nand 文章 進(jìn)入nand技術(shù)社區(qū)
群聯(lián)3月營收年增73%，創(chuàng)歷史單月新高紀(jì)錄
- 近日，存儲廠商群聯(lián)公布了2024年3月份營運結(jié)果，合并營收為新臺幣67.75億元，年成長達(dá)73%，刷新歷史單月營收新高紀(jì)錄。全年度營收累計至3月份達(dá)新臺幣165.26億元，年成長達(dá)64%，為歷史同期次高。群聯(lián)表示，2024年3月份SSD控制芯片總累計總出貨量年成長達(dá)96%，其中PCIe SSD控制芯片總出貨量年增率達(dá)176%，刷新歷史單月新高。此外，全年度累計至3月份之整體NAND閃存位元數(shù)總出貨量的年成長率（Bit Growth Rate）也達(dá)80%，刷新歷史同期新高，顯示整體市場需求持續(xù)緩步回升趨勢不
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3D NAND，1000層競爭加速
- 據(jù)國外媒體Xtech Nikkei報道，日本存儲芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術(shù)官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學(xué)的應(yīng)用物理學(xué)會春季會議上宣布，該公司計劃到2031年批量生產(chǎn)超過1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產(chǎn)品中，NAND閃存應(yīng)用幾乎無處不在。而隨著云計算、大數(shù)據(jù)以及AI人工智能的發(fā)展，以SSD為代表的大容量存儲產(chǎn)品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場的青睞。自三星2013年設(shè)計出垂直堆疊單元技術(shù)后，NAND廠商之間的競爭便主要集中在芯
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3D NAND，1000層競爭加速！
- 據(jù)國外媒體Xtech Nikkei報道，日本存儲芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術(shù)官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學(xué)的應(yīng)用物理學(xué)會春季會議上宣布，該公司計劃到2031年批量生產(chǎn)超過1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產(chǎn)品中，NAND閃存應(yīng)用幾乎無處不在。而隨著云計算、大數(shù)據(jù)以及AI人工智能的發(fā)展，以SSD為代表的大容量存儲產(chǎn)品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場的青睞。自三星2013年設(shè)計出垂直堆疊單元技術(shù)后，NAND廠商之間的競爭便主要集中在芯
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第二季NAND Flash合約價季漲13~18%，Enterprise SSD漲幅最高
- TrendForce集邦咨詢表示，除了鎧俠（Kioxia）和西部數(shù)據(jù)（WDC）自今年第一季起提升產(chǎn)能利用率外，其它供應(yīng)商大致維持低投產(chǎn)策略。盡管第二季NAND Flash采購量較第一季小幅下滑，但整體市場氛圍持續(xù)受供應(yīng)商庫存降低，以及減產(chǎn)效應(yīng)影響，預(yù)估第二季NAND Flash合約價將強勢上漲約13~18%。eMMC方面，中國智能手機品牌為此波eMMC最大需求來源，由于部分供應(yīng)商已降低供應(yīng)此類別產(chǎn)品，中國模組廠出貨大幅提升。買方為了滿足生產(chǎn)需求開始擴大采用模組廠方案，助益中國模組廠技術(shù)進(jìn)一步升級及
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西部數(shù)據(jù)NAND Flash業(yè)務(wù)拆分最新進(jìn)展，新任CEO揭曉
