nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)
Hynix新NAND快閃記憶體制造廠在清州投產(chǎn)
- 據(jù)國外媒體報(bào)道，全球第二大電腦記憶體晶片制造商Hynix周四表示，其在韓國建成的新NAND快閃記憶體制造工廠正式投產(chǎn)。 據(jù)國外媒體報(bào)道，Hynix表示，該新廠位于清州，月產(chǎn)量可達(dá)到30萬件，并有望于在數(shù)月后提高到50萬件。 Hynix在清州還建有另外兩個(gè)芯片制造廠，目前正在運(yùn)作當(dāng)中。 Hynix的首席執(zhí)行官Kim Jong-gap表示，公司計(jì)劃加強(qiáng)產(chǎn)品在價(jià)格方面的競爭力，并在接下來的研發(fā)道路中保持高水準(zhǔn)的投資。
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臺灣工研院建固態(tài)硬盤認(rèn)證平臺
- 固態(tài)硬盤(SSD)借低價(jià)電腦熱潮迅速興起，英特爾、三星等國際大廠結(jié)合NAND閃存芯片制造和技術(shù)優(yōu)勢走在前列，臺系陣營為了急起直追，由當(dāng)?shù)毓I(yè)情報(bào)機(jī)構(gòu)工研院、測試廠百佳泰和臺廠合力發(fā)起的“SSD聯(lián)盟”(SSD Alliance)合作建立了一套測試認(rèn)證平臺，希望藉此機(jī)會把SSD硬件測試平臺建立起來，為臺灣廠商臺廠搶占固態(tài)硬盤市場先機(jī)。 工研院電光所詹益仁表示，英特爾將推出容量高達(dá)80GB的SSD產(chǎn)品，2009年還將推出100GB產(chǎn)品，其他包括三星電子、東芝等廠商也都在積極介入
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英特爾筆記本專用SSD硬盤30天內(nèi)上市
- 英特爾NAND產(chǎn)品事業(yè)部今天發(fā)布了高性能固態(tài)驅(qū)動器(SSD)的產(chǎn)品線規(guī)劃和發(fā)布時(shí)間表。固態(tài)驅(qū)動器適用于移動與臺式機(jī)客戶端、企業(yè)級服務(wù)器、存儲設(shè)備和工作站。這一系列產(chǎn)品稱作英特爾高性能SATA固態(tài)驅(qū)動器產(chǎn)品線，是基于固態(tài)閃存的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，用于存儲計(jì)算機(jī)中的數(shù)據(jù)，可模擬并替代某些計(jì)算機(jī)中的硬盤驅(qū)動器。 與傳統(tǒng)的硬盤驅(qū)動器(HDD)和目前市場上的固態(tài)驅(qū)動器相比，英特爾的全新固態(tài)驅(qū)動器具有更重要的優(yōu)勢，包括更快速的整體系統(tǒng)響應(yīng)能力和計(jì)算機(jī)開/關(guān)啟動時(shí)間，卓越的耐用性和可靠性，更長的電池壽命和更低的企業(yè)
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NAND閃存市場價(jià)格一路下滑 降幅超10%
- 來自閃存制造業(yè)界的消息稱，預(yù)計(jì)在八月份晚期，當(dāng)前閃存芯片市場上的主流產(chǎn)品——8GB和16GB NAND閃存芯片的合同價(jià)格將雙雙下滑10%. NAND閃存芯片多用于當(dāng)前的消費(fèi)類產(chǎn)品上，包括蘋果的iPhone手機(jī)、iPod音樂播放器以及數(shù)碼相機(jī)等產(chǎn)品上。盡管每年第三季度為消費(fèi)類產(chǎn)品的傳統(tǒng)銷售旺季，但今年卻無法止住NAND閃存芯片價(jià)格下滑步伐。 三星電子以及SanDisk都對未來的NAND閃存市場持悲觀態(tài)度，由于NAND閃存價(jià)格一路下滑，從而引發(fā)他們失去對該市場信心。與此
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NAND閃存的下一個(gè)熱點(diǎn)：性能
- 利用50-40nm的工藝制程節(jié)點(diǎn)，NAND閃存密度已達(dá)到16 GB/D及超過2B/C多級單元（MLC）技術(shù)。盡管位元密度強(qiáng)勁增長，但是NAND閃存的編譯能力一直停留在10MB/S范圍內(nèi)。由于數(shù)字內(nèi)容需要的增長，公司更加重視改進(jìn)NAND閃存裝置的編譯和讀取性能，使其比特更高和性能更快，以滿足消費(fèi)者的需要。再加上存儲產(chǎn)品價(jià)格急劇下降，高比特高性能已成為各個(gè)公司努力追求的方向。 2008年國際固態(tài)電路會議的論文和2007
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三星上半年閃存產(chǎn)品銷量居全球第一
