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東芝推出新款碳化硅MOSFET模塊，有助于提升工業(yè)設(shè)備效率和小型化
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，面向工業(yè)應(yīng)用推出一款集成最新開發(fā)的雙通道碳化硅（SiC）MOSFET芯片（具有3300V和800A特征）的模塊---“MG800FXF2YMS3”，該產(chǎn)品將于2021年5月投入量產(chǎn)。為達到175℃的通道溫度，該產(chǎn)品采用具有銀燒結(jié)內(nèi)部鍵合技術(shù)和高貼裝兼容性的iXPLV（智能柔性封裝低電壓）封裝。這款模塊可充分滿足軌道車輛和可再生能源發(fā)電系統(tǒng)等工業(yè)應(yīng)用對高效緊湊設(shè)備的需求。◆? ?應(yīng)用●? ?用于軌道車輛的逆變器和轉(zhuǎn)換
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開關(guān)模式電源電流檢測——第二部分
- 電流檢測電阻的位置連同開關(guān)穩(wěn)壓器架構(gòu)決定了要檢測的電流。檢測的電流包括峰值電感電流、谷值電感電流（連續(xù)導(dǎo)通模式下電感電流的最小值）和平均輸出電流。檢測電阻的位置會影響功率損耗、噪聲計算以及檢測電阻監(jiān)控電路看到的共模電壓。放置在降壓調(diào)節(jié)器高端對于降壓調(diào)節(jié)器，電流檢測電阻有多個位置可以放置。當放置在頂部MOSFET的高端時（如圖1所示），它會在頂部MOSFET導(dǎo)通時檢測峰值電感電流，從而可用于峰值電流模式控制電源。但是，當頂部MOSFET關(guān)斷且底部MOSFET導(dǎo)通時，它不測量電感電流。圖1 帶高端RSENSE
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Nexperia擴展LFPAK56D MOSFET產(chǎn)品系列，推出符合AEC-Q101標準的半橋封裝產(chǎn)品
- 關(guān)鍵半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今天宣布推出一系列采用節(jié)省空間的LFPAK56D封裝技術(shù)的半橋（高端和低端）汽車MOSFET。采用兩個MOSFET的半橋配置是許多汽車應(yīng)用（包括電機驅(qū)動器和DC/DC轉(zhuǎn)換器）的標準構(gòu)建模塊。這種新封裝提供了一種單器件半橋解決方案。與用于三相電機控制拓撲的雙通道MOSFET相比，由于去掉了PCB線路，其占用的PCB面積減少了30%，同時支持在生產(chǎn)過程中進行簡單的自動光學(xué)檢測(AOI)。LFPAK56D半橋產(chǎn)品采用現(xiàn)有的大批量LFPAK56D封裝工藝，并具有成熟的汽車級
- 關(guān)鍵字： Nexperia MOSFET AEC-Q101
采用 23mm x 16.5mm 封裝的 170W 倍壓器
- 設(shè)計要點 DN571 - 引言對于高電壓輸入/輸出應(yīng)用，無電感型開關(guān)電容器轉(zhuǎn)換器 (充電泵) 相比基于電感器的傳統(tǒng)降壓或升壓拓撲可顯著地改善效率和縮減解決方案尺寸。通過采用充電泵取代電感器，一個 “跨接電容器” 可用于存儲能量和把能量從輸入傳遞至輸出。電容器的能量密度遠高于電感器，因而采用充電泵可使功率密度提高 10 倍。但是，由于在啟動、保護、柵極驅(qū)動和穩(wěn)壓方面面臨挑戰(zhàn)，所以充電泵傳統(tǒng)上一直局限于低功率應(yīng)用。ADI公司的LTC7820 克服了這些問題，可實現(xiàn)高功率密度、高效率 (達 99%) 的解決方案
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在可再生能源應(yīng)用的逆變器設(shè)計中使用SPWM發(fā)生器
- 可再生能源仍然是世界范圍內(nèi)的大趨勢。隨著捕獲風(fēng)能、太陽能和其他形式的可再生能源的方法不斷發(fā)展，可再生能源系統(tǒng)的成本和效率對公司和消費者都越來越有吸引力。實際上，2016年，全球?qū)稍偕茉吹馁Y本投資跌到了多年來最低水平，但是卻創(chuàng)下了一年內(nèi)可再生能源設(shè)備安裝數(shù)量最多的記錄。在用于可再生能源系統(tǒng)的組件中，逆變器是一項尤其關(guān)鍵的系統(tǒng)組件。由于大多數(shù)可再生能源都是通過直流電（DC）產(chǎn)生的，因此逆變器在將直流電（DC）轉(zhuǎn)換為交流電（AC）以有效整合到現(xiàn)有電網(wǎng)中起著關(guān)鍵作用。在混合了不同可再生能源的混合動力系統(tǒng)和微電
- 關(guān)鍵字： PWM AC DC MOSFET SPWM
采用具有驅(qū)動器源極引腳的低電感表貼封裝的SiC MOSFET
