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sk海力士文章進(jìn)入sk海力士技術(shù)社區(qū)

消息稱 SK 海力士考慮推動(dòng) NAND 業(yè)務(wù)子公司 Solidigm 在美 IPO

IT之家 7 月 29 日消息，綜合外媒《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》（Hankyung）與 Blocks & Files 報(bào)道，SK 海力士考慮推動(dòng) NAND 閃存與固態(tài)硬盤子公司 Solidigm 在美 IPO。SK 海力士于 2020 年 10 月宣布收購(gòu)英特爾 NAND 與 SSD 業(yè)務(wù)，而 Solidigm 是 SK 海力士于 2021 年底完成收購(gòu)第一階段后成立的獨(dú)立美國(guó)子公司。▲ Solidigm D5-P5336，E1.L 規(guī)格，61.44TB由于內(nèi)外部因素的共同影響，Sol
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全球三大廠HBM沖擴(kuò)產(chǎn) 明年倍增

AI應(yīng)用熱！SK海力士、三星及美光等全球前三大內(nèi)存廠，積極投入高帶寬內(nèi)存（HBM）產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃，市場(chǎng)人士估計(jì)，2025年新增投片量約27.6萬(wàn)片，總產(chǎn)能拉高至54萬(wàn)片，年增105％。 HBM是AI芯片占比最高的零組件，根據(jù)外媒拆解，英偉達(dá)H100近3,000美元成本，SK海力士HBM成本就占2,000美元，超過(guò)生產(chǎn)封裝。HBM經(jīng)歷多次迭代發(fā)展，進(jìn)入第四代HBM3和第五代HBM3E，AI芯片相繼采用HBM3E，SK海力士在2023年基本上是壟斷HBM3市場(chǎng)，而2024年HBM3與HBM3E訂單都滿載。美光2
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SK海力士砸750億美元力拚AI

韓國(guó)SK集團(tuán)30日宣布，旗下內(nèi)存制造商SK海力士將在2028年前投資103兆韓元（約750億美元）強(qiáng)化芯片事業(yè)，尤其將著重AI發(fā)展。SK集團(tuán)日前剛結(jié)束為期兩天的策略會(huì)議，并于會(huì)后宣布全力發(fā)展AI價(jià)值鏈，將SK海力士的技術(shù)應(yīng)用在高帶寬內(nèi)存芯片（HBM）、AI數(shù)據(jù)中心及AI語(yǔ)音助理等領(lǐng)域。SK集團(tuán)指出，上述103兆韓元當(dāng)中將有80％，也就是大約82兆韓元（約600億美元）投入發(fā)展HBM。 HBM廣泛應(yīng)用在生成式AI芯片組，且SK海力士目前是輝達(dá)的HBM3獨(dú)家芯片供貨商。今年第一季SK海力士營(yíng)收年增超過(guò)1倍至1
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SK海力士開(kāi)發(fā)面向AI PC的高性能固態(tài)硬盤‘PCB01’

- SK海力士28日宣布，公司開(kāi)發(fā)出用于端側(cè)（On-Device）AI* PC的業(yè)界最高性能固態(tài)硬盤（SSD，Solid State Drive）產(chǎn)品‘PCB01’。* 端側(cè)（On-Device）AI：在設(shè)備本身上實(shí)現(xiàn)AI運(yùn)行，而非依賴物理分離的服務(wù)器進(jìn)行計(jì)算。由于智能手機(jī)或PC等終端設(shè)備自行收集信息并進(jìn)行計(jì)算，可提升AI功能的反應(yīng)速度、加強(qiáng)用戶定制性AI服務(wù)功能。SK海力士表示：“公司業(yè)界率先將PCB01適用了‘PCIe* 5.0 x8接口**’技術(shù)，以顯著提升數(shù)據(jù)處理速度等性能。繼HBM等超高性能DR
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SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破：良品率已達(dá)56.1%

