sic mosfet 文章 進入sic mosfet技術社區(qū)
汽車級N溝道MOSFET SQJQ480E
- 功率 MOSFET 是眾多汽車子系統(tǒng)的重要組成部分，其能夠幫助實現(xiàn)各種各樣的功能，包括負載切換、電機控制以及DC/DC轉(zhuǎn)換等。SQJQ480E 的意義在于它可以處
- 關鍵字： MOSFET DC/DC轉(zhuǎn)換 SQJQ480E
寬禁帶技術-下一代功率器件
- 行業(yè)標準的收緊和政府法規(guī)的改變是使產(chǎn)品能效更高的關鍵推動因素。例如，數(shù)據(jù)中心正在成倍增長以滿足需求。它們使用的電力約占世界總電力供應(400千瓦時)的3%，占溫室氣體排放總量的2%。航空業(yè)的碳排放量也一樣。隨著對能源的巨大需求，各國政府正在采取更嚴格的標準和新的監(jiān)管措施，以確保所有依賴能源的產(chǎn)品都需具有最高能效。 同時，我們看到對更高功率密度和更小空間的要求。電動汽車正盡量減輕重量和提高能效，從而支持每次充電能續(xù)航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來實現(xiàn)這一目
- 關鍵字： SiC GaN
羅姆首次亮相“2018北京國際汽車制造業(yè)暨工業(yè)裝配博覽會”
- 全球知名半導體制造商羅姆于2018年7月19日-21日首次亮相在北京中國國際展覽中心舉辦的“2018北京國際汽車制造業(yè)暨工業(yè)裝配博覽會”(展位號：2展館T213)。以“用半導體為汽車的未來做貢獻”為理念，帶來了新能源汽車、汽車小型化輕量化、自動駕駛、人機交互等相關領先半導體產(chǎn)品?！ ×_姆展臺人頭攢動 在 “Formula E國際汽聯(lián)電動方程式錦標賽”特別展示區(qū)以及“xEV”、“環(huán)保/節(jié)能”、“安全/舒適”三大展區(qū)內(nèi)，重點展示了以下產(chǎn)品和技術： ? 先進的SiC(碳化硅)技術：助力 “Formula
- 關鍵字： 羅姆 SiC
德州儀器CTO：TI顛覆性技術將引領我們快速前進
- 當我坐在電動汽車上踩下加速踏板，時速在3秒之內(nèi)就能從0飆升到近100公里——我非常享受這個過程。正如我駕車疾馳在高速公路快車道上，而新一代技術將載著我們馳騁在大數(shù)據(jù)公路的快車道上。 暢想一下，新技術將影響著我們未來的工作和生活： · 汽車組裝生產(chǎn)線上將重新配置協(xié)作機器人，由它們來組裝不同型號的車輛。這將在降低成本的同時大大提高生產(chǎn)力，發(fā)揮競爭優(yōu)勢。今天，重置一個這樣的工廠可能需要幾年的時間?！ ?機器視覺技術將使人們即使在夜間、霧天和灰塵的環(huán)境下，駕駛時也可清晰視物?！ ?充電器尺寸將縮小到信
- 關鍵字： 德州儀器 SiC
應用角：云電源
- 云電源是描述用于傳輸、存儲和處理云數(shù)據(jù)的設備的電源的通用術語。在電信或傳輸應用中，云電源將為基帶單元和遠程無線電單元供電。用于存儲和處理的服務器機群還需要大型不間斷電源，以確保在暫時斷電時用戶仍可訪問云。每臺服務器還將需要一個電源單元(PSU)，以及眾多的DC-DC轉(zhuǎn)換器來提供負載點電源。 由于物聯(lián)網(wǎng)顯著增加了捕獲某種數(shù)據(jù)的端點數(shù)(2017年付運約20億臺設備，比2015年增長54%)，因此需要大量的存儲器來處理和存儲數(shù)據(jù)。為此，正在構建大型服務器機群，這些機群將消耗大量電力。電源轉(zhuǎn)換將產(chǎn)生熱量，終
- 關鍵字： 云電源 SiC
IGBT掃盲文，IGBT基礎與運用知識學習