- 月5日，西部數(shù)據(jù)宣布，在NAND Flash業(yè)務(wù)拆分后，將保留原名，專注經(jīng)營核心HDD業(yè)務(wù)，并表示這一分拆過程有望在2024年下半年完成。與此同時，將為即將分拆的閃存和傳統(tǒng)硬盤業(yè)務(wù)任命CEO。西部數(shù)據(jù)稱，現(xiàn)任西部數(shù)據(jù)全球運營執(zhí)行副總裁 Irving Tan 將出任剩下的獨立 HDD公司的CEO，繼續(xù)以西部數(shù)據(jù)的身份運營。現(xiàn)任CEO David Goeckeler則受命轉(zhuǎn)往NAND Flash部門成立的新公司，出任新公司執(zhí)行長。圖片來源：西部數(shù)據(jù)西部數(shù)據(jù)與鎧俠合并進(jìn)展如何？據(jù)悉，自2021年以來，西部數(shù)據(jù)及
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2023Q4 NAND 閃存行業(yè)產(chǎn)值環(huán)比增長 24.5%：三星增長 44.8% 居首位
- IT之家 3 月 6 日消息，集邦咨詢近日發(fā)布市場研究報告，表示 2023 年第 4 季度 NAND 閃存產(chǎn)值 114.9 億美元，環(huán)比增長 24.5%，2024 年第 1 季度 NAND 產(chǎn)值將繼續(xù)保持上漲，預(yù)估環(huán)比會繼續(xù)增長兩成。三星第四季營收以三星（Samsung）增長幅度最高，主要是服務(wù)器、筆記本電腦與智能手機需求均大幅增長。三星該季度出貨量環(huán)比增加 35%，平均銷售價格環(huán)比增加 12%，帶動營收上升至 42 億美元，環(huán)比增加 44.8%。SK 集團SK 集團（SK Group）受惠于價
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1年利潤暴跌84.9%！三星樂觀 今年業(yè)績回暖：存儲漲價是開始
- 2月1日消息，存儲一哥三星2023年的日子不太好過，全年利潤暴跌84.9%，確實沒辦法，不過他們保持樂觀態(tài)度。2023年IT市場整體低迷，尤其是存儲芯片價格暴跌的背景下，三星全年營收為258.94萬億韓元，同比減少14.3%；營業(yè)利潤為6.57萬億韓元，同比下滑84.9%。按照三星的說法，2024年上半年業(yè)績會回暖，其中以存儲產(chǎn)品價格回暖最為明顯，相關(guān)SSD等產(chǎn)品漲價不會停止，只會更猛烈。NAND芯片價格止跌回升后，目前報價仍與三星、鎧俠、SK海力士、美光等供應(yīng)商達(dá)到損益兩平點有一段差距。國內(nèi)重量級NAN
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一季度 NAND Flash合約價預(yù)計上漲15%-20%
- 供應(yīng)商為了盡量減少損失，正在推高 NAND Flash 價格。
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預(yù)估2024年第一季NAND Flash合約價平均季漲幅15~20%
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，盡管適逢傳統(tǒng)淡季需求呈現(xiàn)下降趨勢，但為避免缺貨，買方持續(xù)擴大NAND Flash產(chǎn)品采購以建立安全庫存水位，而供應(yīng)商為減少虧損，對于推高價格勢在必行，預(yù)估2024年第一季NAND Flash合約價季漲幅約15~20%。值得注意的是，NAND Flash原廠為減少虧損而急拉價格漲幅，但由于短期內(nèi)漲幅過高，需求腳步卻跟不上，后續(xù)價格上漲仍需仰賴Enterprise SSD拉貨動能恢復(fù)。2024年第一季供應(yīng)商的投產(chǎn)步伐不一，隨著部份供應(yīng)商產(chǎn)能利用率提早拉升
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SSD 正迎來量價齊升
- 2023 已近尾聲，跌跌不休的存儲行情終在四季度發(fā)生逆轉(zhuǎn)，尤其以 Flash Wafer 為代表的產(chǎn)品在 9 月、10 月、11 月的價格連續(xù)上漲，站在目前的時間節(jié)點，雖然從需求端看完全改善還需時日，但在各大原廠積極減產(chǎn)的作用下，供應(yīng)已經(jīng)大幅度收緊。根據(jù) CFM 閃存市場數(shù)據(jù)，自 10 月份以來，現(xiàn)貨市場 NAND Flash 價格指數(shù)漲幅已達(dá) 40%。近日西部數(shù)據(jù)更是直接打響了 NAND 大漲價的第一槍。NAND 大漲價！近日，全球第四大 NAND Flash 供應(yīng)商西部數(shù)據(jù)對客戶發(fā)出漲價通知信。在信中