- 新華網(wǎng)首爾8月20日電 韓國三星電子公司19日宣布，公司上半年閃存產(chǎn)品銷量位列全球第一。 三星公司援引市場研究公司iSuppli日前發(fā)表的一份報(bào)告稱，今年1至6月份，三星閃存產(chǎn)品銷售額達(dá)75.1億美元，占全球閃存市場的30%。 韓國海力士半導(dǎo)體公司位列第二，全球市場份額為13%，美國米克倫技術(shù)公司和日本的爾必達(dá)內(nèi)存公司分列第三、第四位，市場份額分別為8%和7%。 三星的成功主要源自NAND閃存產(chǎn)品的暢銷，第二季度該類產(chǎn)品銷售額達(dá)14.2億美元，占當(dāng)季全球NAND閃存銷售的42.3%，
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三星上半年閃存產(chǎn)品銷量居全球第一
- 新華網(wǎng)首爾8月20日電 韓國三星電子公司19日宣布，公司上半年閃存產(chǎn)品銷量位列全球第一。 三星公司援引市場研究公司iSuppli日前發(fā)表的一份報(bào)告稱，今年1至6月份，三星閃存產(chǎn)品銷售額達(dá)75.1億美元，占全球閃存市場的30%。 韓國海力士半導(dǎo)體公司位列第二，全球市場份額為13%，美國米克倫技術(shù)公司和日本的爾必達(dá)內(nèi)存公司分列第三、第四位，市場份額分別為8%和7%。 三星的成功主要源自NAND閃存產(chǎn)品的暢銷，第二季度該類產(chǎn)品銷售額達(dá)14.2億美元，占當(dāng)季全球NAND閃存銷售的42.3%，
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TDK推出兼容U.DMA6的GBDriver RA8系列NAND閃存控制器LSI
- TDK 公司日前宣布開發(fā)出GBDriver RA8系列NAND閃存控制器LSI，該產(chǎn)品計(jì)劃于九月份開始銷售。 GBDriver RA8系列是用于U.DMA6的高速NAND控制器IC，與2K字節(jié)/頁和4K字節(jié)/頁的NAND閃存兼容。該控制器支持單級單元 （SLC） 和多級單元（MLC） NAND 閃存，實(shí)現(xiàn)了從128M字節(jié)到1 G字節(jié)（SLC） 和256M字節(jié)到32G字節(jié)（MLC）的高速閃存存儲容量，因而該控制器適用的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛。此外，該控制器具有128 針TQPF 封裝方式和121 針VF
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Hynix與Numonyx簽5年協(xié)議共同開發(fā)NAND技術(shù)
- 據(jù)國外媒體報(bào)道，近日，全球第二大電腦記憶體晶片制造商Hynix表示，已與意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics NV)和英特爾的合資公司Numonyx BV簽署了一項(xiàng)為期五年的協(xié)議，拓展其在快速增長的NAND閃存領(lǐng)域的共同開發(fā)項(xiàng)目。 據(jù)國外媒體報(bào)道，根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，兩家公司將合作擴(kuò)大NAND產(chǎn)品線，推出新產(chǎn)品和實(shí)現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新，從而應(yīng)對未來五年NAND技術(shù)所面臨的挑戰(zhàn)。 根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，Hynix和Numonyx將共同開發(fā)技術(shù)項(xiàng)目，聯(lián)合提供領(lǐng)先的NAND存儲技術(shù)和產(chǎn)品，并進(jìn)行資源整合以促
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微控制器發(fā)展、過去和將來
- 對于選擇微控制器進(jìn)行設(shè)計(jì)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)師來說，可獲得的大量的不同型號的MCU會讓選型工作變得復(fù)雜。SiliconLabs已經(jīng)發(fā)布了工作電壓低至0.9V的一款8位MCU，德州儀器有許多款針對16位MSP430的低功耗應(yīng)用，英飛凌和飛思卡爾有針對汽車應(yīng)用的多款MCU方案，而Atmel的AVR單片機(jī)和Microchip的PIC系列單片機(jī)一直在推陳出新，新的32位ARM核Cortex-M3處理器已經(jīng)發(fā)布，古老的8位8051核還是在不同微控制器中占領(lǐng)主流地位，而市場老大瑞薩可以針對多種應(yīng)用領(lǐng)域提供方案。