- IGBT基礎與運用 IGBT， 中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET(輸入級)和PNP晶體管(輸出級)復合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關速度快 的特點(控制和響應)，又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(功率級較為耐用)，頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz 頻率范圍內(nèi)?！ ±硐氲刃щ娐放c實際等效電路如圖所示： IGBT 的靜態(tài)特性一般用不到，暫時不用考慮，重點考慮動態(tài)特性(開關特性)?！ 討B(tài)特性的簡易過程可從下面的表格和圖形中獲取
- 關鍵字： IGBT，MOSFET
宜特跨攻MOSFET晶圓后端處理集成服務
- 隨著電子產(chǎn)品功能愈來愈多元，對于低功耗的要求也愈來愈高， MOSFET成為車用電子、電動車勢不可擋的必備功率組件，而在目前市面上產(chǎn)能不足，客戶龐大需求下，電子產(chǎn)品驗證服務龍頭-iST宜特科技今宣布，正式跨入「MOSFET晶圓后端處理集成服務」，目前已有20多家海內(nèi)外廠商，包括全球知名晶圓廠、IDM廠商、IC設計企業(yè)已于今年第一季底，前來宜特進行工程試樣，并于第二季初開始進行小量產(chǎn)，并在下半年正式量產(chǎn)?！ ∫颂囟麻L 余維斌指出，在車用可靠度驗證分析本業(yè)上，已做到亞洲龍頭，然而在服務客戶的同時，發(fā)現(xiàn)了此
- 關鍵字： MOSFET 晶圓
低功耗SiC二極管實現(xiàn)最高功率密度
- 相較于硅，碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術，提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體?！ “采腊雽w擴展了其650伏(V) SiC二極管系列，提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系統(tǒng)成本。工程師在設計用于太陽能光伏逆變器、電動車/混和動力電動車(EV / HEV)充電器、電信電源和數(shù)據(jù)中心電源等各類應用的PFC和升壓轉(zhuǎn)換器時，往往面對在更小尺寸實現(xiàn)更高能效的挑戰(zhàn)。這些全新的二極管能為工程師解決這些挑
- 關鍵字： 肖特基二極，SiC
意法半導體推出離線轉(zhuǎn)換器 提高5-30V電源的雪崩耐量、能效和靈活性
- 意法半導體的VIPer11離線轉(zhuǎn)換器內(nèi)置800V耐雪崩MOSFET，可幫助設備制造商設計更耐用的輔助電源和電源適配器，其26Vdc漏極啟動電壓允許超寬的線路輸入電壓，并提高諸多消費和工業(yè)電源的靈活性?！ ∵壿嫾壴匨OSFET讓VIPer11能夠在4.5V至30V的寬電源電壓范圍內(nèi)工作，可用于設計高效的5V輸出開關電源。結(jié)合內(nèi)部高壓啟動、誤差放大器和降低EMI干擾的抖動振蕩器等功能，這種優(yōu)勢可簡化設計，節(jié)省空間和物料清單成本。 VIPer11高壓轉(zhuǎn)換器可實現(xiàn)由整流的AC線或其它直流電源直接供電的反激
- 關鍵字： 意法半導體，MOSFET
工業(yè)設備輔助電源驅(qū)動用的SiC電源解決方案
- 前言 包括光伏逆變器、電氣驅(qū)動裝置、UPS及HVDC在內(nèi)的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，需要柵極驅(qū)動器、微控制器、顯示器、傳感器及風扇來使系統(tǒng)正常運行。這類產(chǎn)品需要能夠提供12V或24V低電壓電源的輔助電源。輔助電源則需要輸入通常工業(yè)設備所使用的三相400/480V AC電源、或太陽能光伏逆變器所使用的高電壓DC電源才能工作。本文將介紹融入了ROHM的SiC技術優(yōu)勢且設計簡單、性價比高的電源解決方案?！ ⌒⌒洼o助電源用SiC MOSFET 圖1是輔助電源所用的普通電路。在某些輸入電壓條件下，MOSFET的最高耐壓
