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          首爾半導(dǎo)體推出高亮度LED新品加速攻克照明市場

          •   今天宣布正式推出高亮度Z-Power LED Z系列新品Z7和 Z6。LED照明市場前景看好,為此,首爾半導(dǎo)體計劃將每月推出1到2款新品滿足客戶的多樣化需求。   Z-Power LEDZ7系列(4W)是采用特殊的陶瓷PCB生產(chǎn)的高亮度白光LED產(chǎn)品,提供了5500K色溫和440lm照明亮度。值得一提的是,作為可代替P7系列LED產(chǎn)品的Z7系列,以9mm x7mm x 3.2mm的超小型封裝,輕松滿足各類室內(nèi)、室外用照明產(chǎn)品的應(yīng)用需求。   與現(xiàn)有的P7系列產(chǎn)品相比,Z7系列的占位面積大幅減小(僅
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          CISSOID推出高溫度30V小訊號P-FET場效應(yīng)管

          •   CISSOID,在高溫半導(dǎo)體方案的領(lǐng)導(dǎo)者推出了一個行星家族(高溫度晶體管及開關(guān))的新成員.火星是一個高溫度30V小訊號P-FET場效應(yīng)管, 適合于-55 ° C至+225° C高溫可靠運作. 由于它耐于極端溫度,只有14pF的輸入電容值及于+225° C下最高只有400nA閘極漏電流. 所以這30V晶體管非常適合于高溫度傳感器介面,例如壓電傳感器或保護放大器.   
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          Power Integrations推出集成高壓MOSFET并可實現(xiàn)功率因數(shù)校正的控制器芯片

          •   用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日宣布推出全新的HiperPFS產(chǎn)品,一款集成高壓MOSFET并可實現(xiàn)功率因數(shù)校正(PFC)的控制器芯片。HiperPFS器件采用創(chuàng)新的控制方案,可提高輕載條件下的效率。此外,與使用分立式MOSFET和控制器的設(shè)計相比,HiperPFS器件能大幅減少元件數(shù)和縮小電路板占用面積,同時簡化系統(tǒng)設(shè)計并增強可靠性。HiperPFS器件采用極為緊湊的薄型eSIP?封裝,適合75 W至1 kW的PFC應(yīng)用。  
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          Power Integrations推出PI Expert Suite V8

          •   用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日發(fā)布其廣受歡迎的電源設(shè)計軟件PI Expert Suite的最新版本V8。最新版軟件能夠大幅縮短首個原型的設(shè)計時間,顯著減少在實現(xiàn)成品之前所需的原型迭代次數(shù),從而進一步提高電源設(shè)計團隊的工作效率。   
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          Power Integrations推出創(chuàng)新離線式開關(guān)LinkZero-AX

          •   用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日推出集成離線式開關(guān)IC - LinkZero-AX,新器件能使設(shè)計師設(shè)計出零瓦待機功耗的輔助電源。LinkZero-AX采用創(chuàng)新的斷電模式,可在最終產(chǎn)品閑置時有效關(guān)斷輔助電源。
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          POWER PCB內(nèi)電層分割及鋪銅

          •   PCB新手看過來]POWER PCB內(nèi)層屬性設(shè)置與內(nèi)電層分割及鋪銅  看到很多網(wǎng)友提出的關(guān)于POWER PCB內(nèi)層正負片設(shè)置和內(nèi)電層分割以及鋪銅方面的問題,說明的帖子很多,不過都沒有一個很系統(tǒng)的講解。今天抽空把這些東西
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          IBM為Power芯片設(shè)計無電源“深休眠”模式