- 引言人們普遍認為，SiC MOSFET可以實現(xiàn)非?？斓拈_關(guān)速度，有助于顯著降低電力電子領(lǐng)域功率轉(zhuǎn)換過程中的能量損耗。然而，由于傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體封裝的限制，在實際應(yīng)用中并不總是能發(fā)揮SiC元器件的全部潛力。在本文中，我們首先討論傳統(tǒng)封裝的一些局限性，然后介紹采用更好的封裝形式所帶來的好處。最后，展示對使用了圖騰柱（Totem-Pole）拓撲的3.7kW單相PFC進行封裝改進后獲得的改善效果。功率元器件傳統(tǒng)封裝形式帶來的開關(guān)性能限制TO-247N（圖1）是應(yīng)用最廣泛的功率晶體管傳統(tǒng)封裝形式之一。如圖1左側(cè)所示，
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Vishay贊助的同濟大學(xué)電動方程式車隊勇奪冠軍，支持培養(yǎng)下一代汽車設(shè)計師
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布，其贊助的同濟大學(xué)大學(xué)生電動方程式車隊---DIAN Racing首次榮獲中國大學(xué)生電動方程式汽車大賽（FSEC）總冠軍。DIAN Racing車隊由100多名成員組成，致力于提高汽車速度和能效，同時為國際清潔能源的發(fā)展做出貢獻。每年，車隊設(shè)計制造一款先進的電動賽車，參加包括FSEC在內(nèi)的國際大學(xué)生方程式汽車賽。在2020年襄陽站的角逐中，DIAN Racing車隊以設(shè)計報告和直線加速賽第一，8字繞環(huán)第二，耐久性第三的優(yōu)異成績獲得本屆比
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Vishay贊助的同濟大學(xué)電動方程式車隊勇奪冠軍，支持培養(yǎng)下一代汽車設(shè)計師
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布，其贊助的同濟大學(xué)大學(xué)生電動方程式車隊---DIAN Racing首次榮獲中國大學(xué)生電動方程式汽車大賽（FSEC）總冠軍。DIAN Racing車隊由100多名成員組成，致力于提高汽車速度和能效，同時為國際清潔能源的發(fā)展做出貢獻。每年，車隊設(shè)計制造一款先進的電動賽車，參加包括FSEC在內(nèi)的國際大學(xué)生方程式汽車賽。在2020年襄陽站的角逐中，DIAN Racing車隊以設(shè)計報告和直線加速賽第一，8字繞環(huán)第二，耐久性第三的優(yōu)異成績獲得本屆比
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GD32創(chuàng)新反電動勢采樣方案，助力高效控制BLDC電機
- 0? ?引言電機（Electric machinery，俗稱“馬達”）是指依據(jù)電磁感應(yīng)定律實現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換或傳遞的一種電磁裝置，用來產(chǎn)生驅(qū)動轉(zhuǎn)矩作為電器或各種機械的動力源。目前通常使用微控制器（MCU）對電機的啟停及轉(zhuǎn)速進行控制。本文介紹了基于兆易創(chuàng)新（GigaDevice）公司GD32 MCU 的一種創(chuàng)新型高精度反電動勢電壓采樣方案，廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、智能制造、消費電子、家用電器、交通運輸?shù)阮I(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)高效電機控制。圖1 有刷直流電機1? ?電機控制概況按照工作電源的不
- 關(guān)鍵字： MOSFET BLDC
哪些應(yīng)用和技術(shù)會成為2021的熱點
- 全球都在共同積極應(yīng)對新冠肺炎病毒(COVID-19)這個充滿挑戰(zhàn)的新環(huán)境，疫情加速了許多本來就在進行的趨勢，所有趨勢都潛藏著一個一致的主題，那就是彈性?；ヂ?lián)網(wǎng)的應(yīng)用比以前有了更大的發(fā)展和進步。有很多人在網(wǎng)上訂購生活必需品送貨上門，以盡可能保持社交距離。人們的工作、社交、教育、娛樂幾乎超出了預(yù)期，被迫學(xué)習(xí)和適應(yīng)相關(guān)的工具。幸運的是，通信和信息網(wǎng)絡(luò)的基礎(chǔ)設(shè)施已做出了令人難以置信的反應(yīng)，在增加的流量和負荷下保持了良好的狀態(tài)。網(wǎng)絡(luò)使用量的增長刺激了對這一關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施的投資力度，5G基礎(chǔ)設(shè)施加速部署，云計算數(shù)據(jù)中心
- 關(guān)鍵字： MOSFET Wi-Fi 6 202101
ROHM開發(fā)出實現(xiàn)超低導(dǎo)通電阻的第五代Pch MOSFET
