色婷婷AⅤ一区二区三区|亚洲精品第一国产综合亚AV|久久精品官方网视频|日本28视频香蕉

    

      

          


          
	
  	
          
	
          
		首頁　 
		資訊　 
		商機 　
		下載　 
		拆解 　
		高校　 
		招聘 　
		雜志　 
		會展　 
		EETV　 
		百科 　
		問答　 
		電路圖　 
		工程師手冊 　
		Datasheet　
		100例 　
		活動中心　 
		E周刊閱讀 　
		樣片申請
	
          




          
	EEPW首頁 >> 
	主題列表 >> 
	rf gan
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          GaN Systems HD半橋雙極驅動開關評估板在貿(mào)澤開售
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics, Inc.) 即日起開始分銷GaN Systems的GS-EVB-HB-0650603B-HD半橋雙極驅動開關評估板。這種緊湊的氮化鎵 (GaN) 增強模式 (e-mode) 半橋評估板性能優(yōu)異，同時減少了組件總數(shù)，節(jié)省了寶貴的電路板空間。 貿(mào)澤電子分銷的GaN Systems GS-EVB-HB-0650603B-HD板具有兩個HEY1011-L12C GaN FET驅動器和兩
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        貿(mào)澤電子  GaN  半橋雙極驅動開關                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          Qorvo 助力簡化 GaN PA 偏置
          
                                                            
            
                    	
          • 移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布推出 ACT41000-104-REF1，這是一款 GaN 功率放大器 (PA) 偏置參考設計，可加強 Qorvo GaN PA 的設計與測試。GaN 器件是耗盡型 FET，運行時需要施加負柵極電壓。在使用 GaN PA 的系統(tǒng)中，需要以特定的順序進行偏置：提高漏極偏置電壓之前，必須施加負柵極電壓，以保護器件免受損壞。Qorvo 的 ACT41000-104-REF1 內置可配置
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        GAN  PA                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          學貫中西(8)：從GAN領悟人機協(xié)同創(chuàng)新之道
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 1 回顧：GAN里的兩個角色在上一期里，詳細介紹了 GAN( 生成對抗網(wǎng) ) 里的
兩個角色：生成者 (generator) 和判別者 (discriminator)。
其中的生成者，又稱為創(chuàng)新者，而判別者又稱為鑒賞者。
在常見的圖像繪畫領域，其典型的協(xié)同創(chuàng)新模式是：
G( 創(chuàng)新者 ) 負責創(chuàng)作圖片；而 D( 鑒賞者 ) 負責辨別一
張圖像的真或假，然后引領 G 逐步改進，止于完美逼
近目標。上述的 GAN 協(xié)同創(chuàng)新模式，屬于 AI 機器與機器之
間的協(xié)同合作或創(chuàng)新。然而，在 AI 科技不斷
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        202206  GAN  人機協(xié)同                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          EPC開拓"GaN Talk支持論壇"平臺
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 宜普電源轉換公司（EPC）新推線上論壇，為工程師提供產(chǎn)品信息、答疑解難和分享採用氮化鎵技術的應用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢。宜普電源轉換公司宣布新推"GaN Talk支持論壇"，為工程師提供產(chǎn)品信息和技術支持，從而了解氮化鎵（GaN）技術的應用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢。該論壇專為工程師、工程專業(yè)學生和所有氮化鎵技術愛好者而設，為用戶答疑解難和提供互相交流的平臺。提問可以用主題類別、熱門話題或最新帖子搜索。除了提問外，用戶還可以在論壇使用帖子中的"分享"鏈接參看所有之前的提問和反饋。此外，
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        GaN  宜普                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          毫米波技術需要高度線性、緊湊和高能效的寬帶產(chǎn)品
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 5G 通信正在改變我們的生活，同時也在促進產(chǎn)業(yè)數(shù)字化轉型，為工業(yè)、汽車和消費電子等行業(yè)提供了巨大的應用想象空間與市場機會，例如實現(xiàn)創(chuàng)建人與機器人和諧共存的環(huán)境，高質量醫(yī)療，并且加速實現(xiàn)安全的自動駕駛汽車，等等?！?打造未來智能工廠——5G 無線網(wǎng)絡可以幫助工廠實現(xiàn)更高的可靠性，例如縮短延遲時間、提高生產(chǎn)效率。在人與機器人共存的世界里，更強的連接可以改善人機互動，并降低事故風險?！?提供高質量的醫(yī)療服務——通用5G 連接可以借助可穿戴生物傳感器對患者實施遠程監(jiān)測，進行生命體征檢測，并將信息傳輸給基于云的診斷
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        202206  毫米波  5G  GAN                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          第三代半導體引領5G基站技術全面升級
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 5G 受到追捧是有充足的理由的。根據(jù)CCS Insight 的預測，到2023 年，5G 用戶數(shù)量將達10 億；2022 年底，5G蜂窩基礎設施將承載近15％的全球手機流量。高能效、尺寸緊湊、低成本、高功率密度和高線性度是5G 基礎設施對射頻半導體器件的硬性要求。對于整個第三代半導體技術，尤其是氮化鎵（GaN），5G 開始商用是一大利好。與硅、砷化鎵、鍺、甚至碳化硅器件相比，GaN 器件的開關頻率、輸出功率和工作溫度更高，適合1-110 GHz的高頻通信應用，涵蓋移動通信、無線網(wǎng)絡、點對點和點對多點微波通
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        202206  第三代半導體  GaN                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          TI：運用GaN技術可提升數(shù)據(jù)中心的能源效率
          
