- 據(jù)集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報告指出，在臺系 DRAM 廠中，南科以及華亞科在明年將有產能提升及制程轉進兩大因素，使產出可能大幅成長年增率150%。
南科除今年將12寸月產能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達6萬片，華亞科也由今年平圴月產能不及10萬片提升至滿載產能13萬片，同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉進及明年轉進42nm，預計明年南科及華亞科的DRAM產出成長率居全球之冠，以品牌銷售顆料計，南科明年將成為臺灣DRA
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南科 DRAM Flash
- NAND Flash價格經歷一段大修正后，原本對于價格談判完全不肯讓步的上游NAND Flash大廠，在面對庫存節(jié)節(jié)攀高的情況下，態(tài)度已開始松動，部分模塊廠開始回補一些庫存，不過，全球兩大NAND Flash陣營三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)則因為有蘋果(Apple)訂單的撐腰，對于價格仍是相當強硬，顯示蘋果仍是NAND Flash產業(yè)的唯一大補丸。
近期NAND Flash價格修正頗深，除了歐洲和美國市場需求不佳，尤其是返校需求完全是虛晃一招外，大陸
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三星電子 NAND Flash
- 爾必達內存公司(Elpida Memory Inc.)9月2日表示，該公司與Spansion公司(Spansion Inc.)已開發(fā)出一款新閃存芯片，擁有比現(xiàn)有芯片更為簡單的信元結構，該公司計劃于2011年開始在其日本西部的工廠批量生產該芯片。
這家日本芯片制造商表示，該公司采用了所謂的電荷擷取(charge trap)技術來開發(fā)這個4G的NAND閃存芯片，該芯片的信元結構不同于現(xiàn)有的以傳統(tǒng)浮動柵(floating gate)技術制造的NAND閃存芯片。該公司表示，這項新技術可幫助生產較目前市場
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爾必達 NAND
- 據(jù)集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報告指出，在臺系 DRAM 廠中，南科以及華亞科在明年將有產能提升及制程轉進兩大因素，使產出可能大幅成長年增率150%。
南科除今年將12寸月產能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達6萬片，華亞科也由今年平圴月產能不及10萬片提升至滿載產能13萬片，同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉進及明年轉進42nm，預計明年南科及華亞科的DRAM產出成長率居全球之冠，以品牌銷售顆料計，南科明年將成為臺灣DRA
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南科 DRAM Flash
- 根據(jù)集邦科技 (TRENDFORCE)旗下研究部門DRAMeXchange最新研究報告指出，臺系DRAM廠中，南科以及華亞科在明年將有產能提升及制程轉進兩大因素，使產出可能大幅成長年增率150%。南科除今年將12吋月產能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達6萬片，華亞科也由今年平圴月產能不及10萬片提升至滿載產能13萬片，同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉進及明年轉進42nm，預計明年南科及華亞科的DRAM產出成長率居全球之冠，以品牌銷售顆料計，南科明年將成為臺灣DRAM廠之冠。
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南科 DRAM Flash
- 市場研究公司IC Insights日前預計，三星的芯片銷售額或將在2014年超越英特爾。
基于廣泛的芯片產品及擴張計劃，三星的芯片營收將很快超過英特爾，成為第一大芯片廠商。IC Insights認為，在5到10年前，三星芯片營收將趕超英特爾的想法簡直就是天方夜譚，但從1999年到2009年，三星IC營收以13.5%年復合 增長率(compound annual growth rate)的速度增長，而英特爾同期的年復合增長率僅為3.4%?；诖嗽鲩L速率，IC Insights預計，三星的芯片銷售額
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三星芯片 DRAM NAND
- Intel與鎂光公司已經成功生產出基于25nm制程技術的3位元型NAND閃存芯片產品，目前他們已經將有關的產品樣品送往部分客戶手中進行評估，預計這款NAND閃存芯片將于今年年底前開始量產。這款25nm NAND閃存芯片的存儲密度為64Gb，為三位元型閃存。
這款閃存芯片是由Intel與鎂光合資的IM Flash公司研制，芯片采用了3位元(TLC)型設計，一個存儲單元可存儲3位數(shù)據(jù)，比一般的單位元(SLC)/雙位元(MLC)閃存的存儲量更大。
這款產品的面積要比現(xiàn)有Intel與鎂光公司推
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Intel 25nm NAND
- 據(jù)國外媒體報道，英特爾和Micron已經開始發(fā)布下一代25納米NAND存儲芯片，為達到最高效率，該芯片使用了三層存儲單元技術。
