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揚杰科技推出N80V-N85V系列MOSFET產(chǎn)品，采用SGT工藝
- 4月8日消息，揚杰科技最新推出N80V-N85V系列MOSFET產(chǎn)品，采用先進的SGT (Shield Gate Trench MOSFET) 制程工藝，針對電機驅(qū)動、BMS等應(yīng)用設(shè)計，優(yōu)化BVdss、Rdson、Qg等參數(shù)性能同時，提升MOSFET抗沖擊電流能力。N80V-N85V系列MOSFET產(chǎn)品具有TO-220、TO-263、TO-252、PDFN5060等多種封裝形式可以選擇。廣泛應(yīng)用于電池管理系統(tǒng)、儲能系統(tǒng)、逆變電源系統(tǒng)、電機驅(qū)動系統(tǒng)、電源管理系統(tǒng)等，是其核
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你的MOSFET為什么發(fā)熱那么嚴重？
- 在開關(guān)電源電路中，MOSFET作為最核心的器件，卻也是最容易發(fā)熱燒毀的，那么MOSFET到底承受了什么導(dǎo)致發(fā)熱呢？本文來帶你具體分析。MOSFET工作原理什么是MOSFET？MOSFET是全稱為Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的半導(dǎo)體。它可分為NPN型和PNP型。NPN型通常稱為N溝道型，PNP型通常稱P溝道型。如圖1所示，對于N溝道型的場效應(yīng)管其源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上，同樣對于P溝道的場效應(yīng)管，如圖2所
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最全！20V到1700V全覆蓋的國產(chǎn)MOSFET功率器件，工溫最高175℃
- 中國半導(dǎo)體功率器件十強企業(yè)：揚杰科技(YANGJIE)· 主要產(chǎn)品：中低壓MOSFET（VDSS：20V-150V）和高壓MOSFET（VDSS：500V-900V）· 廠牌優(yōu)勢：專注于功率半導(dǎo)體芯片及器件制造、集成電路封裝測試等領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)發(fā)展，，通過了ISO9001，ISO14001，IATF16949等認證，連續(xù)數(shù)年評為中國半導(dǎo)體功率器件十強企業(yè)。國內(nèi)領(lǐng)先的的分立器件研發(fā)企業(yè)：長晶科技（JSCJ）· 主要產(chǎn)品：覆蓋了12V~700V的功率型MOSFET· 廠牌優(yōu)勢：專注于功率器件、分立器件、頻率器件、
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同時實現(xiàn)業(yè)界超快反向恢復(fù)時間和超低導(dǎo)通電阻的600V耐壓超級結(jié) MOSFET “R60xxVNx系列”
- 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）的600V耐壓超級結(jié) MOSFET“PrestoMOS?”產(chǎn)品陣容中又新增了“R60xxVNx系列”的7款機型，新產(chǎn)品非常適用于電動汽車充電樁、服務(wù)器、基站等需要大功率的工業(yè)設(shè)備的電源電路、以及空調(diào)等因節(jié)能趨勢而采用變頻技術(shù)的白色家電的電機驅(qū)動。近年來，隨著全球電力消耗量的增加，如何有效利用電力已成為亟待解決的課題，在這種背景下，電動汽車充電樁、服務(wù)器和基站等工業(yè)設(shè)備以及空調(diào)等白色家電的效率不斷提升，因此也就要求其中所用的功率半導(dǎo)體進一步降低功率損耗。針對這種
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英飛凌推出采用D2PAK封裝的650 V CoolSiCTM MOSFET，進一步降低應(yīng)用損耗并提高可靠性
- 在數(shù)字化、城市化和電動汽車等大趨勢的推動下，電力消耗日益增加。與此同時，提升能源效率的重要性也在與日俱增。為了順應(yīng)當下全球發(fā)展大勢并滿足相關(guān)市場需求，英飛凌科技股份公司近日推出了650 V CoolSiCTM MOSFET系列新產(chǎn)品。該產(chǎn)品具有高可靠性、易用性和經(jīng)濟實用等特點，能夠提供卓越的性能。這些SiC器件采用了英飛凌先進的SiC溝槽工藝、緊湊的D2PAK 表面貼裝7引腳封裝和.XT互連技術(shù)，廣泛適用于大功率應(yīng)用，包括服務(wù)器、電信設(shè)備、工業(yè)SMPS、電動汽車快速充電、電機驅(qū)動、太陽能系統(tǒng)、儲能系統(tǒng)和電
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東芝推出采用最新一代工藝的150V N溝道功率MOSFET，可大幅提高電源效率