                                                            
            
                    	
          • 德州儀器(TI)副總裁暨臺灣、韓國與南亞總裁李原榮，26日于2022 COMPUTEX Taipei論壇中表示，TI將協(xié)助客戶充分發(fā)揮氮化鎵（GaN）技術的潛力，以實現(xiàn)更高的功率密度和效率。李原榮今日以「數(shù)據(jù)中心正在擴建 – 以氮化鎵技術實現(xiàn)更高效率」為題，分享設計工程師如何利用TI 氮化鎵技術為數(shù)據(jù)中心達成體積更小、更高功率密度的解決方案。李原榮表示，隨著各產(chǎn)業(yè)領導者期盼透過數(shù)據(jù)中心實現(xiàn)技術創(chuàng)新，從而也提高了運算能力的需求，TI希望協(xié)助客戶充分發(fā)揮氮化鎵技術的潛力，以實現(xiàn)更高的功率密度和效率。他也強調，
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        TI  GaN  數(shù)據(jù)中心  能源效率                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          學貫中西(7):介紹生成對抗網(wǎng)路(GAN)
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 1? ?GAN與NFT的結合在上一期里，我們說明了天字第一號模型：分類器。接著本期就來看看它的一項有趣應用：GAN(generative adversarial networks，生成對抗網(wǎng)絡)。自從2014 年問世以來，GAN 在電腦生成藝術(generative art) 領域，就開始涌現(xiàn)了許多極具吸引力的創(chuàng)作和貢獻。GAN 如同生成藝術的科技畫筆，使用GAN 進行創(chuàng)作特別令人振奮，常常創(chuàng)作出很特別的效果，給人們許多驚喜的感覺，例如圖1。?圖1近年來，非同質化代幣NFT(
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        202205  生成對抗網(wǎng)路  GAN                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          射頻硅基氮化鎵：兩個世界的最佳選擇 
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　當世界繼續(xù)努力追求更高速的連接，并要求低延遲和高可靠性時，信息通信技術的能耗繼續(xù)飆升。這些市場需求不僅將5G帶到許多關鍵應用上，還對能源效率和性能提出了限制。5G網(wǎng)絡性能目標對基礎半導體器件提出了一系列新的要求，增加了對高度可靠的射頻前端解決方案的需求，提高了能源效率、更大的帶寬、更高的工作頻率和更小的占地面積。在大規(guī)模MIMO（mMIMO）系統(tǒng)的推動下，基站無線電中的半導體器件數(shù)量急劇增加，移動網(wǎng)絡運營商在降低資本支出和運營支出方面面臨的壓力更加嚴峻。因此，限制設備成本和功耗對于高效5G網(wǎng)絡的安裝和
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        氮化鎵  GaN                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          從手機快充到電動汽車，氮化鎵功率半導體潛力無限
          
                                                            
            
                    	
          • 　　近期，蘋果“爆料大神”郭明錤透露，蘋果可能年某個時候推出下一款氮化鎵充電器，最高支持30W快充，同時采用新的外觀設計。　　與三星、小米、OPPO等廠商積極發(fā)力氮化鎵快充產(chǎn)品相比，蘋果在充電功率方面一直較為“保守”。去年10月，伴隨新款MacBook Pro的發(fā)布，蘋果推出了140W USB-C電源適配器（下圖），這是蘋果首款采用氮化鎵材料的充電器，售價729元。圖片來源：蘋果　　如今，蘋果有望持續(xù)加碼氮化鎵充電器，氮化鎵功率半導體市場有望迎來高歌猛進式發(fā)展。手機等快充需求上升，氮化鎵功率市場規(guī)模將達1
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        氮化鎵  GaN                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          氮化鎵 (GaN) 封裝的諸多挑戰(zhàn)
          
                                                            
            