6月25日消息，據(jù)媒體報(bào)道，SK海力士在近期于美國(guó)夏威夷舉行的VLSI 2024峰會(huì)上，重磅發(fā)布了關(guān)于3D DRAM技術(shù)的最新研究成果，展示了其在該領(lǐng)域的深厚實(shí)力與持續(xù)創(chuàng)新。據(jù)最新消息，SK海力士在3D DRAM技術(shù)的研發(fā)上取得了顯著進(jìn)展，并首次詳細(xì)公布了其開(kāi)發(fā)的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術(shù)的開(kāi)發(fā)，并已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達(dá)56.1%，這一數(shù)據(jù)意味著在單個(gè)測(cè)試晶圓上，能夠成功制造出約1000個(gè)3D DRAM單元，其中超過(guò)一半（即561個(gè)）為良
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美國(guó)對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體制裁下：韓國(guó)最杯具半導(dǎo)體設(shè)備賣不出庫(kù)存積壓嚴(yán)重

6月25日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道稱，自從美國(guó)對(duì)中國(guó)實(shí)施半導(dǎo)體領(lǐng)域制裁以來(lái)，韓國(guó)最難受，因?yàn)槠浒雽?dǎo)體舊設(shè)備庫(kù)存積壓嚴(yán)重。韓國(guó)半導(dǎo)體舊設(shè)備庫(kù)存積壓嚴(yán)重，倉(cāng)儲(chǔ)成本讓三星電子、SK海力士非常難受，所以可能會(huì)進(jìn)行一次全面清理，售賣來(lái)自美國(guó)和歐洲的舊設(shè)備，以換取數(shù)億美元現(xiàn)金。自2022年10月起美國(guó)開(kāi)始限制對(duì)華半導(dǎo)體設(shè)備出口（包括二手設(shè)備）以來(lái)，韓國(guó)半導(dǎo)體制造商已將大部分舊設(shè)備放在倉(cāng)庫(kù)中。在美國(guó)的壓力下，三星僅向中國(guó)出售較舊的、更容易制造的后段工藝設(shè)備，但不出售前段工藝設(shè)備；SK海力士同樣不出售來(lái)自美國(guó)、歐洲的舊的前段
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整合計(jì)算和高速緩存功能，SK 海力士探索 HBM4E 新封裝方案

IT之家 5 月 29 日消息，SK 海力士計(jì)劃在 HBM4E 內(nèi)存中集成更多功能，從而將 HBM 產(chǎn)業(yè)推向一個(gè)新的高度。SK 海力士正在積極探索 HBM4E 內(nèi)存，嘗試推出可以整合計(jì)算、高速緩存和網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器等多種功能的 HBM 類型，進(jìn)一步提高能效和信號(hào)傳輸速度。IT之家援引韓媒 ETNews 報(bào)道，該方案目前依然停留在概念階段，不過(guò) SK 海力士已經(jīng)著手設(shè)計(jì)相關(guān) IP 朝著這個(gè)目標(biāo)邁進(jìn)。SK 海力士計(jì)劃在 HBM 上集成內(nèi)存控制器，內(nèi)存控制器置于其 HBM 結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)芯片上，賦予第
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SK 海力士出席戴爾科技全球峰會(huì)，展示 PVC10 固態(tài)硬盤等存儲(chǔ)新品

IT之家 5 月 22 日消息，在北京時(shí)間本月 21 日至 24 日舉行的戴爾科技全球峰會(huì)上，SK 海力士帶來(lái)了多款存儲(chǔ)領(lǐng)域新品，涵蓋內(nèi)存、固態(tài)硬盤品類。在消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤領(lǐng)域，SK 海力士展示了尚未正式公布的 PVC10 固態(tài)硬盤。PVC10 采用 PCIe Gen4x4 規(guī)格，支持 M.2 2230/2242/2280 三種物理規(guī)格，可選 256GB~1TB 容量。限于圖片分辨率，IT之家無(wú)法確認(rèn) PVC10 的具體讀寫性能，預(yù)計(jì)將強(qiáng)于此前推出的 BC901。而在企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤方面，SK 海力
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三星和SK海力士計(jì)劃今年下半年將停產(chǎn)DDR3

