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          IR推出新系列40V至200V車用MOSFET

          • 全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日推出車用 MOSFET 系列,可為一系列應用提供基準導通電阻 (Rds(on)) ,包括電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動發(fā)電機 (ISA) 泵和電機控制,以及內(nèi)燃機 (ICE) 和混合動力汽車平臺上的其它重載應用。
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          英飛凌推單P溝道40V汽車電源MOSFET

          •   英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用先進溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產(chǎn)品系列。全新的40V OptiMOS P2產(chǎn)品為能效改進、碳減排和成本節(jié)約樹立了行業(yè)新標桿,從而進一步鞏固英飛凌在新一代汽車電源管理應用領域的領導地位。   新推出的器件系列采用多種標準封裝,電流范圍為50A至180A,囊括30多個器件型號,其中包括通態(tài)電阻最低的車用P溝道40V MOSFET。180A是P溝道工藝的基準。
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          Intersil推出全球首款高速雙通道6A MOSFET驅(qū)動器

          • 2011 年 9 月 13 日— Intersil公司(納斯達克全球交易代碼:ISIL)今天推出業(yè)內(nèi)首款雙6A峰值電流驅(qū)動能力的雙通道MOSFET驅(qū)動器---ISL89367。此款獨特器件為設計人員提供了高速驅(qū)動多個并聯(lián)大電流功率MOSFET的集成解決方案,非常適合用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動器和D類放大器等應用。
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          英飛凌推出的汽車電源管理OptiMOS P2芯片

          • 英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)近日宣布推出采用先進溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產(chǎn)品系列。全新的40V OptiMOS P2產(chǎn)品為能效改進、碳減排和成本節(jié)約樹立了行業(yè)新標桿,從而進一步鞏固英飛凌在新一代汽車電源管理應用領域的領導地位。
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  MOSFET  40V OptiMOS P2  

          淺談如何提升輕載能效及降低待機功耗

          • 隨著家用電器、視聽產(chǎn)品的普及,辦公自動化的廣泛應用和網(wǎng)絡化的不斷發(fā)展,越來越多的產(chǎn)品具有了待機功能,以隨時...
          • 關(guān)鍵字: 待機功耗  MOSFET  

          MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路總結(jié)

          • 在使用MOS管設計開關(guān)電源或者馬達驅(qū)動電路的時候,大部分人都會考慮MOS的導通電阻,最大電壓等,最大電流等,也...
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  MOSFET驅(qū)動電路  

          PMOS開關(guān)管的選擇與電路圖

          • 首先要進行MOSFET的選擇,MOSFET有兩大類型:N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中,MOSFET可被看成電氣開關(guān)。當在N溝道M...
          • 關(guān)鍵字: PMOS  開關(guān)管  MOSFET  二極管  

          安森美半導體推出汽車級非同步升壓控制器

          •   應用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)推出用于汽車系統(tǒng)自安嶄新的可調(diào)節(jié)輸出非同步升壓控制器。   NCV8871是一款輸入電壓范圍為3.2伏(V)至44 V的寬輸入電壓器件,能用于驅(qū)動外部N溝道MOSFET。此器件包含的內(nèi)部穩(wěn)壓器為門驅(qū)動器提供電荷,它在休眠模式下的靜態(tài)電流為3.0微安(µA),使功耗降至最低。它還具有可同步開關(guān)頻率特性,提供兩種分別可設定為典型值170 kHz或是典型值1 MHz的版本
          • 關(guān)鍵字: 安森美半導體  MOSFET  非同步升壓控制器  NCV8871  

          富士電機擬擴增SiC功率半導體產(chǎn)線

          •   富士電機計劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導體,并在2012年前于該公司位于日本長野縣的松元制作所增設一條產(chǎn)線,此為該公司首次在自家工廠設置碳化硅功率半導體的產(chǎn)線,未來預計在2012年春季開始量產(chǎn)。   
          • 關(guān)鍵字: 富士電機  SiC  

          NXP推出超緊湊型中等功率MOSFET

          •   恩智浦半導體NXP 日前宣布推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑料封裝的超緊湊型中等功率晶體管和N溝道Trench MOSFET產(chǎn)品PBSM5240PF。DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑料封裝占位面積僅有2 x 2 mm,高度僅為0.65 mm,專門針對諸如移動設備等高性能消費產(chǎn)品的小型化發(fā)展趨勢而設計。   
          • 關(guān)鍵字: NXP  MOSFET  

          Vishay推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET

          • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,發(fā)布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiB437EDKT。此外,SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導通的此類器件。
          • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  

          恩智浦推出超緊湊型電源管理解決方案

          • 恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ: NXPI) 今日宣布推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑料封裝的超緊湊型中等功率晶體管和N溝道Trench MOSFET產(chǎn)品PBSM5240PF。DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑料封裝占位面積僅有2 x 2 mm,高度僅為0.65 mm,專門針對諸如移動設備等高性能消費產(chǎn)品的小型化發(fā)展趨勢而設計。
          • 關(guān)鍵字: 恩智浦  MOSFET  PBSM5240PF  

          Vishay將舉辦中國西部電源研討會

          • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布將于中國電子展同期舉辦中國西部電源研討會(West China Power Seminars),時間和地點分別是8月23日上午9點30分至12點10分在成都明悅大酒店,8月25日在西安曲江國際會展中心。每場研討會將有4位專家做技術(shù)報告,探討電容器、MOSFET、電源模塊、二極管和光耦合器在新能源、軍工、通信、工業(yè)電源和其他行業(yè)中的應用。研討會面向研發(fā)工程師,用中文講解,CEF的觀眾可以免費參加。
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          提供低損耗大功率的MOSFET

          • 硅功率二極管的PN結(jié)通常有大約1.2V的壓降。這個壓降使得功率二極管上消耗了相當?shù)哪芰?,從而造成電源效?..
          • 關(guān)鍵字: 低損耗  大功率  MOSFET  
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          sic mosfet介紹

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