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東芝明年量產(chǎn)96層3D NAND，或獨(dú)投1800億增產(chǎn)3D NAND
- 全球第 2 大 NAND 型快閃存儲(chǔ)器廠東芝(Toshiba)28 日宣布，攜手 SanDisk 研發(fā)出全球首款采用堆疊 96 層制程技術(shù)的 3D NAND Flash 產(chǎn)品，且已完成試樣。該款產(chǎn)品為 256Gb(32GB)、采用 3bit/cell(TLC：Triple Level Cel)技術(shù)的產(chǎn)品，預(yù)計(jì)于 2017 年下半送樣、2018 年開(kāi)始進(jìn)行量產(chǎn)，主要用來(lái)?yè)尮?shù)據(jù)中心用 SSD、PC 用 SSD 以及智能手機(jī)、平板電腦和存儲(chǔ)卡等市場(chǎng)。 東芝今后也計(jì)劃推出采用堆疊 96 層制程技術(shù)的
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
64層堆棧是3D NAND的「甜蜜點(diǎn)」？
- 64層堆棧的3D NAND正跨越較平面NAND更具成本效益的門(mén)坎，預(yù)計(jì)將在未來(lái)18個(gè)月內(nèi)成為市場(chǎng)主流... Western Digital(WD)內(nèi)存技術(shù)執(zhí)行副總裁Siva Sivaram日前指出，64層堆棧的3D NAND正跨越較平面NAND更具成本效益的門(mén)坎。 在最近接受《EE Times》的訪問(wèn)中，Siva Sivaram將64層3D NAND定義為一種「開(kāi)創(chuàng)性技術(shù)」(seminal technology)，可望應(yīng)用于WD逾50種產(chǎn)品線。 他預(yù)計(jì)今年WD約有一半的產(chǎn)品線都將采用3D
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三星64層NAND閃存宣布量產(chǎn)
- 三星電子 15 日宣布，最新 64 層 256GB V-NAND 閃存已進(jìn)入量產(chǎn)，與此同時(shí)，三星還將擴(kuò)展包含服務(wù)器、PC 與行動(dòng)裝置的儲(chǔ)存解決方案。 64 層 V-NAND 閃存用稱為第四代 V-NAND 芯片，南韓 ITtimes.com 報(bào)導(dǎo)指出，三星為穩(wěn)固領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，打算于年底把第四代芯片占每月生產(chǎn)比重拉高至五成以上。 其實(shí)，三星今年 1 月已先為某關(guān)鍵客戶，打造第一顆內(nèi)含 64 層 V-NAND 芯片的固態(tài)硬盤(pán)(SSD)，自此之后，三星持續(xù)朝行動(dòng)與消費(fèi)型儲(chǔ)存市場(chǎng)開(kāi)發(fā)新應(yīng)用，務(wù)求與 I
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND
若拿下東芝 郭董：優(yōu)先設(shè)廠美國(guó)
- 鴻海董事長(zhǎng)郭臺(tái)銘昨(12)日證實(shí)，將籌組美、日、臺(tái)夢(mèng)幻團(tuán)隊(duì)，共同競(jìng)標(biāo)東芝半導(dǎo)體。 對(duì)日本出現(xiàn)擔(dān)心鴻海「中國(guó)因素」的評(píng)論，郭董炮火全開(kāi)，左打美系私募基金，右批日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省高層，并強(qiáng)調(diào)，鴻海如果順利得標(biāo)，海外市場(chǎng)將優(yōu)先考慮在美設(shè)內(nèi)存芯片廠。 東芝半導(dǎo)體競(jìng)標(biāo)案進(jìn)入倒數(shù)計(jì)時(shí)，預(yù)計(jì)本周公布結(jié)果。 競(jìng)標(biāo)者之一鴻海動(dòng)作不斷，郭臺(tái)銘接連接受日經(jīng)新聞、路透社專訪。 郭董強(qiáng)調(diào)，如果鴻海順利標(biāo)下東芝半導(dǎo)體事業(yè)，希望未來(lái)能在海外建立內(nèi)存工廠，地點(diǎn)將優(yōu)先考慮美國(guó)。 郭臺(tái)銘補(bǔ)充，因?yàn)槊绹?guó)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求在當(dāng)?shù)剡€沒(méi)達(dá)到，
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
NAND閃存的三種架構(gòu)：MLC、SLC、MBC