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。該器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工藝，適用于工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源，其中包括數(shù)據(jù)中心電源和通信基站電源。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。與使用當前一代“U-MOSⅧ-H”工藝的150V產(chǎn)品TPH1500CNH相比，TPH9R00CQH的漏源導(dǎo)通電阻下降約42%。對新型MOSFET的結(jié)構(gòu)優(yōu)化促進實現(xiàn)源漏導(dǎo)通電阻和兩項電荷特性[2]之間的平衡[3]，從而實現(xiàn)了優(yōu)異的低損耗特性。此外，開關(guān)
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恩智浦與日立能源合作開發(fā)電源模塊，加快碳化硅在電動交通領(lǐng)域的采用
- 恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.）近日宣布與日立能源合作，加快碳化硅（SiC）電源半導(dǎo)體模塊在電動交通領(lǐng)域的采用。此次合作項目為動力逆變器提供基于SiC MOSFET的解決方案，更高效可靠且功能安全，該解決方案由恩智浦先進的高性能GD3160隔離式高壓柵極驅(qū)動器和日立能源RoadPak汽車SiC MOSFET功率模塊組成。產(chǎn)品重要性電動汽車廠商采用SiC MOSFET動力器件，可比采用傳統(tǒng)硅IGBT獲得更高的續(xù)航里程，提高系統(tǒng)整體效率。SiC MOSFET功率器件帶有高性能功率
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ROHM建立8V閘極耐壓150V GaN HEMT量產(chǎn)體制
- 半導(dǎo)體制造商ROHM已建立150V耐壓GaN HEMT GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?的量產(chǎn)體制，該系列產(chǎn)品的閘極耐壓（閘極-源極間額定電壓）高達8V，非常適用于基地臺、數(shù)據(jù)中心等工控設(shè)備和各類型IoT通訊裝置的電源電路。 EcoGaN首波產(chǎn)品 GNE10xxTB系列?有助基地臺和數(shù)據(jù)中心實現(xiàn)低功耗和小型化一般來說，GaN組件具有優(yōu)異的低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)性能，有助降低各種電源功耗和實現(xiàn)外圍組件小型化。但其閘極耐壓很低，因此在開關(guān)工作時的組件可靠性方面尚存在課題。針對該課題，RO
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如何為開關(guān)電源選擇合適的MOSFET？
- DC/DC開關(guān)控制器的MOSFET選擇是一個復(fù)雜的過程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以內(nèi)，必須在低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻之間取得平衡。在多負載電源系統(tǒng)中，這種情況會變得更加復(fù)雜。圖1：降壓同步開關(guān)穩(wěn)壓器原理圖。DC/DC開關(guān)電源因其高效率而廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代許多電子系統(tǒng)中。例如，同時擁有一個高側(cè)FET和低側(cè)FET的降壓同步開關(guān)穩(wěn)壓器，如圖1所示。這兩個FET會根據(jù)控制器設(shè)置的占空比進行開關(guān)操作，旨在達到理想的輸出電壓。降壓穩(wěn)壓器的占空比方
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Nexperia先進電熱模型可覆蓋整個MOSFET工作溫度范圍
- 基礎(chǔ)半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布MOSFET器件推出全新增強型電熱模型。半導(dǎo)體制造商通常會為MOSFET提供仿真模型，但一般僅限于在典型工作溫度下建模的少量器件參數(shù)。Nexperia的全新先進模型可捕獲-55℃至175℃的整個工作溫度范圍的一系列完整器件參數(shù)。這些先進模型中加入了反向二極管恢復(fù)時間和電磁兼容性(EMC)，大大提升了器件整體精度。參數(shù)可幫助工程師建立精確的電路和系統(tǒng)級仿真，并在原型設(shè)計前對電熱及EMC性能進行評估。模型還有助于節(jié)省時間和資源，工程師此
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羅姆SiC評估板測評：快充測試
- 一、測試工裝準備1、P02SCT3040KR-EVK-001測試板2、電壓源3、示波器4、負載儀二、測試項目進行1、安裝 SIC后的空載波形SiC安裝空載波形空板，空載GS 為100hz 25V 信號2、DCDC 在線測試1）空載測試驅(qū)動空載輸出12V，gs驅(qū)動為200hz總寬度3.6uS的錐形信號2）加載 24轉(zhuǎn)55V 2A dcdc驅(qū)動信號波形如下：帶載 6.6k 15V驅(qū)動信號單脈沖寬度，3uS左右總結(jié)由于輕負載，溫度始終未超過50度。開關(guān)速度方面優(yōu)于硅基產(chǎn)品，以后有對應(yīng)設(shè)備
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