          •   IBM正在為Power處理器開發(fā)一種深休眠模式,該模式可以讓芯片在空閑時幾乎不耗費能源。IBM的Power7芯片已經(jīng)有三種休眠模式,分別為 nap,sleep和heavy sleep。這三種模式是否執(zhí)行或執(zhí)行哪種方式由當時處理器的負載和某應(yīng)用程序能容忍多大的延遲來決定。   這種新的休眠模式會幾乎完整的切斷處理器的電源,同理,從該模式恢復(fù)過來的時間也比較長,大約10到20毫秒。   IBM已將這種模式定名為“Winkle”。但哪款芯片將采用新的休眠模式還未可知,官方也沒有更
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          如何對反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓進行緩沖

          •   圖 1 顯示了反向轉(zhuǎn)換器功率級和一次側(cè) MOSFET 電壓波形。該轉(zhuǎn)換器將能量存儲于一個變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關(guān)閉時將其釋放到次級繞組。由于變壓器的漏極電感會使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上,因
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          MOS-FET開關(guān)電路

          • MOS-FET雖然與JFET結(jié)構(gòu)不同,但特性極為相似,N溝道和P溝道各分增強型和耗盡型,可在許多電路中代替J-FET,如圖5.4-97所示,電路用MOS-FET代替J-FET更簡單,如釁5.4-100所示短路開關(guān)對應(yīng)圖5.4-96中的A、C、D三個電路
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          J-FET開關(guān)電路工作原理

          • 1、簡單開關(guān)控制電路圖5.4-97為簡單J-FET開關(guān)電路。當控制電壓VC高于輸入電壓V1時,VGS=0,J-FET導(dǎo)通,傳輸信號至VO;當VC比V1足夠負,VD導(dǎo)通而J-FET截止,VO=0。2、改進的J-FET開關(guān)電路圖5.4-98電路是圖5.4-97電路的
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          與萬用表結(jié)合使用的FET VP、VOO檢驗器

          • 電路的功能場效晶體管漏極飽和電流IDSS和夾斷電壓VP等有很大差別,所以確定置偏很麻煩。雖然在生產(chǎn)廠已分了幾種等級,但一個等級內(nèi)仍有差別,如果在組裝電路之前測量實際工作電流狀態(tài)下的VP和VOS則比較方便。測量時,
          • 關(guān)鍵字: VOO  檢驗  VP  FET  結(jié)合  使用  萬用表  

          使用FET輸入型OP放大器的長時間模擬定時電路

          • 電路的功能定時器專用IC有NE555和C-MOS單穩(wěn)態(tài)多批振蕩器4538B等。然后用FET輸入型OP放大器也可用途長時間定時電路。本電路采用其他模擬電路中使用的雙OP放大器余下的一個來組成定時器,這樣可以減少IC的數(shù)量,事先了
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          可用于VCA或幅度調(diào)制的FET乘法運算電路

          • 電路的功能本電路是一種使用雙FET的2象限乘法電路最大輸入電壓為10V,2象限乘法運算與幅度調(diào)制(AM)等效,可作為低頻調(diào)制電路使用。電路工作原理本電路利用了FET的溝道電阻變化,以TT15、TT16特性相同為前提條件,O
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          使用結(jié)型FET的簡易電壓控制放大器

          • 電路的功能在VCA(電壓控制放大器)。由反饋環(huán)路組成電路時,通過控制反正電壓來改變放大器增益。所以傳統(tǒng)的作法是利用二極管的單向特性或采用CDS光耦合器。而在本電路中,是利用柵極源極之間的電壓使溝道電阻發(fā)生變
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          Vishay幫助客戶進一步了解Vishay Dale電阻技術(shù)的先進性

          • Vishay在官方網(wǎng)站上發(fā)布Power Metal Strip?分流電阻如何應(yīng)用在定制產(chǎn)品中的解決方案的視頻介紹 賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 5 月 6 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,為幫助客戶了解如何將Vishay Dale電阻技術(shù)用于定制產(chǎn)品,滿足特定用戶的需求,Vishay在其網(wǎng)站(http://www.vishay.com)新增加了一個介紹Power Metal Stri
          • 關(guān)鍵字: Vishay  Power Metal Strip  分流電阻  
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          power-fet介紹

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