- 數年來固態(tài)硬盤正在變得越來越便宜和可靠，但相比大容量的硬盤而言，這種產品在容量和價格比上依然顯得有些奢侈，例如40GB的Intel SSD相當于1TB的西部數據硬盤的價格。盡管如此，Gartner依然對SSD市場的前景十分看好，并認為到2012年下半年，固態(tài)硬盤將成為市場的主流，并預期到時候的價格將會下降到每1美元1GB，這意味著主流的SSD價格將下調到100美元以下，例如64GB64美元，從而開始被大眾接受。
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NAND SSD
- 0 引言 計算機技術的高速發(fā)展，存儲系統(tǒng)容量從過去的幾KB存儲空間，到現在的T8；乃至不久的將來要達到的PB存儲空間，其數據存取的能力在飛速擴展。隨之而來產生的SCSI、FC、SAN、iSCSI、IPStorage和數據生命周期管
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FLASH NAND 儲存 測試系統(tǒng)
- 5月13日消息，據國外媒體報道，全球最大的內存芯片廠商三星電子周四稱，它已經開始大批量生產新的NAND閃存芯片。這種閃存芯片傳送速度的速度比目前市場上的任何其它NAND閃存芯片都要快。
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三星 NAND
- 2011年全球NAND Flash中，全球三星電子(Samsung Electronics)仍是位居全球NAND Flash市場龍頭，市占率高達36.2%，緊追在后的是東芝(Toshiba)，市占率達35.1%，兩者合計掌握70%以上NAND Flash市場;根據市調機構TrendForce最新統(tǒng)計，2011年第1季NAND Flash品牌供應商的位元出貨量為13%，營收成長9.9%，達53.63億美元。
2011年第1季全球NAND Flash市場變化相當多，最大影響當屬日本311東北強震，對
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三星電子 NAND
- ICP是一種在實際的目標電路板上燒寫和擦除芯片的方法，無需從目標板上將芯片卸下來再編程實現用戶程序的修改。這種方法適用于產品開發(fā)和代碼升級。目前市面上很多芯片(如Philips公司的P89C51、P89V51和LPC932A1，STC
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在線 編程 Flash MC68HC908JB8 USB 總線 基于
- 據了解，由于智能型手機(Smartphone)和平板計算機(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產量。
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三星 NAND Flash
- 由于智能型手機(Smartphone)和平板計算機(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產量。
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三星 NAND 移動設備
- TMS320F2812(以下簡稱F2812)是美國德州儀器公司(TI)新一代32位定點數字信號處理器(DSP)，主要應用于逆變器控制、電機控制等領域，并擁有工作頻率高達150 MHz的32位DSP內核處理器，可以高效可靠地實現自適應控制和狀
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技術 在線 Flash 片內 TMS320F2812
- 由于智能型手機等行動裝置應用驅動NANDFlash需求成長，加上日本強震造成東芝(Toshiba)5、6月NAND Flash供貨銳減50%，美光(Micron)看好NANDFlash產業(yè)將持續(xù)供不應求，除與英特爾(Intel)合資新加坡廠取得多數股權和產能，未來不排除再擴大NAND Flash產能，可行方案包括釋出代工權給華亞科生產，或是啟動新加坡二廠。美光指出，未來NAND Flash策略不追求市占第1，但要做到成本最低。
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美光 NAND
- 據韓國媒體報道，內存調研公司集邦科技發(fā)布最新研究數據，今年四月上旬NAND閃存芯片價格創(chuàng)下了7個月以來的新高水平，一定程度上反映了繼上月日本地震海嘯災害中斷相關供應鏈后芯片價格的總體情況。
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閃存 NAND
- 東芝宣布其開發(fā)出了“全球首款”(該公司)采用19nm工藝的64Gbit NAND型閃存。將從2011年4月底開始樣品供貨，2011年第三季度(2011年7～9月)開始量產。此次開發(fā)的64Gbit NAND芯片是2bit/單元產品，還計劃推出3bit/單元產品和1bit/單元產品。不過，這些產品的上市時間目前“尚未確定”(東芝)。
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東芝 NAND
- NAND Flash嵌入式存儲系統(tǒng)結構分析, 本文是以Samsung的NAND Flash K9F2808U0C作為存儲芯片，設計了一種在NFTL上實現壞塊管理并且實現連續(xù)數據讀取的方法。
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結構 分析 系統(tǒng) 存儲 Flash 嵌入式 NAND
- 上周，Intel和鎂光發(fā)表聯合聲明，正式推出采用20nm制程技術制造的NAND閃存芯片產品，并稱這款產品將于年內在IMFT屬下的工廠開始生產。不過兩家的頭名板凳還沒有坐熱，本周Sandisk和東芝組成的搭檔組合便重新奪回了NAND閃存制程技術的寶座，他們宣稱已經制造出了采用19nm制程技術的NAND閃存芯片，目前這兩家公司在日本設有一家合資芯片制造公司?！?/li>
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東芝 NAND
- 據國外媒體報道，據臺灣集邦科技 (dramexchange technology inc)周一發(fā)表的行業(yè)數據顯示，NAND閃存芯片價格在4月份的上半個月創(chuàng)7個月的新高，反應了在上個月日本發(fā)生嚴重的地震中斷了供應鏈之后其它存儲芯片價格的情況。
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NAND 閃存芯片
- 據華爾街日報(WSJ)報導指出，由英特爾(Intel)和美光(Micron)出資各半成立的快閃存儲器合資公司IM Flash，日前領先業(yè)界率先推出最新20納米制程快閃存儲器，這也使得智能型手機和平板計算機里的儲存裝置可以進一步縮小。
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Micron NAND
nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經有數 [
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