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          三星3D垂直NAND閃存量產(chǎn) SSD容量可輕松提升

          • 韓國(guó)三星公司剛剛宣布旗下的最新一代采用3D垂直閃存(V-NAND)的固態(tài)硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器已經(jīng)開(kāi)始進(jìn)行量產(chǎn)。最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲(chǔ)芯片相比,具有包
          • 關(guān)鍵字: 3D垂直閃存  V-NAND  固態(tài)硬盤(pán)   

          三星3D V-NAND固態(tài)盤(pán)加速企業(yè)閃存進(jìn)化

          • 三星最新的產(chǎn)品是一種面向企業(yè)級(jí)應(yīng)用、高可靠的固態(tài)盤(pán)存儲(chǔ)--V-NAND固態(tài)盤(pán)。最新用于固態(tài)盤(pán)V-NAND技術(shù)帶來(lái)性能上的提升,節(jié)省電力消耗,并提高了急需
          • 關(guān)鍵字: 三星  V-NAND  3D  固態(tài)盤(pán)   

          SSD容量突破關(guān)鍵:3D存儲(chǔ)芯片大揭秘

          • 現(xiàn)在每一個(gè)閃存廠家都在向3D NAND技術(shù)發(fā)展,我們之前也報(bào)道過(guò)Intel 3D NAND的一些信息。5月14日,Intel Richmax舉辦了一場(chǎng)技術(shù)講解會(huì)3D Nand Technical Workshop,I
          • 關(guān)鍵字: 3D NAND  SSD  存儲(chǔ)技術(shù)  

          IC Insights:NAND與DRAM朝3D發(fā)展

          • 隨著DRAM和NAND技術(shù)持續(xù)邁向更先進(jìn)幾何制程與多層次存儲(chǔ)器的道路,IC Insights密切觀察有關(guān)DRAM和NAND供應(yīng)商的最新動(dòng)態(tài),期望能提供更清楚的DRAM/NAND發(fā)展
          • 關(guān)鍵字: NAND  DRAM   

          NAND flash和NOR flash的區(qū)別詳解

          • 我們使用的智能手機(jī)除了有一個(gè)可用的空間(如蘋(píng)果8G、16G等),還有一個(gè)RAM容量,很多人都不是很清楚,為什么需要二個(gè)這樣的芯片做存儲(chǔ)呢,這就是我
          • 關(guān)鍵字: NOR flash  Nand flash  FlaSh  

          NAND Flash合約價(jià) 恐一路跌到年底

          • 市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示,第4季各項(xiàng)NAND Flash終端需求確立旺季不旺,加上廠商庫(kù)存水位依舊偏高,采購(gòu)意愿薄弱,
          • 關(guān)鍵字: NAND  Flash   

          美光:始終專注企業(yè)級(jí)閃存 觀望3D NAND

          • 在全球第二大DRAM芯片制造商的密切關(guān)注之下,2D或者說(shuō)平面NAND仍將在3D技術(shù)普及之前繼續(xù)統(tǒng)治存儲(chǔ)領(lǐng)域。作為佐證,美光(Micron)公司有意將這套已出現(xiàn)兩
          • 關(guān)鍵字: 美光  企業(yè)級(jí)閃存  NAND   

          如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過(guò)程位反轉(zhuǎn)

          • 如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過(guò)程位反轉(zhuǎn),關(guān)于使用燒錄器燒錄Nand Flash,一直都是很多用戶頭疼的難點(diǎn),他們強(qiáng)調(diào)已經(jīng)使用了正確的壞塊管理方案,也制定了規(guī)范的操作流程,但是燒錄的良品率還是無(wú)法提高,只能每天眼睜睜看著一盤(pán)盤(pán)“廢品”被燒錄器篩選出來(lái)!
          • 關(guān)鍵字: 燒錄  SmartPRO 6000  Nand Flash  

          3D NAND競(jìng)爭(zhēng)火熱 三星成市場(chǎng)最大贏家

          • 最近隨著SSD采用3D NAND Flash出貨比重越來(lái)越高,許多半導(dǎo)體廠商也開(kāi)始吹起了3D NAND Flash投資熱潮。其中,又以三星電子率先在這場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中獲益最多,取得領(lǐng)先地位。
          • 關(guān)鍵字: 3D NAND  三星  

          3D NAND Flash成產(chǎn)業(yè)發(fā)展突破口

          •   存儲(chǔ)器作為四大通用芯片之一,發(fā)展存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)的意義不言而喻。對(duì)電子產(chǎn)品而言,存儲(chǔ)芯片就像糧食一樣不可或缺。它與數(shù)據(jù)相伴而生,哪里有數(shù)據(jù),哪里就會(huì)需要存儲(chǔ)芯片。而且隨著大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)與信息安全等亦息息相關(guān)。   當(dāng)前,我國(guó)筆記本、智能手機(jī)出貨量均居全球首位。華為、聯(lián)想等廠商崛起,以及阿里巴巴、騰訊、百度等互聯(lián)網(wǎng)廠商帶動(dòng)數(shù)據(jù)中心爆發(fā),使得國(guó)產(chǎn)廠商對(duì)存儲(chǔ)需求量巨大。   相關(guān)數(shù)據(jù)顯示,2015年大陸DRAM采購(gòu)規(guī)模估計(jì)為120億美元、NAND Flash采購(gòu)規(guī)模為66.7億美元
          • 關(guān)鍵字: 3D NAND  DRAM  

