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nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)
全球第四季度NAND閃存芯片市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到48.9億美元
- 據(jù)媒體報(bào)道，根據(jù)亞洲最大芯片現(xiàn)貨市場(chǎng)的交易商集邦科技(DramexchangeTechnologyInc)提供的最新數(shù)據(jù)，2011年第四季度全球第四季度NAND閃存芯片市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到48.9億美元，環(huán)比下滑了8.6%。三星電子依然是該市場(chǎng)的龍頭，市場(chǎng)份額達(dá)到了34.6%。 集邦科技提供的數(shù)據(jù)顯示，NAND閃存出貨環(huán)比增長(zhǎng)了大約5%，而平均銷(xiāo)售價(jià)格則環(huán)比下滑了13%。集邦科技指出，雖然存儲(chǔ)卡和閃存的零售增幅依然緩慢，但是智能手機(jī)和平板電腦制造商對(duì)閃存的需求依然非常強(qiáng)勁。 集邦科技指出，三星電子
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Hynix今年資本支出將上升20% 半數(shù)投入NAND
- 外電報(bào)導(dǎo)，全球第二大內(nèi)存制造商Hynix Semiconductor Inc. 日前公布2011年第4季(10-12月)合并財(cái)報(bào)：受內(nèi)存價(jià)格下滑、PC需求趨緩的影響，凈損達(dá)2,399億韓元(2.131億美元)，遜于去年同期的純益300億韓元，已連續(xù)第2季繳出虧損成績(jī)單;營(yíng)收年減7.2%至2.55兆韓元;營(yíng)損達(dá)1,675億韓元，遜于去年同期的營(yíng)益2,940億韓元。根據(jù)彭博社調(diào)查，分析師平均預(yù)期Hynix Q4凈損將達(dá)1,617億韓元。根據(jù)Thomson Reuters調(diào)查，分析師原先預(yù)期Hynix Q4
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一種支持ISP的Flash在嵌入式設(shè)計(jì)中的應(yīng)用
- 一種支持ISP的Flash在嵌入式設(shè)計(jì)中的應(yīng)用,引言在基于VxWorks的嵌入式系統(tǒng)開(kāi)發(fā)過(guò)程中，板卡支持包BSP(Board Support Package)的開(kāi)發(fā)是非常重要而又閑難的一個(gè)環(huán)節(jié)。因?yàn)椴荒艽_定硬件系統(tǒng)是否正常丁作，而后續(xù)應(yīng)用開(kāi)發(fā)都是以此為基礎(chǔ)。在實(shí)際開(kāi)發(fā)中，為了提高開(kāi)
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NAND Flash 在MSP430嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 摘 要 本文實(shí)現(xiàn)了大容量 NAND FLASH 在MSP430嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用，闡述了NAND FLASH 的使用方法，重點(diǎn)介紹了 ...
- 關(guān)鍵字： MSP430F149 Flash Memory 低功耗系統(tǒng)
蘋(píng)果去年買(mǎi)進(jìn)了全球NAND閃存的1/4
- 根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Bernstein Research 公司分析師Toni Sacconaghi 報(bào)告指出，蘋(píng)果公司在上一季買(mǎi)了全球NAND 快閃記憶體出貨量的23% ，憑借著這么大的采購(gòu)量，蘋(píng)果拿到的成本價(jià)格可說(shuō)是出乎意料之外的低。 Sacconaghi 報(bào)告指出，蘋(píng)果產(chǎn)品在2011 年第四季消耗了容量總數(shù)高達(dá)14.5 億GB 的NAND 快閃記憶體;其中iPhone 占了其中50% ， iPad 為30% 。這么大的量，自然讓蘋(píng)果購(gòu)買(mǎi)NAND 快閃記憶體有很大的折扣，大約是每GB 價(jià)格為0.6
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東芝、爾必達(dá)再談?wù)?/a>
- 日系DRAM廠爾必達(dá)(Elpida)身陷財(cái)務(wù)風(fēng)暴，近期傳出在日本官方作媒下，正與同為日系NAND Flash大廠東芝(Toshiba)洽談?wù)鲜乱?。?duì)此東芝和爾必達(dá)高層都不予置評(píng)。 近期再度傳出爾必達(dá)與東芝高層就合并及整合密談協(xié)商，且日本政府扮演關(guān)鍵要角。內(nèi)存業(yè)者透露，東芝在發(fā)展行動(dòng)裝置上，需要與爾必達(dá)Mobile RAM結(jié)合，才能打敗美韓陣營(yíng)，雙方確實(shí)有接觸洽談?wù)鲜乱?，但東芝對(duì)于重返DRAM領(lǐng)域意愿不高，另外，日本政府亦認(rèn)為，DRAM市場(chǎng)雖萎縮，但技術(shù)必須傳承，有意促使兩大半導(dǎo)體廠整合。
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μC/OS-II在DSP Flash存儲(chǔ)器中運(yùn)行的關(guān)鍵問(wèn)題
- μC/OS-II在DSP Flash存儲(chǔ)器中運(yùn)行的關(guān)鍵問(wèn)題,引言 在作為國(guó)家863計(jì)劃子項(xiàng)目挖掘機(jī)智能化控制系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)中，出現(xiàn)了智能化挖掘機(jī)軌跡控制系統(tǒng)不按照預(yù)先設(shè)定好的軌跡運(yùn)行和嵌入式實(shí)時(shí)多任務(wù)操作系統(tǒng)mu;C／OS-Ⅱ調(diào)度紊亂等失控問(wèn)題。該智能化系統(tǒng)中采用了mu;C
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PLC在風(fēng)電控制系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 一、概述近年來(lái)隨著國(guó)家對(duì)可再生能源扶持政策的進(jìn)一步出臺(tái)，可再生能源特別是風(fēng)力發(fā)電呈現(xiàn)蓬勃發(fā)展的趨勢(shì)，國(guó)...
