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晶體管分類有哪些？收藏這一張圖就夠了！

本文來(lái)自公眾號(hào)：8號(hào)線攻城獅，主要介紹了晶體管分類，并以NPN BJT為例，分析了晶體管的參數(shù)和特性。
關(guān)鍵字：晶體管 NPN PNP MOSFET JFET

IGBT和MOSFET功率模塊NTC溫度控制

溫度控制是MOSFET或IGBT功率模塊有效工作的關(guān)鍵因素之一。盡管某些MOSFET配有內(nèi)部溫度傳感器 (體二極管)，但其他方法也可以用來(lái)監(jiān)控溫度。半導(dǎo)體硅PTC熱敏電阻可以很好進(jìn)行電流控制，或鉑基或鈮基(RTD)電阻溫度檢測(cè)器可以用較低阻值，達(dá)到更高的檢測(cè)線性度。無(wú)論傳感器采用表面貼裝器件、引線鍵合裸片還是燒結(jié)裸片，NTC熱敏電阻仍是靈敏度優(yōu)異，用途廣泛的溫度傳感器。只要設(shè)計(jì)得當(dāng)，可確保模塊正確降額，并最終在過(guò)熱或外部溫度過(guò)高的情況下關(guān)斷模塊。本文以鍵合NTC裸片為重點(diǎn)，采用模擬電路仿真的方法說(shuō)明功率模
關(guān)鍵字： IGBT MOSFET

集中供電電源的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)*

用于消防控制系統(tǒng)的集中供電電源應(yīng)具備不間斷供電的特性，能夠進(jìn)行電池充電及智能顯示。本文通過(guò)半橋拓?fù)湓O(shè)計(jì)主電電路，以STM8S003F3P作為電源的控制單片機(jī)，使用繼電器控制電路實(shí)現(xiàn)主備電無(wú)縫切換，使用電池充電電路對(duì)蓄電池進(jìn)行智能充電管理，最后搭建實(shí)際電路進(jìn)行驗(yàn)證。驗(yàn)證結(jié)果表明：設(shè)計(jì)的集中供電電源輸出性能指標(biāo)較高，且能夠?qū)崿F(xiàn)不間斷供電及電池充電功能，滿足消防控制系統(tǒng)供電要求。
關(guān)鍵字：集中供電電源半橋拓?fù)?/a> 充電管理智能 202104 MOSFET IGBT

通過(guò)節(jié)省時(shí)間和成本的創(chuàng)新技術(shù)降低電源中的EMI

隨著電子系統(tǒng)變得越來(lái)越密集并且互連程度越來(lái)越高，降低電磁干擾 (EMI) 的影響日益成為一個(gè)關(guān)鍵的系統(tǒng)設(shè)計(jì)考慮因素。鑒于 EMI 可能在后期嚴(yán)重阻礙設(shè)計(jì)進(jìn)度，浪費(fèi)大量時(shí)間和資金，因此必須在設(shè)計(jì)之初就考慮 EMI 問(wèn)題。開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS) 是現(xiàn)代技術(shù)中普遍使用的電路之一，在大多數(shù)應(yīng)用中，該電路可提供比線性穩(wěn)壓器更大的效率。但這種效率提高是有代價(jià)的，因?yàn)?SMPS 中功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET) 的開(kāi)關(guān)會(huì)產(chǎn)生大量 EMI，進(jìn)而影響電路可靠性。EMI 主要來(lái)自不連續(xù)的輸入電流、開(kāi)關(guān)節(jié)
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Nexperia第二代650 V氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管使80 PLUS?鈦金級(jí)電源可在2 kW或更高功率下運(yùn)行

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開(kāi)始批量供貨。與之前的技術(shù)和競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手器件相比，新款器件具有顯著的性能優(yōu)勢(shì)。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)，特別是必須滿足80 PLUS?鈦金級(jí)效率認(rèn)證的服務(wù)器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內(nèi)的太陽(yáng)能逆變器和伺服驅(qū)動(dòng)器。全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
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安森美半導(dǎo)體高能效方案賦能機(jī)器人創(chuàng)新，助力工業(yè)自動(dòng)化升級(jí)

工業(yè)自動(dòng)化簡(jiǎn)單說(shuō)來(lái)指從人力制造轉(zhuǎn)向機(jī)器人制造，涉及信息物理系統(tǒng)(CPS)、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)/工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)(IIoT)、云計(jì)算(Cloud Computing)和人工智能(AI)等多種技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)和利潤(rùn)最大化，提高生產(chǎn)效率，并避免人力在執(zhí)行某些任務(wù)時(shí)的安全隱患。安森美半導(dǎo)體為工業(yè)自動(dòng)化提供全面的高能效創(chuàng)新的半導(dǎo)體方案。其中，機(jī)器人半導(dǎo)體方案構(gòu)建框圖如圖1所示。圖1?工業(yè)自動(dòng)化-機(jī)器人半導(dǎo)體方案構(gòu)建框圖電機(jī)控制設(shè)計(jì)人員可采用安森美半導(dǎo)體的無(wú)刷直流電機(jī)(BLDC)控制器實(shí)現(xiàn)BLDC電機(jī)控制，如高
關(guān)鍵字： MOSFET BLDC IoT IIoT