                    	
          • EETOP編譯整理自techinsights　　在處理氮化鎵（GaN）時，與硅(Si)相比，還有兩個額外的考慮因素可以優(yōu)化器件性能?！　∮捎贕aN/AlGaN異質結界面上的二維電子氣體(2DEG)通道，GaN具有快速開關的潛力?！　〉壍膶嵝韵鄬^差。(在300K時約1.3W/cm.K，而硅(Si)為1.49W/cm.K和碳化硅（SiC）為3.7W/cm.K)　　雖然體積熱導率并不明顯低于硅，但請記住更高的電流密度-它被限制在異質結周圍的一個小區(qū)域。漸進式的改進　　雖然不理想，但傳統(tǒng)的硅封裝可以而且已
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        氮化鎵  GaN                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          氮化鎵集成方案如何提高功率密度
          
                                                            
            
                    	
          • 　　氮化鎵(GaN)是電力電子行業(yè)的熱門話題，因為它可以使得80Plus鈦電源、3.8 kW/L電動汽車(EV)車載充電器和電動汽車(EV)充電站等設計得以實施。在許多具體應用中，由于GaN能夠驅動更高的功率密度和具有更高的效率，因此它取代了傳統(tǒng)的MOSFET晶體管。但由于GaN的電氣特性和它所能實現(xiàn)的性能，使得使用GaN元件進行設計時，要面臨與硅元件截然不同的一系列挑戰(zhàn)?！　aN場效應晶體管包括耗盡型（d-mode）、增強型（e-mode）、共源共柵型(cascode）等三種類型，并且每種都具有各自的
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        氮化鎵  GaN                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          意法半導體發(fā)布50W GaN功率變換器，面向高能效消費及工業(yè)級電源設計
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 意法半導體 VIPerGaN50能夠簡化最高50 W的單開關反激式功率變換器設計，并集成一個 650V 氮化鎵 (GaN) 功率晶體管，使電源的能效和小型化達到更高水平。VIPerGaN50 采用單開關拓撲，集成很多功能，包括內置電流采樣和保護電路，采用低成本的 5mm x 6mm 緊湊封裝。芯片內部集成的GaN 晶體管可應用于高開關頻率，從而減小反激變換器的體積和重量。使用這款產(chǎn)品設計先進的高能效開關電源 (SMPS)，可顯著減少外圍元器件的數(shù)量。VIPerGaN50 可幫助設計人員利用 GaN 寬禁帶
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        意法半導體  GaN  功率變換器                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          不只是充電器！99％的人不知道的事實：氮化鎵技術竟與5G 相關
          
                                                            
            
                    	
          • 　　過去的2020年是5G手機大爆發(fā)的一年。5G手機無疑為大家?guī)砹烁斓纳暇W(wǎng)體驗，更快的下載速度、低延時，高達10Gps/s的理論峰值速率，比4G手機數(shù)據(jù)傳輸提升10倍以上，延時更是低至1ms，比4G手機縮短10倍。　　當然，5G對數(shù)據(jù)傳輸速度提升，更強的CPU處理性能也對手機的續(xù)航能力提出了更高要求。為此，不少手機廠商為5G手機配備更大容量的電池，采用更高的充電功率，并在充電器上引進最新的氮化鎵技術，實現(xiàn)在提高充電器功率的同時，將體積控制得更小巧?！　《@里其實有一個有趣的事實：　　這項為5G手機帶來
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        氮化鎵  GaN                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈全景深度解析
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 根據(jù)阿里巴巴達摩院發(fā)布的《2021十大科技趨勢》預測的第一大趨勢是“以氮化鎵（GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代半導體迎來應用大爆發(fā)”。達摩院指出，近年來第三代半導體的性價比優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)，正在打開應用市場：SiC元件已用作汽車逆變器，GaN快速充電器也大量上市。半導體材料演進圖：資料來源：Yole, 國盛證券相對于第一代（硅基）半導體，第三代半導體禁帶寬度大，電導率高、熱導率高，其具有臨界擊穿電場高、電子遷移率高、頻率特性好等特點。氮化鎵（GaN）是最具代表性的第三代半導體材料，成為高溫、高頻、大功
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        氮化鎵  GaN                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                                

                
          
	                
          
		                	
          
	
          
	共318條
	9/22		|‹
			«
																																																																																7																8																9																10																11																12																13																14																15																16																																																																									»
			›|
		
	
          
		                
          
	               	
          
                
          
        	
          
            
          
        
          
	
          
	
          
  		
          
    		
          
      			
          
          			
          rf gan介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條rf gan!
           
		      	歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對rf gan的理解，并與今后在此搜索rf gan的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		  		
  		  		  		
  		  		            
        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
          熱門主題
          
      			
          
      			
          
       	          						樹莓派   
					linux   
      			
          
    		
          
  		
          
		
          
	
          
	
          

          

          
        		關于我們 - 
        		廣告服務 - 
        		企業(yè)會員服務 - 
        		網(wǎng)站地圖 - 
        		聯(lián)系我們 - 
        		征稿 - 
        		友情鏈接 - 
        		手機EEPW
        		
          
        		Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
          
        		《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
          
      			備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473