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新型激光材料加工專利大幅提升SiC生產(chǎn)率
- 日本 DISCO 公司的科學(xué)家們使用一種稱為關(guān)鍵無定形黑色重復(fù)吸收(key amorphous-black repetitive absorption，KABRA)的專利和正在申請專利的激光材料加工技術(shù)，可以將碳化硅(SiC)晶圓的生產(chǎn)率提升到原來的四倍，并且在提高產(chǎn)量的同時減少材料損耗。該技術(shù)適用于單晶和多晶錠，不管晶體層的取向如何。目前，SiC 功率器件在市場中的滲透較慢，主要是因為其產(chǎn)量小、且生產(chǎn)成本高。然而，KABRA 方法能夠顯著提高 SiC 器件的產(chǎn)量，并且應(yīng)該能夠使 SiC 器件作為功率
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“十三五”期間，功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)應(yīng)有怎樣的路線圖？
- 如果說中央處理器(CPU)是一臺計算機的心臟，功率半導(dǎo)體就是電機的心臟，它可以實現(xiàn)對電能的高效產(chǎn)生、傳輸、轉(zhuǎn)換、存儲和控制。我國發(fā)布《中國制造2025》，勾勒出未來十年產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級的整體方向與發(fā)展規(guī)劃，在此過程中，功率半導(dǎo)體發(fā)揮的作用不可替代。 然而，與集成電路產(chǎn)業(yè)相似，我國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平與國際先進水平也存在著巨大差距。人們常拿我國每年集成電路進口額與石油進行比較，其實如果按比例計算，我國功率半導(dǎo)體的進口替代能力可能更弱。隨著“節(jié)能減排”、“開發(fā)綠色
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第三代半導(dǎo)體技術(shù)、應(yīng)用、市場全解析
- 第一代半導(dǎo)體材料是元素半導(dǎo)體的天下，第一代半導(dǎo)體材料是化合物半導(dǎo)體材料，然而隨著半導(dǎo)體器件應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴大，特別是特殊場合要求半導(dǎo)體能夠在高溫、強輻射、大功率等環(huán)境下依然堅挺，第一、二代半導(dǎo)體材料便無能為力，于是賦予使命的第三代半導(dǎo)體材料——寬禁帶半導(dǎo)體材料誕生了。
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無畏氮化鎵角逐中功率市場 碳化硅功率元件/模組商機涌現(xiàn)
- 有鑒于全球環(huán)保意識抬頭，碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)兩種功率轉(zhuǎn)換材料備受矚目。其中，碳化矽掌握早期開發(fā)優(yōu)勢，其功率模組在再生能源與車用電子領(lǐng)域，商機已紛紛涌現(xiàn)。而主要鎖定低功率市場的氮化鎵，則將緩步進軍中功率市場。 可以彌補天然能源不足缺口的再生能源設(shè)備，為聚焦于中功率、高功率應(yīng)用的碳化矽創(chuàng)造大量需求。另一方面，近期豐田汽車(Toyota)在電動車中導(dǎo)入碳化矽(SiC)元件的測試結(jié)果也已出爐，其在改善能源效率、縮小電源控制系統(tǒng)(PCU)尺寸上的效果，明顯勝過矽元件。 臺達電技術(shù)長暨總
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Zaptec公司采用意法半導(dǎo)體先進的功率技術(shù)，開發(fā)出獨具特色的便攜式電動汽車充電器
- 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)的享譽業(yè)界的碳化硅(SiC)功率元器件，讓高科技創(chuàng)業(yè)公司Zaptec開發(fā)出世界上最小、最智能、最安全的電動汽車充電站ZapCharger。Zaptec是變壓器產(chǎn)業(yè)革命性的創(chuàng)新性初創(chuàng)公司。 作為市場首款內(nèi)置電子變壓器的電動汽車便攜式充電器，ZapCharger可以連接任何電網(wǎng)給任何電動汽車充電。意法半導(dǎo)體的SiC MOSFET[1]碳化硅功率芯片具有非凡的功率轉(zhuǎn)換性能，讓Zaptec工程師得以設(shè)
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SiC功率半導(dǎo)體市場將開始高速發(fā)展
- SiC功率半導(dǎo)體正進入多個應(yīng)用領(lǐng)域 當(dāng)首款碳化硅(SiC)二極管于2001年推出時，整個產(chǎn)業(yè)都對SiC功率半導(dǎo)體的未來發(fā)展存在疑慮，它會有市場嗎?它能夠真正實現(xiàn)商業(yè)化嗎?然而15年之后的今天，人們不再會有這樣的疑慮。SiC功率半導(dǎo)體市場是真實存在的，而且具有廣闊的發(fā)展前景。2015年，SiC功率半導(dǎo)體市場(包括二極管和晶體管)規(guī)模約為2億美元，到2021年，其市場規(guī)模預(yù)計將超過5.5億美元，這期間的復(fù)合年均增長率預(yù)計將達19%。毫無懸念，消耗大量二極管的功率因素校正(powerfactorcor
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SiC使通訊電源PFC設(shè)計更高效、更簡單
- 通訊電源是服務(wù)器，基站通訊的能源庫，為各種傳 輸設(shè)備提供電能，保證通訊系統(tǒng)正常運行，通信電源系統(tǒng)在整個通信行業(yè)中占的比例比較小，但它是整個通信網(wǎng)絡(luò)的關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施，是通信網(wǎng)絡(luò)上一個完整而又不可 替代的關(guān)鍵部件。通信電源產(chǎn)品種類繁多，一般集中放在機房里，如圖1所示?！ ?nbsp; 圖1：通訊電源機房 目前主流的通訊電源，其參數(shù)如下： ? 輸入電壓AC:90-264V 50/60Hz ? 輸出功率：2kw ?
- 關(guān)鍵字： SiC PFC
英飛凌推出具備更大爬電距離的寬體封裝，進一步擴大緊湊型門級驅(qū)動產(chǎn)品陣容
- 英飛凌科技股份公司為其EiceDRIVER? Compact隔離型門級驅(qū)動IC產(chǎn)品家族帶來了寬體封裝新成員。全新1EDI Compact 300 mil器件采用DSO-8 300 mil封裝，可增大爬電距離并改善熱性能?！ ∪翴C的爬電距離為8 mm，輸入至輸出隔離電壓1200 V。它們專為驅(qū)動高壓功率MOSFET和IGBT而設(shè)計。目標(biāo)應(yīng)用包括通用和光伏逆變器、工業(yè)變頻器、電動汽車充電站、焊接設(shè)備及商用和農(nóng)用車等。優(yōu)化的
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sic介紹
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導(dǎo)體材料，具有多種同素異構(gòu)類型。其典型結(jié)構(gòu)可分為兩類：一類是閃鋅礦結(jié)構(gòu)的立方SiC晶型，稱為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數(shù)目；另一類是六角型或菱形結(jié)構(gòu)的大周期結(jié)構(gòu)，其中典型的有6H、4H、15R等，統(tǒng)稱為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能.
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