功率半導(dǎo)體－馬達(dá)變頻器內(nèi)的關(guān)鍵組件

全球有約 30% 的發(fā)電量用于驅(qū)動(dòng)工業(yè)應(yīng)用中的馬達(dá)，而全球工業(yè)產(chǎn)業(yè)消耗的能源量預(yù)期到 2040 年將成長(zhǎng)一倍。隨著對(duì)能源成本和資源有限的意識(shí)不斷提高，未來(lái)提升驅(qū)動(dòng)馬達(dá)用電效率的需求將會(huì)越來(lái)越顯著。
關(guān)鍵字： IGBT7 SiC MOSFET 馬達(dá)變頻器功率半導(dǎo)體英飛凌

功率器件和被動(dòng)元件點(diǎn)亮第97屆中國(guó)電子展，CEF下半年成都上海再相見(jiàn)

2021年4月11日，為期三天的第97屆中國(guó)電子展在深圳會(huì)展中心圓滿落幕，展會(huì)與第九屆中國(guó)電子信息博覽會(huì)（CITE2021）同期舉辦，現(xiàn)場(chǎng)有超1500家參展商參展，共發(fā)布近萬(wàn)件新產(chǎn)品、新技術(shù)，全方位、多角度展示我國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)的最新發(fā)展成果。同時(shí)，博覽會(huì)期間還舉辦了近100場(chǎng)同期活動(dòng)，吸引了超過(guò)10萬(wàn)名專業(yè)觀眾到場(chǎng)參觀，500余萬(wàn)觀眾線上觀展。據(jù)主辦方介紹，展會(huì)以“創(chuàng)新驅(qū)動(dòng) 高質(zhì)量發(fā)展”為主題，展覽展示、論壇會(huì)議和現(xiàn)場(chǎng)活動(dòng)三大板塊聯(lián)動(dòng)，三位一體，亮點(diǎn)紛呈。亮點(diǎn)一展覽：展示最新產(chǎn)品?9號(hào)館——基礎(chǔ)
關(guān)鍵字： MOSFET

碳化硅技術(shù)如何變革汽車車載充電

日趨嚴(yán)格的CO2排放標(biāo)準(zhǔn)以及不斷變化的公眾和企業(yè)意見(jiàn)在加速全球電動(dòng)汽車(EV)的發(fā)展。這為車載充電器(OBC)帶來(lái)在未來(lái)幾年巨大的增長(zhǎng)空間，根據(jù)最近的趨勢(shì)，到2024年的復(fù)合年增長(zhǎng)率(CAGR(TAM))估計(jì)將達(dá)到37.6%或更高。對(duì)于全球OBC模塊正在設(shè)計(jì)中的汽車，提高系統(tǒng)能效或定義一種高度可靠的新拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)已成為迫在眉睫的挑戰(zhàn)。用于單相輸入交流系統(tǒng)的簡(jiǎn)單功率因數(shù)校正(PFC)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)(圖1)是個(gè)傳統(tǒng)的單通道升壓轉(zhuǎn)換器。該方案包含一個(gè)用于輸入交流整流的二極管全橋和一個(gè)PFC控制器，以增加負(fù)載的功率因數(shù)，從
關(guān)鍵字： MOSFET PFC

Vishay推出全球領(lǐng)先的汽車級(jí)80 V P溝道MOSFET，以提高系統(tǒng)能效和功率密度

日前，Vishay Intertechnology, Inc. 近日推出通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證、全球先進(jìn)的p溝道80 V TrenchFET? MOSFET---SQJA81EP。新型Vishay Siliconix SQJA81EP導(dǎo)通電阻達(dá)到80 V p溝道器件優(yōu)異水平，可提高汽車應(yīng)用功率密度和能效。SQJA81EP采用歐翼引線結(jié)構(gòu)5.13 mm x 6.15 mm PowerPAK? SO-8L小型單體封裝，10 V條件下最大導(dǎo)通電阻僅為17.3 mW /典型值為14.3 mW。日前發(fā)布的汽車級(jí)M
關(guān)鍵字： MOSFET

72V 混合式 DC/DC 方案使中間總線轉(zhuǎn)換器尺寸銳減 50%

背景資訊大多數(shù)中間總線轉(zhuǎn)換器 (IBC) 使用一個(gè)體積龐大的電源變壓器來(lái)提供從輸入至輸出的隔離。另外，它們一般還需要一個(gè)用于輸出濾波的電感器。此類轉(zhuǎn)換器常用于數(shù)據(jù)通信、電信和醫(yī)療分布式電源架構(gòu)。這些 IBC 可由眾多供應(yīng)商提供，而且通?？煞胖糜跇I(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的 1/16、1/8 和 1/4 磚占板面積之內(nèi)。典型的 IBC 具有一個(gè) 48V 或 54V 的標(biāo)稱輸入電壓，并產(chǎn)生一個(gè)介于 5V 至 12V 之間的較低中間電壓以及從幾百 W 至幾 kW 的輸出功率級(jí)別。中間總線電壓用作負(fù)載點(diǎn)穩(wěn)壓器的輸入，將負(fù)責(zé)給 FP
關(guān)鍵字： MOSFET IBC