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單片機(jī)的FLASH引導(dǎo)裝載系統(tǒng)設(shè)計(jì)
- 前言 DSP系統(tǒng)的引導(dǎo)裝載是指在系統(tǒng)加電時(shí)，由DSP將一段存儲在外部非易失性存儲器中的代碼移植到內(nèi)部高速存儲器單元并執(zhí)行的過程。這種方式即可利用外部存儲單元擴(kuò)展DSP本身有限的ROM資源，又能充分發(fā)揮DSP內(nèi)部資源的高速效能。因此，引導(dǎo)裝載系統(tǒng)的性能直接關(guān)系到整個(gè)DSP系統(tǒng)的可靠性和處理速度，是DSP系統(tǒng)設(shè)計(jì)中必不可少的重要環(huán)節(jié)。在裝載系統(tǒng)中，外部非易失性存儲器和DSP的性能尤為重要。FLASH是一種高密度、非易失性的電可擦寫存儲器，而且單位存儲比特的價(jià)格比傳統(tǒng)EPROM要低。為此，本文介紹了T
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恒憶與海力士擴(kuò)大合作 共同推廣創(chuàng)新的NAND閃存技術(shù)與產(chǎn)品
- 恒憶（Numonyx）今天宣布與海力士半導(dǎo)體公司達(dá)成為期五年的協(xié)議，在飛速增長的NAND閃存領(lǐng)域擴(kuò)展聯(lián)合開發(fā)計(jì)劃。針對NAND技術(shù)在未來五年面臨的挑戰(zhàn)，兩家公司將擴(kuò)大NAND產(chǎn)品線并共同研發(fā)未來產(chǎn)品，進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新。 根據(jù)新協(xié)議，恒憶和海力士將擴(kuò)大聯(lián)合開發(fā)的范圍，共同提供領(lǐng)先的NAND存儲器技術(shù)和產(chǎn)品，并且整合資源以加快未來NAND技術(shù)及解決方案的開發(fā)。在應(yīng)用于手機(jī)多芯片封裝的移動DRAM領(lǐng)域，雙方也將進(jìn)行合作。 恒憶總裁兼首席執(zhí)行官Brian Harrison表示："未來五年，在
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微控制器的市場前景及發(fā)展趨勢
- 微控制器廣泛應(yīng)用于各種小型電器，隨著技術(shù)的發(fā)展，其不但價(jià)格低廉，而且功能越來越強(qiáng)大。由于家用電器、手持式消費(fèi)電子產(chǎn)品、手持式通信裝置和車用電子等領(lǐng)域的市場推動，微控制器的使用量越來越大而且表現(xiàn)出了更新?lián)Q代的趨勢。預(yù)計(jì)在未來的市場中，低階應(yīng)用將會以8位微控制器為主，而高階應(yīng)用將會由32位微控制器稱霸。當(dāng)然，也有可能沖出一個(gè)比32位微控制器更強(qiáng)大的產(chǎn)品，如果能夠控制成本，則32位微控制器將面臨很快被淘汰的命運(yùn)。不過就目前的情形來看，32位微控制器將在市場中活躍一陣子。其市場占有率將會逐漸上升，到2010年
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P89C51RD2的可定制人機(jī)交互界面設(shè)計(jì)
- 引 言 隨著社會需要和科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，產(chǎn)品的競爭愈來愈激烈，更新的周期愈來愈短，因而要求設(shè)計(jì)者能很快地設(shè)計(jì)出新產(chǎn)品；而在產(chǎn)品的整體設(shè)計(jì)中，人機(jī)交互界面的設(shè)計(jì)往往占據(jù)著很大一部分工作，這樣，不但極大地增加了產(chǎn)品的開發(fā)成本而且延長了產(chǎn)品的上市周期。本文論述的基于P89C51RD2的人機(jī)交互界面是一種界面可定制、結(jié)構(gòu)緊湊、價(jià)格低廉、簡單易用、性能優(yōu)良的通用型人機(jī)交互界面，能很好地解決上述問題。 1 系統(tǒng)工作原理 1.1 工作原理 按照實(shí)際應(yīng)用中控制系統(tǒng)的需要及控制系統(tǒng)與人機(jī)交互界面的
- 關(guān)鍵字： 單片機(jī) 人機(jī)交互界面 LCD Flash
nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]
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