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	nand flash
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          預計明年NAND閃存銷售量漲價跌
          
                                                            
            
                    	
          • 　　集邦科技發(fā)布近日報告稱，明年全球閃存芯片銷售額將達到215億美元，同比上漲16%，但是其平均價格將同比下降35%。
　　集邦科技稱，新款智能機、平板機的發(fā)布以及春節(jié)期間的采購將緩解明年一季度閃存市場受到的季節(jié)性銷售因素影響。到二季度時，閃存市場的供需就會更加平衡，價格下降幅度不會太大。
　　
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          • 關(guān)鍵字：
                        NAND  20nm                          
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          Flash越來越受到支持
          
                                                            
            
                    	
          • 　　根據(jù)Ovum的分析，對於Apple是否要扭轉(zhuǎn)他對Adobe Flash的禁令，Apple將面臨越來越大的壓力，因為越來越多智慧型手機平臺支援這項技術(shù)。
　　
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          • 關(guān)鍵字：
                        Apple  Flash                          
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          基于CAN總線的大容量漢字火災樓層顯示器設計
          
                                                            
                    
          
                
          
                                
          
                    
          全球IC市場喜憂參半
          
                                                            
            
                    	
          • 　　根據(jù)VLSIResearch發(fā)布的報告，該公司預測2010年度全球IC市場將成長32%，2011年度將成長8%;2010年度設備市場將成長103%，2011年度將成長10.6%。該公司認為目前的全球IC市場呈現(xiàn)出一些正面與負面的跡象;　
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          • 關(guān)鍵字：
                        IC  NAND                          
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          用于SD卡的NAND flash控制芯片的設計
          
                                                            
            
                    	
          • 　　O 引言　　Flash是一種非易失存儲器，它在掉電條件下仍然能夠長期保持數(shù)據(jù)。由于它具有容量大、速度快、功耗低、抗震性能好等優(yōu)點，近幾年在U盤、SD卡、SSD硬盤等各種移動存儲設備中得到了廣泛的應用。本文給出了
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          • 關(guān)鍵字：
                        芯片  設計  控制  flash  SD  NAND  用于                          
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          未來幾年NAND閃存將面臨過剩隱憂
          
                                                            
            
                    	
          • 　　據(jù)iSuppli公司，由于智能手機以及平板電腦的使用量增加，2010年全球NAND閃存營業(yè)收入將達到最高紀錄。
　　預計2010年NAND閃存營業(yè)收入將達到187億美元，比去年的135億美元勁增38%，部分利益于智能手機和蘋果iPad等消費電子產(chǎn)品的使用量增加。由于今年下半年和明年供需雙雙增長，2011年NAND閃存市場將繼續(xù)增長，盡管不及今年強勁。iSuppli公司的數(shù)據(jù)顯示，預計明年NAND閃存市場上升25%至225億美元。
　　
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          • 關(guān)鍵字：
                        NAND  智能手機                          
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          2011年全球DRAM經(jīng)營慘淡
          
                                                            
            
                    	
          • 　　2010年對于全球半導體產(chǎn)業(yè)而言，可說是值得紀念的一年，拓墣產(chǎn)業(yè)研究所研究員陳蘭蘭表示，2010年全球半導體產(chǎn)業(yè)年成長率將高達30%，創(chuàng)下10年以來新高紀錄。然而，受到PC產(chǎn)業(yè)成長趨緩影響，2011年全球半導體產(chǎn)業(yè)僅將成長5%，移動通訊產(chǎn)品反成為支撐整體產(chǎn)業(yè)成長的重要動能。預估2011年移動通訊用產(chǎn)品占總體半導體比重將從2010年的26%提升至30%，Mobile DRAM和NAND Flash的重要性，也將隨著智能手機等移動通訊產(chǎn)品興起而與日俱增。
　　
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          • 關(guān)鍵字：
                        SAMSUNG  DRAM  NAND                          
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          NAND Flash的壞塊管理設計
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • NAND Flash的壞塊管理設計,摘要：主要介紹了基于嵌入式Linux的NAND Flash壞塊管理設計和實現(xiàn)方案，詳細闡述了壞塊映射表的建立、維護及其相關(guān)算法，同時分析了此壞塊算法在Linux內(nèi)核及Bootloader中的具體應用。測試結(jié)果表明該算法能夠處理NAND
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          • 關(guān)鍵字：
                        設計  管理  Flash  NAND                          
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          NAND Flash管理算法的設計及實現(xiàn)
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 給出了一款基于8051的高性能、低成本的NAND flash控制芯片的設計方法，文中集中研究了其中的軟件部分，探討了管理flash物理塊的算法，提出了塊級和頁級兩級地址映射機制以及映射信息在flash的存儲定義，同時還提出了對flash的分區(qū)方法。
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          • 關(guān)鍵字：
                        設計  實現(xiàn)  算法  管理  Flash  NAND                          
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          DRAM市場價格持續(xù)下跌
          
