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ROHM集團Apollo筑后工廠將投建新廠房, 以強化SiC功率元器件的產(chǎn)能
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM為加強需求日益擴大的SiC功率元器件的生產(chǎn)能力，決定在ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)的筑后工廠投建新廠房?！ ⌒聫S房為地上3層建筑，總建筑面積約11,000㎡?，F(xiàn)在，具體設(shè)計工作正在有條不紊地進行，預(yù)計將于2019年動工，于2020年竣工?！ OHM自2010年開始量產(chǎn)SiC功率元器件(SiC-SBD、SiC-MOSFET)以來，于世界首家量產(chǎn)“全SiC”功率模塊和溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET，不斷進行著領(lǐng)先業(yè)界的技
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC
SiC和GaN產(chǎn)品市場趨勢及力特提供的產(chǎn)品
- 硅半導(dǎo)體器件在過去數(shù)十年間長期占據(jù)著電子工業(yè)的統(tǒng)治地位，它鑄就了電子世界的核心，覆蓋我們?nèi)粘Ｉ钪械慕^大部分應(yīng)用。寬禁帶電子器件，以碳化硅和氮化鎵的形式，因其自身有著傳統(tǒng)的硅技術(shù)無法克服的優(yōu)勢正在日益普及。
- 關(guān)鍵字： 力特，SiC，GaN
新一代功率器件動向：SiC和GaN
- 更為嚴(yán)格的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和政府法規(guī)的變遷是更高能效產(chǎn)品的關(guān)鍵驅(qū)動因素。例如數(shù)據(jù)中心正呈指數(shù)級增長以跟上需求，其耗電量約占全球總電力供應(yīng)量（+ 400TWh）的3％，也占總溫室氣體排放量的2％，與航空業(yè)的碳排放量相同。在這些巨大的能源需求之下，各地政府正加緊實施更嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)和新的法規(guī)，以確保所有依賴能源的產(chǎn)品必須達(dá)到最高能效。
- 關(guān)鍵字： 安森美，SiC，GaN
電源設(shè)計經(jīng)驗之MOS管驅(qū)動電路篇
- MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關(guān)電源的驅(qū)動電路?！ ≡谑褂肕OSFET設(shè)計開關(guān)電源時，大部分人都會考慮MOSFET的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個好的設(shè)計方案。更細(xì)致的，MOSFET還應(yīng)考慮本身寄生的參數(shù)。對一個確定的MOSFET，其驅(qū)動電路，驅(qū)動腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會影響MOSFET的
- 關(guān)鍵字： MOSFET 電源IC
新發(fā)現(xiàn)！SiC可用于安全量子通信
- 使用單光子作為量子位的載體可以在量子數(shù)據(jù)傳輸期間實現(xiàn)可靠的安全性。研究人員發(fā)現(xiàn)，目前可以通過某現(xiàn)有材料建立一個系統(tǒng)，能在常溫條件下可靠地產(chǎn)生單光子。 來自莫斯科物理技術(shù)學(xué)院(MIPT)的一個研究小組展示通過使用基于碳化硅(SiC)光電子半導(dǎo)體材料的單光子發(fā)射二極管，每秒可以發(fā)射多達(dá)數(shù)十億個光子。研究人員進一步表明，SiC色心的電致發(fā)光可用于將無條件的安全量子通信線路中的數(shù)據(jù)傳輸速率提高到1Gbps以上。 量子密碼術(shù)與傳統(tǒng)的加密算法不同，它依賴于物理定律。在不改變原始信息的情況下，是無法
- 關(guān)鍵字： SiC 量子通信
受惠5G及汽車科技 SiC及GaN市場前景向好
- 相較目前主流的硅晶圓(Si)，第三代半導(dǎo)體材料SiC及GaN除了耐高電壓的特色外，也分別具備耐高溫與適合在高頻操作下的優(yōu)勢，不僅可使芯片面積可大幅減少，并能簡化周邊電路的設(shè)計，達(dá)到減少模組、系統(tǒng)周邊的零組件及冷卻系統(tǒng)的體積。根據(jù)估計，2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8億美元，而GaN基板產(chǎn)值僅約3百萬美元。 此外，除了輕化車輛設(shè)計之外，因第三代半導(dǎo)體的低導(dǎo)通電阻及低切換損失的特性，也能大幅降低車輛運轉(zhuǎn)時的能源轉(zhuǎn)換損失，兩者對于電動車?yán)m(xù)航力的提升有相當(dāng)?shù)膸椭Ｒ虼耍?/li>
- 關(guān)鍵字： SiC GaN
ROHM攜汽車電子及工業(yè)設(shè)備市場產(chǎn)品強勢登陸“2018慕尼黑上海電子展”
