sic-sbd 文章 進入sic-sbd技術(shù)社區(qū)
業(yè)界首款900V SiC MOSFET,導通電阻65 mΩ
- SiC市場領導者Cree(科銳公司)近期推出了首款能夠突破業(yè)界SiC功率器件技術(shù)的900V MOSFET平臺。該款升級版平臺，基于Cree的SiC平面技術(shù)從而擴展了產(chǎn)品組合，能夠應對市場更新的設計挑戰(zhàn)，可用于更高直流母線電壓。且領先于900V超結(jié)Si基MOSFET技術(shù)，擴大了終端系統(tǒng)的功率范圍，在更高溫度時仍能提供低導通電阻Rds(on)，大大減小了熱管理系統(tǒng)的尺寸，很好地解決了散熱及顯著降額的問題。與目前的Si基方案相比， 900V SiC MOSFET平臺為電源轉(zhuǎn)換設計者提供了更多的創(chuàng)新空間，方便
- 關鍵字： Cree SiC
EV/HEV市場可期 SiC/GaN功率器件步入快車道
- 根據(jù)Yole Development預測，功率晶體管將從硅晶徹底轉(zhuǎn)移至碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)基板，以期能在更小的空間中實現(xiàn)更高功率。 在最新出版的“GaN與SiC器件驅(qū)動電力電子應用”(GaN and SiC Devices for Power Electronics Applications)報告中，Yole Development指出，促進這一轉(zhuǎn)型的巨大驅(qū)動力量之一來自電動車(EV)與混合動力車(HEV)產(chǎn)業(yè)。Yole預期EV/HEV產(chǎn)業(yè)將持續(xù)大力推動Si
- 關鍵字： SiC GaN
專利設計發(fā)功 ROHM量產(chǎn)溝槽式SiC-MOSFET
- SiC-MOSFET技術(shù)新突破。羅姆半導體(ROHM)近日研發(fā)出采用溝槽(Trench)結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET，并已建立完整量產(chǎn)機制。新推出的溝槽式SiC-MOSFET和平面型SiC-MOSFET相比，可降低50%導通電阻，大幅降低太陽能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)用變流器等設備的功率損耗。 羅姆半導體功率元件制造部部長伊野和英(左2)表示，新發(fā)布的溝槽式SiC-MOSFET采用該公司獨有的雙溝槽結(jié)構(gòu)專利，目前已開始量產(chǎn)。 羅姆半導體應用設計支援部課長蘇建榮表示，相對于Si-IGBT，SiC
- 關鍵字： ROHM SiC-MOSFET
高精度的功率轉(zhuǎn)換效率測量
- 目前，電動汽車和工業(yè)馬達的可變速馬達驅(qū)動系統(tǒng)，其低損耗·高效率·高頻率的性能正在不斷進化。因為使用了以低電阻、高速開關為特點的SiC和GaN等新型功率元件的PWM變頻器和AC/DC轉(zhuǎn)換器、DC/DC轉(zhuǎn)換器，其應用系統(tǒng)的普及正在不斷加速。構(gòu)成這些系統(tǒng)的變頻器·轉(zhuǎn)換器·馬達等裝置的開發(fā)與測試則需要相較以前有著更高精度、更寬頻帶、更高穩(wěn)定性的能夠迅速測量損耗和效率的測量系統(tǒng)。 各裝置的損耗和效率與裝置的輸入功率和輸出功率同時測量，利用它們的差和比
- 關鍵字： SiC GaN 電流傳感器
一款專為SiC Mosfet設計的DC-DC模塊電源
- SiC Mosfet具有耐高壓、低功耗、高速開關的特質(zhì)，極大地提升了太陽能逆變器的電源轉(zhuǎn)換效率，拉長新能源汽車的可跑里程，應用在高頻轉(zhuǎn)換器上，為重型電機、工業(yè)設備帶來高效率、大功率、高頻率優(yōu)勢。。。。。。。據(jù)調(diào)查公司Yole developmet統(tǒng)計，SiC Mosfet現(xiàn)有市場容量為9000萬美元，估計在2013-2020年SiC Mosfet市場將每年增長39%。由此可預見，SiC即將成為半導體行業(yè)的新寵! SiC Mosfet對比Si IGBT主要有以下優(yōu)勢： i. 低導通電阻RDS
- 關鍵字： SiC Mosfet DC-DC
世界首家！ROHM開始量產(chǎn)采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET
- 全球知名半導體制造商ROHM近日于世界首家開發(fā)出采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET，并已建立起了完備的量產(chǎn)體制。與已經(jīng)在量產(chǎn)中的平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的導通電阻可降低50%，這將大幅降低太陽能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)設備用電源、工業(yè)用逆變器等所有相關設備的功率損耗。 另外，此次開發(fā)的SiC-MOSFET計劃將推出功率模塊及分立封裝產(chǎn)品，目前已建立起了完備的功率模塊產(chǎn)品的量產(chǎn)體制。前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)，后期工序的生產(chǎn)基地為
- 關鍵字： ROHM SiC-MOSFET
SiC功率器件的技術(shù)市場走勢
- 摘要：探討了SiC的技術(shù)特點及其市場與應用。 近期，全球知名半導體制造商ROHM在清華大學內(nèi)舉辦了以“SiC功率元器件技術(shù)動向和ROHM的SiC功率元器件產(chǎn)品”為主題的交流學習會。此次交流學習會上，ROHM在對比各種功率器件的基礎上，對SiC元器件的市場采用情況和發(fā)展趨勢做了分析，并對ROHM的SiC產(chǎn)品陣容、開發(fā)以及市場情況做了詳盡的介紹。 各種功率器件的比較 功率元器件主要用于轉(zhuǎn)換電源，包括四大類：逆變器、轉(zhuǎn)換器(整流器)、直流斬波器DC/DC轉(zhuǎn)換器、矩陣
- 關鍵字： SiC 功率器件 ROHM IGBT 201503
sic-sbd介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條sic-sbd!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對sic-sbd的理解，并與今后在此搜索sic-sbd的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對sic-sbd的理解，并與今后在此搜索sic-sbd的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
sic-sbd相關帖子
sic-sbd資料下載
sic-sbd專欄文章
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473