近兩年，DRAM市場(chǎng)已經(jīng)開(kāi)始從DDR4內(nèi)存向DDR5內(nèi)存過(guò)渡，此外在存儲(chǔ)器市場(chǎng)經(jīng)歷低迷后，供應(yīng)商普遍減少了DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)并降低了庫(kù)存水平。DDR3內(nèi)存的市場(chǎng)需求量進(jìn)一步減少，更多地被DDR4和DDR5內(nèi)存所取代。據(jù)市場(chǎng)消息稱，全球頭部DRAM供貨商三星、SK海力士將在下半年停止供應(yīng)DDR3內(nèi)存，全力沖刺高帶寬內(nèi)存（HBM）與主流DDR5規(guī)格內(nèi)存。隨著三星和SK海力士停產(chǎn)DDR3內(nèi)存，很可能帶動(dòng)DDR3內(nèi)存的價(jià)格上漲，預(yù)計(jì)漲幅最高可達(dá)20%。三星已經(jīng)通知客戶將在本季度末停產(chǎn)DDR3；而SK海力士則在去年
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消息稱 SK 海力士將為特斯拉代工生產(chǎn)電源管理芯片

IT之家 5 月 16 日消息，韓國(guó)每日經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)道稱，SK 海力士代工部門啟方半導(dǎo)體（SK Key Foundry）將于今年下半年開(kāi)始為特斯拉生產(chǎn)電源管理（PMIC）芯片?！?圖源：SK Key Foundry業(yè)內(nèi)人士表示，SK 啟方半導(dǎo)體計(jì)劃最早于 7 月在忠清北道清州工廠的 8 英寸晶圓廠生產(chǎn)電源管理芯片，并安裝在特斯拉電動(dòng)汽車上。除了特斯拉之外，SK 啟方半導(dǎo)體還在汽車功率半導(dǎo)體領(lǐng)域與多個(gè)全球車企展開(kāi)合作，近期還通過(guò)了博世、大陸集團(tuán)等全球領(lǐng)先汽車零部件公司的生產(chǎn)質(zhì)量審查。半導(dǎo)體
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DDR3內(nèi)存正式終結(jié)！三星、SK海力士停產(chǎn) 漲價(jià)20％

5月15日消息，據(jù)市場(chǎng)消息稱，三星、SK海力士將在下半年停止生產(chǎn)、供應(yīng)DDR3內(nèi)存，轉(zhuǎn)向利潤(rùn)更豐厚的DDR5內(nèi)存、HBM系列高帶寬內(nèi)存。DDR3雖然在技術(shù)、性能上已經(jīng)落伍，PC、服務(wù)器都不再使用，但因?yàn)榉浅３墒欤暮蛢r(jià)格都很低，在嵌入式領(lǐng)域依然大有可為，尤其是Wi-Fi路由器、網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)等。但對(duì)于芯片廠商來(lái)說(shuō)，DDR3利潤(rùn)微薄，無(wú)利可圖，形同雞肋。而在AI的驅(qū)動(dòng)下，HBM高帶寬內(nèi)存需求飆升，產(chǎn)能遠(yuǎn)遠(yuǎn)無(wú)法滿足，2024年和2025年的大部分產(chǎn)能都已經(jīng)被訂滿，HBM2E、HBM3、HBM3E等的價(jià)格預(yù)計(jì)明年
關(guān)鍵字：存儲(chǔ) DDR3 三星 SK海力士

