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          NAND產(chǎn)業(yè)經(jīng)受住了日本地震的打擊

          •   日本災(zāi)害造成巨大的人員傷亡,一年后,繼續(xù)給日本民眾與經(jīng)濟(jì)留下難以磨滅的印跡。但是,在制造業(yè)方面存在一線希望,即災(zāi)害對(duì)于NAND閃存產(chǎn)業(yè)的影響不大而且只是暫時(shí)影響。這是日本的主要產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)IHS公司的資料與分析,在日本發(fā)生災(zāi)害一年后,由于平板電腦、智能手機(jī)和固態(tài)硬盤(SSD)等需要大量存儲(chǔ)的應(yīng)用需求上升,NAND產(chǎn)業(yè)繼續(xù)增長(zhǎng)。   受日本災(zāi)害影響最大的NAND閃存供應(yīng)商是東芝。它的兩家NAND芯片廠Fab 3和Fab 4占全球NAND產(chǎn)能的35%,位于距離震中500英里的四日市。在地震之后,這兩家工
          • 關(guān)鍵字: NAND  晶圓  

          NAND產(chǎn)業(yè)經(jīng)受住了日本地震的打擊

          •   日本災(zāi)害造成巨大的人員傷亡,一年后,繼續(xù)給日本民眾與經(jīng)濟(jì)留下難以磨滅的印跡。但是,在制造業(yè)方面存在一線希望,即災(zāi)害對(duì)于NAND閃存產(chǎn)業(yè)的影響不大而且只是暫時(shí)影響。這是日本的主要產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)IHS公司的資料與分析,在日本發(fā)生災(zāi)害一年后,由于平板電腦、智能手機(jī)和固態(tài)硬盤(SSD)等需要大量存儲(chǔ)的應(yīng)用需求上升,NAND產(chǎn)業(yè)繼續(xù)增長(zhǎng)。   受日本災(zāi)害影響最大的NAND閃存供應(yīng)商是東芝。它的兩家NAND芯片廠Fab 3和Fab 4占全球NAND產(chǎn)能的35%,位于距離震中500英里的四日市。在地震之后,這兩家工
          • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND  

          2011年第四季度NOR閃存營(yíng)業(yè)收入環(huán)比下降9%

          •   據(jù)IHS iSuppli公司的移動(dòng)市場(chǎng)存儲(chǔ)報(bào)告,由于經(jīng)濟(jì)形勢(shì)糟糕和泰國(guó)洪災(zāi)導(dǎo)致PC出貨量下降,2011年第四季度NOR閃存營(yíng)業(yè)收入環(huán)比下降9%。   2011年第四季度NOR閃存營(yíng)業(yè)收入從第三季度的10.5億美元降至9.53億美元。第二季度NOR營(yíng)業(yè)收入略有增長(zhǎng),從11.6億美元上升到11.7億美元,如圖2所示。   第四季度NOR營(yíng)業(yè)收入下降的主要原因,是10月泰國(guó)發(fā)生洪災(zāi)導(dǎo)致PC出貨量減少。洪水破壞了泰國(guó)的硬盤工廠,造成硬盤短缺,導(dǎo)致PC銷量下降。NOR營(yíng)業(yè)收入減少的其它原因包括:在全球經(jīng)濟(jì)黯
          • 關(guān)鍵字: NOR  NAND  

          蘋果轉(zhuǎn)單海力士 三星NAND營(yíng)收比重略減

          •   市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DIGITIMESResearch專桉經(jīng)理徐康沛分析指出,全球最大記憶體製造商三星電子(SamsungElectronics)受主要客戶蘋果(Apple)將NANDFlash大部分訂單轉(zhuǎn)予海力士(Hynix)的影響,2011年第四季NANDFlash營(yíng)收較前季約減少5%,DRAM營(yíng)收則微增,使NANDFlash佔(zhàn)該公司記憶體營(yíng)收比重降至38%,佔(zhàn)全球NANDFlash營(yíng)收比重亦續(xù)降至34.6%。   反觀海力士,其NANDFlash佔(zhàn)公司營(yíng)收比重則維持在30%,佔(zhàn)全球NANDFlash營(yíng)
          • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  

          Flash單片機(jī)自編程技術(shù)介紹

          • Flash的可自編程性(Self-Programmability)是指,用Flash存儲(chǔ)器中的駐留軟件或程序?qū)lash存儲(chǔ)器進(jìn)行擦除/編程,但是,要求運(yùn)行程序代碼的存儲(chǔ)區(qū)與待編程的存儲(chǔ)區(qū)不在同一模塊中。因此,只有一個(gè)片上Flash存儲(chǔ)器模塊
          • 關(guān)鍵字: 介紹  技術(shù)  編程  單片機(jī)  Flash  

          利用NAND Flash實(shí)現(xiàn)嵌入式系統(tǒng)的遠(yuǎn)程更新

          • 利用NAND Flash實(shí)現(xiàn)嵌入式系統(tǒng)的遠(yuǎn)程更新,引言
            嵌入式系統(tǒng)在各個(gè)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用,嵌入式系統(tǒng)的維護(hù)與升級(jí)也變得日益重要。由于新技術(shù)的不斷涌現(xiàn)和對(duì)系統(tǒng)功能、性能等要求的不斷提高,開發(fā)者必須能夠針對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行升級(jí)和維護(hù),以延長(zhǎng)系統(tǒng)的使用周期,
          • 關(guān)鍵字: 系統(tǒng)  遠(yuǎn)程  更新  嵌入式  實(shí)現(xiàn)  NAND  Flash  利用  