- NAND閃存的內(nèi)部架構(gòu):NAND閃存可以分為三種不同架構(gòu)，即：?jiǎn)螌訂卧猄LC 多層單元MLC多位單元MBC。其中，MBC以NROM技術(shù)為基礎(chǔ)的NAND閃存架構(gòu)，由英飛凌與Saifun合作開(kāi)發(fā)，但該項(xiàng)架構(gòu)技術(shù)并不成熟。采SLC架構(gòu)是在每個(gè)Cell中存儲(chǔ)1個(gè)bit的信息，以達(dá)到其穩(wěn)定、讀寫(xiě)速度快等特點(diǎn)，Cell可擦寫(xiě)次數(shù)為10萬(wàn)次左右。作為SLC架構(gòu)，其也有很大的缺點(diǎn)，就是面積容量相對(duì)比較小，并且由于技術(shù)限制，基本上很難再向前發(fā)展了。
- 關(guān)鍵字： MLC 閃存 NAND 英特爾
NAND Flash下季度或史上最缺貨
- NAND Flash控制芯片與模塊廠群聯(lián)董事長(zhǎng)潘健成日前估計(jì)，接下來(lái)將面臨史上最缺貨的第3季，而該公司也積極備戰(zhàn)，近日捧著5000多萬(wàn)美元現(xiàn)金，大舉吃下某大廠釋出的貨源，為下半年建立更多庫(kù)存。 群聯(lián)在去年初NAND Flash市況尚未大熱時(shí)，建立的庫(kù)存水位一度超過(guò)三億美元，后來(lái)市場(chǎng)景氣于去年第3季開(kāi)始往上，價(jià)格走升，也讓該公司因此大賺。 潘健成提到，今年大概只有5月有機(jī)會(huì)多收貨，所以該公司在前兩個(gè)禮拜以現(xiàn)金買(mǎi)了大約5000多萬(wàn)美元的額外貨源，預(yù)計(jì)可供第3季使用。 群聯(lián)在今年4月時(shí)，手
- 關(guān)鍵字： NAND
2017第一季度NAND Flash品牌廠商營(yíng)收排名
- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，第一季整體NAND Flash市況延續(xù)第四季持續(xù)受到缺貨影響，即使第一季度為傳統(tǒng)NAND Flash淡季，渠道顆粒合約價(jià)卻仍上揚(yáng)約20-25%。在智能終端設(shè)備如智能手機(jī)與平板電腦內(nèi)的行動(dòng)式存儲(chǔ)價(jià)格也呈現(xiàn)雙漲的狀況下，2017年將是NAND Flash成果豐碩的一年。 DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋表示，由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面臨微縮限制，進(jìn)而轉(zhuǎn)進(jìn)垂直堆棧制程(3D/Vertical-NAND)
- 關(guān)鍵字： NAND SK海力士
Gartner：2016年全球半導(dǎo)體收入增長(zhǎng)2.6%
- 全球領(lǐng)先的信息技術(shù)研究和顧問(wèn)公司Gartner的研究顯示，2016年全球半導(dǎo)體收入總計(jì)3,435億美元，較2015年的3,349億美元提升2.6%。在企業(yè)并購(gòu)潮的影響下，前二十五大半導(dǎo)體廠商總收入增加10.5%，表現(xiàn)遠(yuǎn)優(yōu)于整體產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)率?！ artner研究總監(jiān)James Hines表示：“2016年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)回彈。雖然其年初因受到庫(kù)存調(diào)整的影響而表現(xiàn)疲軟，但下半年需求增強(qiáng)，定價(jià)環(huán)境得到改善。助力全球半導(dǎo)體收入增長(zhǎng)的因素包括多項(xiàng)電子設(shè)備部門(mén)產(chǎn)量的增加、NAND閃存售價(jià)的上揚(yáng)及相對(duì)溫和的
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 NAND
物聯(lián)網(wǎng)風(fēng)起 我國(guó)亟需建設(shè)自主存儲(chǔ)
- “物聯(lián)網(wǎng)”是指連接到互聯(lián)網(wǎng)的傳感器，通過(guò)開(kāi)放的專用連接、自由共享數(shù)據(jù)和允許非預(yù)期應(yīng)用程序，以互聯(lián)網(wǎng)的方式行事，因此電腦可以了解周?chē)氖澜纾蔀轭愃迫祟惖纳窠?jīng)系統(tǒng) ”凱文·阿什頓說(shuō)(這個(gè)術(shù)語(yǔ)的發(fā)明者)。 在我們的上一篇文章中，我們考慮了IoT的潛力——也被稱為“一切互聯(lián)網(wǎng)” ——在接下來(lái)的十年中，將推動(dòng)NAND銷售，從而使Micron的利潤(rùn)得以增加。 本文將對(duì)體系架構(gòu)及其與內(nèi)存
- 關(guān)鍵字： 物聯(lián)網(wǎng) NAND
東芝出售半導(dǎo)體導(dǎo)致NAND短缺惡化？韓媒：三星最受惠