SK海力士出售無(wú)錫晶圓廠

據(jù)韓媒報(bào)道，SK海力士子公司SK海力士系統(tǒng)集成電路（SK Hynix System IC）計(jì)劃將其持有的無(wú)錫晶圓廠（SK Hynix System IC (Wuxi) Limited）49.9%的股權(quán)，轉(zhuǎn)讓給中國(guó)無(wú)錫產(chǎn)業(yè)發(fā)展集團(tuán)有限公司（以下簡(jiǎn)稱“無(wú)錫產(chǎn)業(yè)發(fā)展集團(tuán)”）。報(bào)道稱，交易將在今年10月份完成。這一戰(zhàn)略舉措旨在進(jìn)一步加強(qiáng)無(wú)錫晶圓廠與中國(guó)市場(chǎng)的聯(lián)系，并擴(kuò)大其在中國(guó)市場(chǎng)的業(yè)務(wù)布局。據(jù)悉，本次股權(quán)轉(zhuǎn)讓計(jì)劃分為兩個(gè)階段。第一階段，SK海力士系統(tǒng)集成電路將以約2054億韓元（約合10.87億元人民幣）的價(jià)格
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SK海力士開(kāi)發(fā)新一代移動(dòng)端NAND閃存解決方案“ZUFS 4.0”

· 作為業(yè)界最高性能產(chǎn)品，將于今年第3季度開(kāi)始量產(chǎn)并搭載于端側(cè)AI手機(jī)· 與前一代產(chǎn)品相比，長(zhǎng)期使用所導(dǎo)致的性能下降方面實(shí)現(xiàn)大幅改善，其使用壽命也提升40%· “繼HBM后，也在NAND閃存解決方案領(lǐng)域引領(lǐng)面向AI的存儲(chǔ)器市場(chǎng)”2024年5月9日，SK海力士宣布，公司開(kāi)發(fā)出用于端側(cè)（On-Device）AI*的移動(dòng)端NAND閃存解決方案產(chǎn)品“ZUFS**（Zoned UFS）4.0”。SK海力士表示：“ZUFS 4.0為新一代移動(dòng)端NAND閃存解決方案產(chǎn)品，其產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)業(yè)界最高
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SK海力士試圖用低溫蝕刻技術(shù)生產(chǎn)400多層的3D NAND

在-70°C 下工作的蝕刻工具有獨(dú)特的性能。
關(guān)鍵字： SK海力士 3D NAND

累計(jì)上漲100%還不停！消息稱SK海力士將對(duì)內(nèi)存等漲價(jià) 至少上調(diào)20%

5月6日消息，供應(yīng)鏈爆料稱，SK海力士將對(duì)旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等產(chǎn)品提價(jià)，漲幅均有15%-20%。按照消息人士的說(shuō)法，海力士DRAM產(chǎn)品價(jià)格從去年第四季度開(kāi)始逐月上調(diào)，目前已累計(jì)上漲約60%-100%不等，下半年漲幅將趨緩。靠著存儲(chǔ)漲價(jià)，三星電子2024年第一季營(yíng)業(yè)利潤(rùn)達(dá)到了6.606萬(wàn)億韓元。財(cái)報(bào)顯示，三星電子一季度存儲(chǔ)業(yè)務(wù)營(yíng)收17.49萬(wàn)億韓元，環(huán)比增長(zhǎng)11%，同比暴漲96%，在整體的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營(yíng)收當(dāng)中的占比高達(dá)75.58%。三星表示，一季度存儲(chǔ)市場(chǎng)總體需求強(qiáng)勁，特別是生
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sk海力士介紹

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整合計(jì)算和高速緩存功能，SK 海力士探索 HBM4E 新封裝方案

SK 海力士出席戴爾科技全球峰會(huì)，展示 PVC10 固態(tài)硬盤等存儲(chǔ)新品

三星和SK海力士計(jì)劃今年下半年將停產(chǎn)DDR3

消息稱 SK 海力士將為特斯拉代工生產(chǎn)電源管理芯片

DDR3內(nèi)存正式終結(jié)！三星、SK海力士停產(chǎn) 漲價(jià)20％

SK海力士出售無(wú)錫晶圓廠

SK海力士開(kāi)發(fā)新一代移動(dòng)端NAND閃存解決方案“ZUFS 4.0”

SK海力士試圖用低溫蝕刻技術(shù)生產(chǎn)400多層的3D NAND

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