          固態(tài)硬盤每GB容量?jī)r(jià)格將跌破1美元

          •   1GB 1美元——這很久以來(lái)就被視為固態(tài)硬盤真正全民普及、成為大眾化主流配置的一道門檻,而根據(jù)DRAMeXchange的最新報(bào)告,今年下半年就能以低于1GB 1美元的價(jià)格買到固態(tài)硬盤。20nm、19nm等最新NAND閃存工藝將在今年下半年投入大規(guī)模量產(chǎn),閃存芯片的成本也會(huì)進(jìn)一步降低,每 GB將會(huì)不足1美元。DRAMeXchange預(yù)計(jì),在那之后超極本、超輕薄本都會(huì)從混合硬盤過(guò)渡到純粹的固態(tài)硬盤,而后者的主流容量也將升至 128GB。   隨著Intel Ivy Bridge處
          • 關(guān)鍵字: 固態(tài)硬盤  NAND  

          基于MCU內(nèi)部Flash的在線仿真器設(shè)計(jì)方案

          • 基于MCU內(nèi)部Flash的在線仿真器設(shè)計(jì)方案,摘要:提出了一種基于MCU內(nèi)部Flash的仿真器設(shè)計(jì)方法,并完成了設(shè)計(jì)和仿真。由于市場(chǎng)對(duì)MCU功能的要求總是不斷變化和升級(jí),MCU應(yīng)用的領(lǐng)域也不斷擴(kuò)展,因此往往需要對(duì)最初的設(shè)計(jì)進(jìn)行修改。Flash MCU與以往OTP/MASK MCU相
          • 關(guān)鍵字: 仿真器  設(shè)計(jì)  方案  在線  Flash  MCU  內(nèi)部  基于  

          NAND閃存存儲(chǔ)器的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)

          • NAND閃存存儲(chǔ)器的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì),閃存存儲(chǔ)器主要分為NAND和XOR兩種類型,其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)。本文的閃存映射方法主要是針對(duì)NAND類型的閃存芯片。一個(gè)NAND類型的閃存芯片的存儲(chǔ)空間是由塊(Block)構(gòu)成,每個(gè)塊又劃分為固定大小的頁(yè),塊是擦
          • 關(guān)鍵字: 閃存  設(shè)計(jì)  映射  存儲(chǔ)器  NAND  適應(yīng)  

          一種基于MCU內(nèi)部Flash的在線仿真器設(shè)計(jì)方法

          Flash存儲(chǔ)器Am29F040結(jié)構(gòu)分析

          •  Am29F040是AMD公司生產(chǎn)的Flash存儲(chǔ)器,主要作用是固化程序和保存歷史數(shù)據(jù),也就是開機(jī)后執(zhí)行閃存的程序,并在程序執(zhí)行的過(guò)程中實(shí)時(shí)地保存或修改其內(nèi)部的數(shù)據(jù)單元。下面首先介紹Am29F040的特點(diǎn)和操作。Am29F040是采
          • 關(guān)鍵字: Flash  F040  040  29F    

          基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲(chǔ)管理在TMS320F28x中的實(shí)現(xiàn)

          • 基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲(chǔ)管理在TMS320F28x中的實(shí)現(xiàn), Nand Flash作為一種安全、快速的存儲(chǔ)體,因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù) 據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn),已逐步取代其它半導(dǎo)體存儲(chǔ)元件,成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的主 要載體。盡管Nand Flash的每個(gè)單元塊相互獨(dú)
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)  管理  TMS320F28x  實(shí)現(xiàn)  Flash  Nand  磨損  均衡  思想  

          并行NOR Flash在SOPC開發(fā)中的應(yīng)用

          • 并行NOR Flash在SOPC開發(fā)中的應(yīng)用,摘要 討論Intel STrataFlash 3V Memory系列的JS28F128J3D75并行NOR flash在基于Xilinx MicroBlaze的SOPC開發(fā)中的4種不同用途。J3D Flash可以用于存儲(chǔ)FPGA配置比特流、可引導(dǎo)的軟處理器代碼、可直接執(zhí)行的軟處理器代碼
          • 關(guān)鍵字: 開發(fā)  應(yīng)用  SOPC  Flash  NOR  并行  

          基于Flash的大容量高速數(shù)據(jù)記錄儀設(shè)計(jì)

          • 基于Flash的大容量高速數(shù)據(jù)記錄儀設(shè)計(jì),現(xiàn)今嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品已滲透進(jìn)人們生活工作中的方方面面,從ATM 機(jī)到手持通訊設(shè)備。社會(huì)對(duì)嵌入式產(chǎn)品的性能也有越來(lái)越高的要求:大容量,高速度,斷電保護(hù),體積限制等等。當(dāng)前數(shù)據(jù)記錄儀的容量和速度普遍偏小。本文旨
          • 關(guān)鍵字: 記錄儀  設(shè)計(jì)  數(shù)據(jù)  高速  Flash  大容量  基于  

          大容量FLASH在單片機(jī)臺(tái)標(biāo)系統(tǒng)中的應(yīng)用

          • 1 引 言FLASH是一種兼有紫外線擦除EPROM和電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器(E2PROM)兩者優(yōu)點(diǎn)的新型非易失存儲(chǔ)器。由于它可在線進(jìn)行電可擦除和編程,芯片每區(qū)可獨(dú)立擦寫至少10,000次以上,因而對(duì)于需周期性地修改被儲(chǔ)存的代
          • 關(guān)鍵字: 系統(tǒng)  應(yīng)用  臺(tái)標(biāo)  單片機(jī)  FLASH  大容量  
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          nand flash介紹

           Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大,改寫速度快,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ),因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。   NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行,如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]

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