          美光移動(dòng)裝置3D NAND解決方案 瞄準(zhǔn)中高階手機(jī)市場(chǎng)

          •   美光(Micron)3D NAND固態(tài)硬碟(SSD)產(chǎn)品方才正式面市,緊接又宣布將推出首款針對(duì)移動(dòng)裝置最佳化的3D NAND產(chǎn)品,這也是美光首款支援通用快閃儲(chǔ)存(Universal Flash Storage;UFS)標(biāo)準(zhǔn)之產(chǎn)品。   美光移動(dòng)事業(yè)行銷(xiāo)副總Gino Skulick在接受EE Times專訪表示,美光為移動(dòng)裝置所推出的首款3D NAND為32GB產(chǎn)品,鎖定中、高階智能型手機(jī)市場(chǎng),此區(qū)塊市場(chǎng)占全球智能型手機(jī)總數(shù)的50%。   而這也是業(yè)界首款采用浮動(dòng)閘極(Floating Gate)技
          • 關(guān)鍵字: 美光  3D NAND  

          機(jī)器學(xué)習(xí)或能為延長(zhǎng)NAND壽命提供解決方案

          •   NAND在今日儲(chǔ)存市場(chǎng)中占有一席之地,而為了延長(zhǎng)NAND的使用壽命,近來(lái)有研究提出,透過(guò)機(jī)器學(xué)習(xí)(Machine Learning)的應(yīng)用,可讓NAND的儲(chǔ)存容量、耐久性以及資料保存達(dá)到最佳化。   InformationWeek網(wǎng)站報(bào)導(dǎo),近期數(shù)位資料儲(chǔ)存顧問(wèn)機(jī)構(gòu)Coughlin Associates于快閃存儲(chǔ)器高峰會(huì)(Flash Memory Summit)揭露了一篇論文指出,NAND因重覆讀寫(xiě)而使儲(chǔ)存單元劣化、致使耐用度降低的情況,將可望因機(jī)器學(xué)習(xí)的應(yīng)用而改善,使其生命周期延長(zhǎng)。   一般來(lái)說(shuō)
          • 關(guān)鍵字: NAND  SSD  

          中國(guó)NAND閃存市場(chǎng)占全球1/3

          •   相對(duì)于舊式 HDD 硬盤(pán)的式微,NAND 閃存及 SSD 固態(tài)硬盤(pán)的發(fā)展就成了儲(chǔ)存市場(chǎng)的潮流風(fēng)向。不論是在移動(dòng)設(shè)備、個(gè)人電腦、或是數(shù)據(jù)中心等市場(chǎng)上都在快速成長(zhǎng)。而目前因?yàn)橹袊?guó)已經(jīng)成為 NAND 閃存的最大市場(chǎng),而 SSD 固態(tài)硬盤(pán)也是成長(zhǎng)最快的市場(chǎng)。因此,也吸引了各家中國(guó)本土廠商的競(jìng)相投入。   在NAND 閃存的市場(chǎng)部分,根據(jù) TrendForce 旗下的 DRAMeXchange 的最新研究報(bào)告顯示,中國(guó)市場(chǎng)消耗的 NAND 閃存越來(lái)越多,2017 年將占到全球市占率的 30% ,而到了 202
          • 關(guān)鍵字: NAND  SSD   

          3D NAND風(fēng)暴來(lái)襲,中國(guó)存儲(chǔ)器廠商如何接招?

          • 中國(guó)正在下大力度推進(jìn)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,3D NAND被認(rèn)為是一個(gè)有利的突破口。
          • 關(guān)鍵字: 3D NAND  存儲(chǔ)器  

          儲(chǔ)存技術(shù)不斷演進(jìn) NAND Flash僅是開(kāi)端

          •   在進(jìn)展緩慢的儲(chǔ)存技術(shù)世界里,NAND Flash的普及速度算是極快,幾乎每種儲(chǔ)存產(chǎn)品都有其足跡,最主要原因就是速度。據(jù)TechTarget報(bào)導(dǎo),NAND Flash剛推出時(shí)是市場(chǎng)上最昂貴的儲(chǔ)存裝置,后來(lái)供應(yīng)商發(fā)現(xiàn)只要加入相對(duì)小量的快閃存儲(chǔ)器,便可以大幅提升效能以快閃存儲(chǔ)器技術(shù)為基礎(chǔ)的儲(chǔ)存裝置也開(kāi)始大受歡迎。   由美光(Micro)和英特爾(Intel)合作開(kāi)發(fā)的3D XPoint技術(shù),以及IBM根據(jù)相變化存儲(chǔ)器(Phase Change Memory)修正后開(kāi)發(fā)的新型態(tài)儲(chǔ)存裝置,在速度、耐用性和重
          • 關(guān)鍵字: NAND  SSD  
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          nand介紹

          一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格,一是NAND,一是NOR. 簡(jiǎn)單的來(lái)說(shuō),NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟,以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)為主,又稱為Data Flash,晶片容量大,目前主流容量已達(dá)二Gb;NOR規(guī)格記憶體則類(lèi)似DRAM,以儲(chǔ)存程序代碼為主,又稱為Co deFlash,所以可讓微處理器直接讀取,但晶片容量較低,主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同,讀寫(xiě)速度也有很 [ 查看詳細(xì) ]

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