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DRAM / NAND 巨頭明年加碼半導(dǎo)體投資：三星增加 25%、SK 海力士增加 100%
- IT之家 12 月 21 日消息，根據(jù)韓媒 ETNews 報道，三星和 SK 海力士都計劃 2024 年增加半導(dǎo)體設(shè)備投資。三星計劃投資 27 萬億韓元（IT之家備注：當(dāng)前約 1482.3 億元人民幣），比 2023 年投資預(yù)算增加 25%；而 SK 海力士計劃投資 5.3 萬億韓元（當(dāng)前約 290.97 億元人民幣），比今年的投資額增長 100%。報道中指出，三星和 SK 海力士在增加半導(dǎo)體設(shè)備投資之外，還提高了 2024 年的產(chǎn)能目標(biāo)。報道稱三星將 DRAM 和 NAND
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日本東芝正式退市
- 據(jù)日媒報道，12月20日，日本東芝公司正式退市，結(jié)束其作為一家上市公司74年的歷史。今年8月起，以日本國內(nèi)基金“日本產(chǎn)業(yè)合作伙伴”（JIP）為主的財團正式開始向東芝發(fā)起總額約2萬億日元的要約收購。東芝在官網(wǎng)發(fā)布的文件中稱，該財團將從普通股東收購剩余股份，將東芝收購為全資子公司。公開資料顯示，東芝創(chuàng)立于1875年，距今已有140多年的歷史。東芝是日本制造業(yè)的代表之一，在家電、電氣、能源、基建等領(lǐng)域都有巨大影響力。此外，東芝還是日本最大的半導(dǎo)體制造商，曾發(fā)明NAND閃存芯片。
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集邦咨詢稱 2024Q1 手機 DRAM、eMMC / UFS 均價環(huán)比增長 18-23%
- IT之家 12 月 20 日消息，集邦咨詢近日發(fā)布報告，預(yù)估 2024 年第 1 季度 Mobile DRAM 及 NAND Flash（eMMC / UFS）環(huán)比增長 18-23%，而且不排除進(jìn)一步拉高的情況。集邦咨詢表示 2024 年第 1 季中國智能手機 OEM 的生產(chǎn)規(guī)劃依然穩(wěn)健，由于存儲器價格漲勢明確，帶動買方積極擴大購貨需求，以建設(shè)安全且相對低價的庫存水位。集邦咨詢認(rèn)為買賣雙方庫存降低，加上原廠減產(chǎn)效應(yīng)作用，這兩大因素促成這一波智能手機存儲器價格的強勁漲勢。集邦咨詢認(rèn)為明年第 1 季
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明年半導(dǎo)體暴增20%，哪些賽道市場回暖？
- 今年的半導(dǎo)體可謂寒風(fēng)瑟瑟，市場下滑的消息從年頭傳到年尾，半導(dǎo)體企業(yè)也疲于應(yīng)對蕭瑟的市場環(huán)境，不斷傳出減產(chǎn)、虧損的消息。熬過冬就是春，最近的半導(dǎo)體市場總算是迎來了一些好消息。IDC 最新的預(yù)測，認(rèn)為半導(dǎo)體市場已經(jīng)觸底，明年開始半導(dǎo)體將會加速恢復(fù)增長。在它的預(yù)測中，2023 年全球半導(dǎo)體市場收入從 5188 億美元上調(diào)至 5265 億美元，2024 年收入預(yù)期也從 6259 億美元上調(diào)至 6328 億美元。到明年，全球半導(dǎo)體收入將同比增長 20.2%。IDC 全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈技術(shù)情報研究經(jīng)理 Rudy Tor
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nand介紹
一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR.
簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達(dá)二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。
NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細(xì) ]
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