- 東芝(Toshiba Corp.)決定出售半導(dǎo)體事業(yè)，但競(jìng)標(biāo)者眾、過(guò)程冗長(zhǎng)，如此一來(lái)，韓國(guó)廠商反倒會(huì)成為最大受惠者? 韓聯(lián)社 24 日?qǐng)?bào)導(dǎo)，Shinhan Investment 研究員 Choi Do-yeon 發(fā)表研究報(bào)告指出，東芝的 3D NAND 快閃存儲(chǔ)器投資計(jì)劃勢(shì)必將因此延后，這會(huì)讓供給短缺更形惡化，也為三星電子(Samsung Electronics Co.)、SK 海力士(SK hynix Inc.)制造更多擴(kuò)產(chǎn)良機(jī)。 美國(guó)硬盤(pán)機(jī)制造巨擘 Western Digital(WD
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
中國(guó)必須建設(shè)自主存儲(chǔ)，為什么？
- 在即將到來(lái)的物聯(lián)網(wǎng)的世界里，NAND的應(yīng)用會(huì)非常廣泛，作用也會(huì)愈發(fā)重要，出現(xiàn)的各種裝置和新興應(yīng)用都會(huì)用到NAND。
- 關(guān)鍵字： NAND 長(zhǎng)江存儲(chǔ)
東芝是大股東的群聯(lián)董事長(zhǎng)：東芝芯片會(huì)賣(mài)給日資
- 東芝半導(dǎo)體事業(yè)各路人馬搶親，包括鴻海集團(tuán)等展現(xiàn)高度意愿，東芝是群聯(lián)大股東，對(duì)于東芝內(nèi)存出售案，但長(zhǎng)期和東芝半導(dǎo)體合作的群聯(lián)董事長(zhǎng)潘健成分析，東芝不可能被單一企業(yè)或公司買(mǎi)下。 他推斷最后結(jié)果，將會(huì)由日本境內(nèi)私募基金或現(xiàn)有股東拿下，仍會(huì)維持原有東芝控制權(quán)，再讓部分策略合作伙伴持有少數(shù)股權(quán)入股。 潘健成強(qiáng)調(diào)，東芝半導(dǎo)體和早期的爾必達(dá)破產(chǎn)不一樣，東芝半導(dǎo)體是東芝最賺錢(qián)的事業(yè)體，而且東芝的儲(chǔ)存型閃存(NAND Flash)也是日本最引以為傲的技術(shù)，引發(fā)東芝財(cái)務(wù)危機(jī)的是核電事業(yè)，因此切割半導(dǎo)體事業(yè)獨(dú)立新公司
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傳三星今年資本支出較去年增長(zhǎng)85.6%達(dá)219.5億美元
- 三星登上全球半導(dǎo)體龍頭，不惜砸重金投入研發(fā)，傳今年資本支出將大幅增加逾 10 兆韓圜。 新韓投資(Shinhan Investment Corp)日前發(fā)布報(bào)告預(yù)測(cè)，三星今年半導(dǎo)體資本支出將擴(kuò)增至 24.5 兆韓圜(約 219.5 億美元)，較 2016 年成長(zhǎng) 85.6%，且將超越 2015 年的 14.7 兆韓圜成為三星史上新高。 存儲(chǔ)器目前供不應(yīng)求，也是三星今年布局的重點(diǎn)，預(yù)料將占據(jù)資本支出的一半左右。據(jù)新韓分析師預(yù)測(cè)，光是 NAND 快閃存儲(chǔ)器，三星就將砸下 12.05 兆韓圜(約
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND
3D NAND延續(xù)摩爾定律 電容耦合效應(yīng)及可靠度仍為技術(shù)關(guān)鍵
- DIGITIMES Research觀察，2D NANDFlash制程在物理限制下難度加劇，透過(guò)3DNAND Flash制程，無(wú)論是效能及儲(chǔ)存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可謂為摩爾定律在半導(dǎo)體內(nèi)存領(lǐng)域延伸的一項(xiàng)重要技術(shù)。 3D NAND Flash依存儲(chǔ)元件儲(chǔ)存機(jī)制可分浮動(dòng)閘極(Floating Gate;FG)及電荷缺陷儲(chǔ)存(Charge Trap;CT);依不同堆棧結(jié)構(gòu)技術(shù)又可分為BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG
- 關(guān)鍵字： 摩爾定律 3D NAND
nand介紹
一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR.
簡(jiǎn)單的來(lái)說(shuō)，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達(dá)二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲(chǔ)存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。
NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫(xiě)速度也有很 [ 查看詳細(xì) ]
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