- 關(guān)鍵字： FLASH PLC 風(fēng)電控制
力晶將繼續(xù)擴(kuò)大NAND Flash產(chǎn)能
- 力晶在2012年起將會(huì)大幅降低標(biāo)準(zhǔn)型DRAM投片量，以最低的產(chǎn)能維持DRAM的技術(shù)發(fā)展，并于明年起全數(shù)轉(zhuǎn)入30nm 4Gb生產(chǎn)，而空出的產(chǎn)能將會(huì)以NAND FLASH填補(bǔ)，后續(xù)技術(shù)發(fā)展的重點(diǎn)也轉(zhuǎn)移到NAND 2Xnm的制程微縮。放遠(yuǎn)未來(lái)，力晶仍會(huì)保留DRAM技術(shù)，待3D-IC以及TSV的技術(shù)成熟時(shí)，將會(huì)以記憶體為中心做芯片組的整合，力圖成為大中華地區(qū)各技術(shù)領(lǐng)域最完整之晶圓廠。 隨著力晶正式宣布將產(chǎn)能逐步擴(kuò)大至Flash產(chǎn)品上，加上原先代工如LCD Driver及非標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品，希望明年標(biāo)準(zhǔn)
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回補(bǔ)庫(kù)存下滑 NAND Flash合約價(jià)格持續(xù)走低
- 根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange調(diào)查，因?yàn)殡S身碟與記憶卡市場(chǎng)銷(xiāo)售依舊此未見(jiàn)起色，而高容量產(chǎn)品也因?yàn)橹悄苄褪謾C(jī)與平板計(jì)算機(jī)銷(xiāo)售不如預(yù)期而下滑，終端產(chǎn)品銷(xiāo)售不佳導(dǎo)致供貨商回補(bǔ)庫(kù)存力道疲弱，連帶影響合約價(jià)格面臨下滑的壓力，10月下旬NAND Flash合約價(jià)將再下跌約4-8%。 展望NAND Flash后市，集邦科技認(rèn)為，雖然泰國(guó)水患造成的HDD缺貨效應(yīng)使得SSD產(chǎn)品詢(xún)問(wèn)度頓時(shí)增加，但SSD仍存在著與HHD價(jià)差大及SSD機(jī)種認(rèn)證程序尚需2-3個(gè)月等問(wèn)題，因此，預(yù)
- 關(guān)鍵字： NAND SSD
Flash編程器的FPGA實(shí)現(xiàn)
- Flash編程器的FPGA實(shí)現(xiàn),1 引言 閃速存儲(chǔ)器（FLASH Memory）以其集成度高、成本低、使用方便等許多優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于通訊設(shè)備、辦公設(shè)備、家用電器、醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域。利用其保存信息的非易失性和在線更新數(shù)據(jù)參數(shù)的特性，可將其作為具有
- 關(guān)鍵字： 實(shí)現(xiàn) FPGA 編程器 Flash
JTAG接口在線燒寫(xiě)Flash的實(shí)現(xiàn)
- JTAG接口在線燒寫(xiě)Flash的實(shí)現(xiàn),為了解決TMS320VC55X 系列DSP 系統(tǒng)程序代碼的保存問(wèn)題，設(shè)計(jì)了一種利用JTAG 接口，在線燒寫(xiě)Flash 并實(shí)現(xiàn)自舉啟動(dòng)的方法。這種在線編程的方法利用并行外部存儲(chǔ)器加載(EMIF)接口將TMS320VC5509 和Flash 芯片相連接， 通
- 關(guān)鍵字： 實(shí)現(xiàn) Flash 在線 接口 JTAG
nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫(xiě)速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]
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