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM于2018年3月14日--16日參加了在上海新國際展覽中心舉辦的"2018慕尼黑上海電子展(electronica?China?2018)"。 “慕尼黑上海電子展"不僅是亞洲領(lǐng)先的電子行業(yè)展覽，還是行業(yè)內(nèi)最重要的盛會之一。ROHM在此次展會上以“汽車電子”和“工業(yè)設(shè)備”為軸，為大家呈現(xiàn)包括“汽車電子”、?“模擬”、“電源”、“傳感器”以及“移動設(shè)備”在內(nèi)的5大解決方案展區(qū)，囊括了業(yè)界領(lǐng)先的強大產(chǎn)品陣容。另外，為此
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC
慕展：功率電子、微波通信、阻容感、材料、結(jié)構(gòu)件領(lǐng)域的最新產(chǎn)品 都在世強
- 慕尼黑上海電子展舉辦，作為亞洲第一電子大展，展會吸引了數(shù)萬名電子行業(yè)的觀眾到場參觀學(xué)習(xí)。而全球先進的元件分銷商——世強元件電商，則攜物聯(lián)網(wǎng)、汽車、微波通信、功率電子、工業(yè)控制及自動化、結(jié)構(gòu)件、阻容感、材料、測試測量等九大領(lǐng)域的最新產(chǎn)品及方案亮相。 憑借集成電路、元件、材料、部件、儀器、阻容感等全品類的電子元器件展示，以及NB-IOT、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、無線充電與快充、工業(yè)4.0、人工智能、樓宇照明、智能網(wǎng)聯(lián)汽車、新能源汽車、5G通信、藍(lán)牙Mesh等眾多熱門市場的最新產(chǎn)品的展示，世強元件電商吸引了大批工程師
- 關(guān)鍵字： SiC GaN
5G和交通電氣化的核心是SiC和GaN功率射頻器件
- 據(jù)麥姆斯咨詢報道，一些非常重要的市場趨勢正在推動化合物半導(dǎo)體器件在關(guān)鍵行業(yè)的應(yīng)用，化合物半導(dǎo)體正在強勢回歸。這些趨勢主要包括第五代(5G)無線網(wǎng)絡(luò)協(xié)議、無人駕駛和自動汽車、交通電氣化、增強現(xiàn)實和虛擬現(xiàn)實(AR/VR)。這些應(yīng)用正在推動3D傳感的應(yīng)用，提高功率模塊效率和更高頻率的通信應(yīng)用。所有這些新發(fā)展背后的關(guān)鍵器件都是由化合物半導(dǎo)體制造而成?？其J(Cree)和英飛凌(Infineon)近日關(guān)于SiC材料、SiC功率器件和GaN射頻(RF)器件的最新公告，還僅僅是化合物半導(dǎo)體應(yīng)用的冰山一角。 我們
- 關(guān)鍵字： 5G SiC
Littelfuse在2018年APEC大會上推出超低導(dǎo)通電阻1200V碳化硅MOSFET
- 全球電路保護領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)Littelfuse,?Inc.與從事碳化硅技術(shù)開發(fā)的德州公司Monolith?Semiconductor?Inc.今天新推出兩款1200V碳化硅(SiC)?n通道增強型MOSFET，為其日益擴展的第一代電源半導(dǎo)體器件組合注入新鮮血液。?Littelfuse與Monolith在2015年結(jié)成戰(zhàn)略合作關(guān)系，旨在為工業(yè)和汽車市場開發(fā)電源半導(dǎo)體。這種新型碳化硅MOSFET即為雙方聯(lián)手打造的最新產(chǎn)品。?這些產(chǎn)品在應(yīng)用電力電子
- 關(guān)鍵字： Littelfuse MOSFET
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)的專家攜手與工程師發(fā)揮氮化鎵器件及集成電路的最高性能，不僅替代MOSFET器件，更為市場帶來創(chuàng)新設(shè)計
- EPC公司的管理及技術(shù)團隊將在中國深圳及上海于3月14至16日舉行的各大業(yè)界論壇及展會上，與工程師會面并作技術(shù)交流。屆時，EPC團隊將分享如何發(fā)揮氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)及集成電路的最高性能、創(chuàng)新設(shè)計，從而為工程師及其客戶，打造共創(chuàng)共贏新局面?！ irFuel無線充電大會暨開發(fā)者論壇 2018 (中國深圳 - 3月14至16日) 首屆AirFuel無線充電大會暨開發(fā)者論壇將于3月14至16日在深圳南山凱賓斯基酒店舉行。由AirFuel?
- 關(guān)鍵字： 宜普 MOSFET
安森美半導(dǎo)體的碳化硅(SiC)二極管提供更高能效、更高功率密度和更低的系統(tǒng)成本
- 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體?(ON?Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ON)推出最新650?V碳化硅(SiC)肖特基二極管系列產(chǎn)品，擴展了SiC二極管產(chǎn)品組合。這些二極管的尖端碳化硅技術(shù)提供更高的開關(guān)性能、更低的功率損耗，并輕松實現(xiàn)器件并聯(lián)?！ “采腊雽?dǎo)體最新發(fā)布的650?V?SiC?二極管系列提供6安培(A)到50?A的表面貼裝和穿孔封裝。所有二極管均提供零反向恢復(fù)、低正向壓、不受溫度影響的電流穩(wěn)定性、高浪涌容
- 關(guān)鍵字： 安森美 SiC
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