年僅占整體閃存市場總額的4%,但Nor Flash產(chǎn)品的銷售額飆升63%至29億美元,Nor Flash出貨量增長了33%,平均售價則上漲23%。預(yù)計Nor Flash市場將在2022年再增長21%至35億美元。 Nor Flash市場由華邦電、旺宏、兆易創(chuàng)新3家廠商主導(dǎo),市占率共達91%。 去年華邦電Nor Flash銷售額達10億美元,市占率以35%居冠。華邦電從2011年來,采用58納米制程生產(chǎn)大多數(shù)的NOR產(chǎn)品,但2021年大多數(shù)已轉(zhuǎn)進40納米制程。
- 關(guān)鍵字: 華邦電 旺宏 兆易創(chuàng)新 Nor Flash
鎧俠為實現(xiàn)超高容量SSD,正試驗7bit/cell超高密度的3D NAND Flash
- NAND Flash制造商一直試圖通過增加每個單元存儲的位數(shù)來提高其存儲設(shè)備的存儲密度,據(jù)外媒報導(dǎo),近日鎧俠表示,公司一直在試驗在一個單元中存儲更多比特數(shù)的NAND Flash閃存。據(jù)報道,近日鎧俠表示,已設(shè)法在每個單元中存儲7 Bits (7 bpc),盡管是在實驗室和低溫的條件下。 為了使存儲密度更高,存儲電壓狀態(tài)的數(shù)量將隨著每個單元存儲Bits的增加呈指數(shù)增長。例如,要存儲4位,單元必須保持16個電壓電平 (2^4),但使用6位,該數(shù)字會增長到64(2^6)。而鎧俠實現(xiàn)的每個單元
- 關(guān)鍵字: SSD NAND Flash 鎧俠
潛力無限的汽車存儲芯片
- 隨著智能化、電動化浪潮的推進,汽車芯片的含量成倍提升,電動車半導(dǎo)體含量約為燃油車2倍,智能車為8-10倍。需求增量端2020年全球約需要439億顆汽車芯片,2035年增長為1285億顆。價值增量端,2020年汽車芯片價值量為339億美元,2035年為893億美元??梢娦酒瑢⒊蔀槠囆吕麧櫾鲩L點,有望成為引領(lǐng)半導(dǎo)體發(fā)展新驅(qū)動力?! ∑囆酒瑥膽?yīng)用環(huán)節(jié)可以分為5類:主控芯片、存儲芯片、功率芯片、模擬芯片、傳感器芯片等,以存儲芯片為例,2022年全球汽車存儲芯片市場規(guī)模約52億美元,國內(nèi)汽車存儲芯片市場規(guī)模
- 關(guān)鍵字: 北京君正 兆易創(chuàng)新 DRAM NAND
盈利能力大增,估值較低的存儲龍頭被看好?
- 5月30日兆易創(chuàng)新宣布,公司Flash產(chǎn)品累計出貨量已超過190億顆,年出貨量超過28億顆,目前兆易創(chuàng)新在NOR Flash領(lǐng)域已成為中國第一,全球第三,2020年兆易創(chuàng)新NOR Flash產(chǎn)品市場份額達到17.8%。除了NOR Flash存儲芯片,兆易創(chuàng)新業(yè)務(wù)還包括DRAM存儲芯片以及存儲器和MCU,在過去一段時間行業(yè)普遍缺芯的背景下,兆易創(chuàng)新的營收與凈利潤均實現(xiàn)大幅增長,2021年和2022年一季度公司營收分別增長89.25%和165.33%,歸母凈利潤分別增長39.25%和127.65%。目前芯片行
- 關(guān)鍵字: 兆易創(chuàng)新 NAND Flash
2022年NOR Flash產(chǎn)值將成長21%至35億美元
- 據(jù)IC Insights周二在《 The McClean Report 2022 》更新的數(shù)據(jù)顯示, NOR Flash在2021年僅占整體閃存市場總額的4%,但NOR Flash產(chǎn)品的銷售額飆升63%至29億美元, NOR Flash 出貨量增長了33%,平均售價則上漲23%。機構(gòu)樂觀預(yù)計NOR Flash市場將在2022年再增長21%至35億美元。NOR Flash市場由華邦電、旺宏、兆易創(chuàng)新3家廠商主導(dǎo),市占率共達 91%。該機構(gòu)指出,去年華邦電NOR Flash銷售額達10億美元,市占率以35%居
- 關(guān)鍵字: 兆易創(chuàng)新 NOR Flash
nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫速度快,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲,因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行,如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473