- 關鍵字： SiC，MOSFET
我國半導體SiC單晶粉料和設備生產(chǎn)實現(xiàn)新突破
- 6月5日，在中國電子科技集團公司第二研究所(簡稱中國電科二所)生產(chǎn)大樓內(nèi)，100臺碳化硅(SiC)單晶生長設備正在高速運行，SiC單晶就在這100臺設備里“奮力”生長。 中國電科二所第一事業(yè)部主任李斌說：“這100臺SiC單晶生長設備和粉料都是我們自主研發(fā)和生產(chǎn)的。我們很自豪，正好咱們自己能生產(chǎn)了。” SiC單晶是第三代半導體材料，以其特有的大禁帶寬度、高臨界擊穿場強、高電子遷移率、高熱導率等特性， 成為制作高溫、高頻、大功率、抗輻照、短波發(fā)光及光電集成器件的理想材料，是新一代雷達、衛(wèi)星通訊、高壓
- 關鍵字： SiC
我國半導體SiC單晶粉料和設備生產(chǎn)實現(xiàn)新突破
- 6月5日，在中國電子科技集團公司第二研究所(簡稱中國電科二所)生產(chǎn)大樓內(nèi)，100臺碳化硅(SiC)單晶生長設備正在高速運行，SiC單晶就在這100臺設備里“奮力”生長?！ ≈袊娍贫谝皇聵I(yè)部主任李斌說：“這100臺SiC單晶生長設備和粉料都是我們自主研發(fā)和生產(chǎn)的。我們很自豪，正好咱們自己能生產(chǎn)了?！薄 iC單晶是第三代半導體材料，以其特有的大禁帶寬度、高臨界擊穿場強、高電子遷移率、高熱導率等特性， 成為制作高溫、高頻、大功率、抗輻照、短波發(fā)光及光電集成器件的理想材料，是新一代雷達、衛(wèi)星通訊、高壓
- 關鍵字： SiC
安森美半導體發(fā)布碳化硅(SiC)二極管用于要求嚴苛的汽車應用
- 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，發(fā)布了碳化硅(SiC)肖特基二極管的擴展系列，包括專門用于要求嚴苛的汽車應用的器件。新的符合AEC-Q101車規(guī)的汽車級SiC二極管提供現(xiàn)代汽車應用所需的可靠性和強固性，以及等同于寬禁隙(WBG)技術的眾多性能優(yōu)勢?！ iC技術提供比硅器件更佳的開關性能和更高的可靠性。SiC二極管沒有反向恢復電流，開關性能與溫度無關。極佳的熱性能、增加的功率密度和降低的電磁干擾(EMI)，減小的系統(tǒng)尺寸和降低的成本使SiC
- 關鍵字： 安森美 SiC
計算MOSFET非線性電容
- 最初為高壓器件開發(fā)的超級結(jié)MOSFET，電荷平衡現(xiàn)在正向低壓器件擴展。雖然這極大地降低了RDS(ON) 和結(jié)電容，但電荷平衡使后者非線性進一步加大。MOSFET有效儲存電荷和能量減少，而且顯著減少，但計算或比較不同MOSFET參數(shù)以獲得最佳性能變得更加復雜。 MOSFET三個相關電容不能作為VDS的函數(shù)直接測量，其中有的需要在這個過程中短接或懸空。數(shù)據(jù)手冊最終測量給出的三個值定義如下： CiSS = CGS + CGD COSS = CDS + CDG CRSS = CGD 三者中，輸入電容CG
- 關鍵字： MOSFET 非線性電容
sic mosfet介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條sic mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對sic mosfet的理解，并與今后在此搜索sic mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對sic mosfet的理解，并與今后在此搜索sic mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
sic mosfet相關帖子
sic mosfet資料下載
sic mosfet專欄文章
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473