意法半導(dǎo)體發(fā)布隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，可安全控制碳化硅MOSFET

STGAP2SiCS能夠產(chǎn)生高達(dá)26V的柵極驅(qū)動(dòng)電壓，將欠壓鎖定(UVLO)閾壓提高到15.5V，滿足SiC MOSFET開(kāi)關(guān)管正常導(dǎo)通要求。如果電源電壓低引起驅(qū)動(dòng)電壓太低，UVLO保護(hù)機(jī)制將確保MOSFET處于關(guān)斷狀態(tài)，以免產(chǎn)生過(guò)多的耗散功率。這款驅(qū)動(dòng)器有雙兩個(gè)輸入引腳，讓設(shè)計(jì)人員可以定義柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)的極性。STGAP2SiCS在輸入部分和柵極驅(qū)動(dòng)輸出之間設(shè)計(jì)6kV電氣隔離，電隔離有助于確保消費(fèi)電子和工業(yè)設(shè)備的用電安全。4A吸電流/拉電流驅(qū)動(dòng)能力使其適用于高端家用電器、工業(yè)驅(qū)動(dòng)裝置、風(fēng)扇、電磁爐、電焊機(jī)
關(guān)鍵字： MOSFET UVLO

電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)：新一代功率解決方案提升能效和可靠性

1? ?電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的關(guān)鍵是可靠性和能效電機(jī)在現(xiàn)代生活中無(wú)處不在，從氣候控制、電器和商業(yè)制冷到汽車、工廠和基礎(chǔ)設(shè)施。根據(jù)國(guó)際能源署 (International Energy Agency) 的數(shù)據(jù)，電機(jī)占全球總電力消耗的45％，因此電機(jī)驅(qū)動(dòng)電子設(shè)備的可靠性和能效會(huì)對(duì)世界各地的舒適、便利和環(huán)境及各種應(yīng)用產(chǎn)生影響。工業(yè)自動(dòng)化和機(jī)器人是電機(jī)最重要的應(yīng)用之一，隨著傳統(tǒng)機(jī)器人、協(xié)作機(jī)器人和自主移動(dòng)機(jī)器人的采用，我們看到工廠和其他設(shè)施變得更加自動(dòng)化。一種提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)能效的方法是，以基于三相
關(guān)鍵字： MOSFET IPM 202103

基于LCC拓?fù)涞?相輸入300W AC-DC LED電源

近年來(lái)，諧振變換器的熱度越來(lái)越高，被廣泛用于計(jì)算機(jī)服務(wù)器、電信設(shè)備、燈具和消費(fèi)電子等各種應(yīng)用場(chǎng)景。諧振變換器可以很容易地實(shí)現(xiàn)高能效，其固有的較寬的軟開(kāi)關(guān)范圍很容易實(shí)現(xiàn)高頻開(kāi)關(guān)，這是一個(gè)關(guān)鍵的吸引人的特性。本文著重介紹一個(gè)以半橋LCC諧振變換數(shù)字控制和同步整流為特性的300W電源。圖1所示的STEVAL-LLL009V1是一個(gè)數(shù)控300W電源。原邊組件包括PFC級(jí)和DC-DC功率級(jí)(半橋LCC諧振變換器)，副邊組件包括同步整流電路和STM32F334微控制器，其中STM32F334微控制器對(duì)DC-DC功率級(jí)
關(guān)鍵字： MOSFET IC

開(kāi)關(guān)模式電源電流檢測(cè)

開(kāi)關(guān)模式電源有三種常用電流檢測(cè)方法是：使用檢測(cè)電阻，使用MOSFET RDS(ON)，以及使用電感的直流電阻(DCR)。每種方法都有優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)，選擇檢測(cè)方法時(shí)應(yīng)予以考慮。檢測(cè)電阻電流作為電流檢測(cè)元件的檢測(cè)電阻，產(chǎn)生的檢測(cè)誤差最低（通常在1%和5%之間），溫度系數(shù)也非常低，約為100 ppm/°C (0.01%)。在性能方面，它提供精度最高的電源，有助于實(shí)現(xiàn)極為精確的電源限流功能，并且在多個(gè)電源并聯(lián)時(shí)，還有利于實(shí)現(xiàn)精密均流。圖1.RSENSE電流檢測(cè)另一方面，因?yàn)殡娫丛O(shè)計(jì)中增加了電流檢測(cè)電阻，所以電阻也會(huì)產(chǎn)
關(guān)鍵字： MOSFET DCR