                                                            
            
                    	
          • 　　隨著DRAM和NANDFlash市場價格持續(xù)崩跌，不僅上游DRAM廠營收紛呈現(xiàn)大幅衰退情況，下游存儲器模塊廠亦受到牽累，10月營收亦持續(xù)下滑，其中，威剛10月營收較9月減少達17.1%。威剛表示，預期11月營收將因為產(chǎn)業(yè)景氣進入淡季，而持續(xù)呈現(xiàn)衰退景況，公司因應策略是致力降低庫存水位，將庫存維持在約3~4周水平。
　　
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          • 關(guān)鍵字：
                        DRAM  NAND                          
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          DRAM市場價格持續(xù)下跌
          
                                                            
            
                    	
          • 　　隨著DRAM和NANDFlash市場價格持續(xù)崩跌，不僅上游DRAM廠營收紛呈現(xiàn)大幅衰退情況，下游存儲器模塊廠亦受到牽累，10月營收亦持續(xù)下滑，其中，威剛10月營收較9月減少達17.1%。威剛表示，預期11月營收將因為產(chǎn)業(yè)景氣進入淡季，而持續(xù)呈現(xiàn)衰退景況，公司因應策略是致力降低庫存水位，將庫存維持在約3~4周水平。
　　
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          • 關(guān)鍵字：
                        三星  DRAM  NAND                          
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          3C大廠合力推動UFS實現(xiàn)NAND應用接口標準統(tǒng)一
          
                                                            
            
                    	
          • 　　集邦科技旗下研究機構(gòu) DRAMeXchange 指出，JEDEC Task group 中的一些主要成員如：三星 (Samsung)、諾基亞(Nokia)、美光(Micron)、高通(Qualcomm)、英特爾(Intel)、東芝(Toshiba)、晟碟(SanDisk)、德州儀器(TI)、意法半導體(ST)等國際大廠，近期正在積極推動新的 NAND Flash 應用接口標準 UFS (universal Flash storage)的規(guī)格制定事宜。
　
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          • 關(guān)鍵字：
                        三星  NAND  UFS                          
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          三星半導體16產(chǎn)線將轉(zhuǎn)產(chǎn)閃存
          
                                                            
            
                    	
          • 　　三星電子(SamsungElectronics)投入總金額12兆韓元(約108.36億美元)于京畿道華城市增設的半導體廠，決定將先提供閃存(NANDFlash)量產(chǎn)使用。據(jù)南韓電子新聞報導，三星預計于2011年初完工的半導體華城廠16產(chǎn)線，將于2011年下半開始優(yōu)先量產(chǎn)閃存。
　　
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          • 關(guān)鍵字：
                        三星半導體  NAND                          
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          MCU內(nèi)嵌Flash內(nèi)存成趨勢 
          
                                                            
            
                    	
          • 　　因應MCU成長快速及程序數(shù)據(jù)儲存需要，MCU內(nèi)嵌Flash內(nèi)存設計成為主流趨勢，MCU大廠也紛紛以購并或結(jié)盟掌握內(nèi)嵌Flash的相關(guān)IP與制程技術(shù)。本文將探討內(nèi)嵌FlashIP制程技術(shù)，為下一代FlashMCU帶來的技術(shù)變革。
　　
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          • 關(guān)鍵字：
                        MCU  Flash                          
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          nand flash介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù)		      	[ 查看詳細 ]
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		            
        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
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