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）推出非常適用于FA和機器人等工業(yè)設(shè)備以及空調(diào)等消費電子產(chǎn)品的共計24款Pch MOSFET*1/*2產(chǎn)品，其中包括支持24V輸入電壓的－40V和－60V耐壓單極型“RQxxxxxAT / RDxxxxxAT / RSxxxxxAT / RFxxxxxAT系列”和雙極型“UTxxx5 / QHxxx5 / SHxxx5系列”。本系列產(chǎn)品作為ROHM擁有豐碩市場業(yè)績的Pch MOSFET產(chǎn)品，采用了第五代新微米工藝，實現(xiàn)了業(yè)界超低的單位面積導(dǎo)通電阻*3。－40
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Nexperia推出的耐用型AEC-Q101 MOSFET提供歷經(jīng)十億個周期測試的 可靠重復(fù)雪崩性能
- 半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天發(fā)布獲得AEC-Q101認證的新重復(fù)雪崩專用FET (ASFET)產(chǎn)品組合，重點關(guān)注動力系統(tǒng)應(yīng)用。該技術(shù)已通過十億個雪崩周期測試，可用于汽車感性負載控制，例如電磁閥和執(zhí)行器。除了提供更快的關(guān)斷時間（高達4倍）外，該技術(shù)還能通過減少BOM數(shù)量簡化設(shè)計。 在汽車動力總成中的電磁閥和執(zhí)行器控制領(lǐng)域，基于MOSFET的電源方案通常圍繞著升壓、續(xù)流二極管或主動鉗位拓撲結(jié)構(gòu)進行構(gòu)建。第四個選擇是重復(fù)雪崩設(shè)計，利用MOSFET的重復(fù)雪崩能力來泄放在其關(guān)
- 關(guān)鍵字： Nexperia AEC-Q101 MOSFET
簡化汽車車身電機控制器設(shè)計，快速實現(xiàn)輕量化
- 無論是調(diào)整座椅至最佳位置還是能夠輕松打開行李箱，車身電子設(shè)備系統(tǒng)都可使用電機來提高駕乘人員的舒適性和便利性。金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）控制這些應(yīng)用的電動裝置。但將MOSFET用作開關(guān)給電子控制模塊設(shè)計（包括電磁干擾（EMI）和熱管理、電流感應(yīng)、斷電制動以及診斷與保護）帶來了新的技術(shù)性挑戰(zhàn)。德州儀器開發(fā)的集成電路（IC）電機驅(qū)動器產(chǎn)品集成了模擬功能，可幫助電子控制模塊設(shè)計人員應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，同時減小解決方案尺寸并縮短開發(fā)時間。本文中，我們將討論可幫助應(yīng)對這些設(shè)計挑戰(zhàn)、集成到電機驅(qū)動集成電路中
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照明的光明未來
- 要有（電）燈！但誰負責(zé)點亮呢？有許多人聲稱自己是電燈的發(fā)明者，在19世紀中葉的許多發(fā)展為世界變得更亮一點鋪平了道路。我們可能無法查明確切的“發(fā)現(xiàn)”！但我們知道的是，1879年，托馬斯·愛迪生（Thomas Edison）申請了第一個商業(yè)上成功的帶有碳化竹絲的電燈泡專利[[1]]。除了細絲材料的微小改進，包括20世紀初期從碳到鎢的轉(zhuǎn)變，我們從那時起直到最近基本上一直在使用愛迪生的古老技術(shù)。白熾燈泡迅速普及，提供了低成本和高質(zhì)量的照明。但在過去的一二十年中，照明技術(shù)發(fā)生了根本性的變化，在大多數(shù)住宅和商業(yè)設(shè)施中
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三安集成完成碳化硅MOSFET量產(chǎn)平臺打造，貫通碳化硅器件產(chǎn)品線
- 中國化合物半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈制造平臺 -- 三安集成于日前宣布，已經(jīng)完成碳化硅MOSFET器件量產(chǎn)平臺的打造。首發(fā)1200V 80mΩ產(chǎn)品已完成研發(fā)并通過一系列產(chǎn)品性能和可靠性測試，其可廣泛適用于光伏逆變器、開關(guān)電源、脈沖電源、高壓DC/DC、新能源充電和電機驅(qū)動等應(yīng)用領(lǐng)域，有助于減小系統(tǒng)體積，降低系統(tǒng)功耗，提升電源系統(tǒng)功率密度。目前多家客戶處于樣品測試階段。三安集成碳化硅MOSFET, Sanan IC SiC MOSFET, Sanan IC Silicon Carbide MOSFET隨著中
- 關(guān)鍵字： 三安集成 碳化硅 MOSFET
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