首款8GB和64GB芯片正在向選定的客戶發(fā)售，用于SD卡存儲設備。該芯片在每個存儲單元中保存三位信息，而非像傳統(tǒng)芯片那樣保存一到兩位信息，英特爾宣稱，這種芯片是目前市場上最有效率的。
英特爾副總裁及NAND開發(fā)組主管Tom Rampone聲稱25納米已經是業(yè)界最小的尺寸，在開發(fā)完成25納米程度的三層存儲單元之后，公司還將繼續(xù)為用戶探索和發(fā)展更高級的產品。公司計劃利
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英特爾 NAND 存儲芯片
- iSuppli今天警告稱閃存價格可能崩潰性地調整到1美元/GB，這是因為用于閃存產品的NAND記憶體價格今年開始沖高回落，并且技術的演變讓內存單元的價位開始雪崩。
由于下降的價格，目前看上去過于昂貴的SSD將在兩年時間內開始成為主流，而成本低得多的硬盤處理器則開始在高端市場被SSD擠占。
此外，快閃記憶體價格的總體下降對于各種手持設備是一個極大的利好消息，各種手機、智能本廠商將會帶來更加豐厚的利潤空間，乃至最后降低產品售價。
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NAND SSD
- 英特爾和美光當?shù)貢r間周二公布了存儲密度更高的NAND閃存芯片。新型芯片不僅能減少存儲芯片所占空間，還能增加消費電子產品的存儲容量。
新NAND芯片每個存儲單元可以存儲3位信息，存儲容量高達64G位(相當于8GB)。英特爾和美光稱這是它們迄今為止尺寸最小的NAND閃存芯片。
兩家公司稱，使用NAND閃存的數(shù)碼相機和便攜式媒體播放器等產品的尺寸越來越小。新型芯片還有助于降低制造成本。
兩家公司已經向客戶發(fā)送樣品，預計將于今年底投入量產。新型NAND閃存芯片將采用 25納米工藝生產。與每單
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英特爾 NAND 閃存芯片
- 2010年NAND Flash產業(yè)真是十分慘淡的1年，好不容易熬到第3季傳統(tǒng)旺季，8月初合約價卻還是跌不停，存儲器業(yè)者表示，蘋果(Apple)、諾基亞 (Nokida)等大廠需求仍十分強勁，但零售市場買氣不振，模塊廠拿貨意愿不高，把平均合約價給拉下來，其中，三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)主要供應蘋果，走貨較順暢，但海力士(Hynix)、美光(Micron)、英特爾(Intel)等傳出庫存水位較高，但又不愿降價，與模塊廠陷入僵局。
近期大陸因為亞運因素，
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Apple NAND Flash
- 韓國海力士聲稱，在其M11的300毫米生產線上開始利用20納米技術進行64Gb的NAND閃存量產。
該公司在2月時曾報道擬進行20納米級的64Gb的NAND生產，采用現(xiàn)有的32Gb產品進行疊層封裝完成。
海力士稱它的芯片是26nm的一種，有人稱20nm級產品。三星是27nm的NAND閃存，IM Flash是25nm及Sandisk/Toshiba是24nm。
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海力士 20納米 NAND
- 根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門DRAMeXchange的調查，今年第二季營收在DRAM合約價格穩(wěn)定上揚及產出持續(xù)增加下，全球DRAM產業(yè)第二季營收數(shù)字達107億美元(10.70 Billion USD)，較首季的93億美元(9.29 Billion USD)，成長約15%。在 NAND Flash 部分，品牌廠商第二季整體營收為47億7,600萬美元，較首季43億6,300萬美元成長約9.5%。
三星第二季營收仍居全球DRAM廠之冠
從市場面觀察，由于第二季 DRAM 合
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DRAM NAND
- 南韓內存廠商Hynix公司日前宣布已開始量產20nm制程級別64Gb NAND閃存芯片，這款芯片是在公司位于Cheong-ju的300mm M11工廠生產的。Hynix公司表示，升級為2xnm制程節(jié)點后，芯片的生產率相比3xnm制程提升了60%，芯片的成本也有所降低，智能手機，SSD 硬盤等的NAND閃存容量則將大有增長。
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Hynix Cheong-ju M11工廠
Hynix公司稱首款基于2xnm制程的NAND閃存芯片產品將于今年年底上市銷售。Hynix公司雖然不是I
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Hynix NAND 20nm
- 采用外接Flash存儲器件對SOPC系統(tǒng)開發(fā)的實現(xiàn),1 Flash在SOPC中的作用 Flash在SOPC中的作用主要表現(xiàn)在兩方面：一方面，可用Flash來保存FPGA的配置文件，從而可以省去EPCS芯片或解決EPCS芯片容量不夠的問題。當系統(tǒng)上電后，從Flash中讀取配置文件，對FPGA進行配置。
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系統(tǒng) 開發(fā) 實現(xiàn) SOPC 器件 Flash 存儲 采用
nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經有數(shù) [
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