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安森美半導(dǎo)體發(fā)布碳化硅(SiC)二極管用于要求嚴苛的汽車應(yīng)用
- 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON),發(fā)布了碳化硅(SiC)肖特基二極管的擴展系列,包括專門用于要求嚴苛的汽車應(yīng)用的器件。新的符合AEC-Q101車規(guī)的汽車級SiC二極管提供現(xiàn)代汽車應(yīng)用所需的可靠性和強固性,以及等同于寬禁隙(WBG)技術(shù)的眾多性能優(yōu)勢?! iC技術(shù)提供比硅器件更佳的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC二極管沒有反向恢復(fù)電流,開關(guān)性能與溫度無關(guān)。極佳的熱性能、增加的功率密度和降低的電磁干擾(EMI),減小的系統(tǒng)尺寸和降低的成本使SiC
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美高森美繼續(xù)擴大碳化硅產(chǎn)品組合提供 下一代1200 V SiC MOSFET樣品和700 V肖特基勢壘二極管器件
- 致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化的領(lǐng)先半導(dǎo)體技術(shù)方案供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布在下季初擴大其碳化硅(SiC) MOSFET 和SiC二極管產(chǎn)品組合,包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的樣品,及下一代700 V、50 A 肖特基勢壘二極管(SBD)和相應(yīng)的裸片。美高森美將參展6月5日至7日在德國紐倫堡展覽中心舉行的PCIM歐洲電力電子展,在6號展廳318展臺展示這些SiC解決方案以及SiC SBD
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ROHM集團Apollo筑后工廠將投建新廠房, 以強化SiC功率元器件的產(chǎn)能
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM為加強需求日益擴大的SiC功率元器件的生產(chǎn)能力,決定在ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)的筑后工廠投建新廠房?! ⌒聫S房為地上3層建筑,總建筑面積約11,000㎡?,F(xiàn)在,具體設(shè)計工作正在有條不紊地進行,預(yù)計將于2019年動工,于2020年竣工?! OHM自2010年開始量產(chǎn)SiC功率元器件(SiC-SBD、SiC-MOSFET)以來,于世界首家量產(chǎn)“全SiC”功率模塊和溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET,不斷進行著領(lǐng)先業(yè)界的技
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SiC和GaN產(chǎn)品市場趨勢及力特提供的產(chǎn)品
- 硅半導(dǎo)體器件在過去數(shù)十年間長期占據(jù)著電子工業(yè)的統(tǒng)治地位,它鑄就了電子世界的核心,覆蓋我們?nèi)粘I钪械慕^大部分應(yīng)用。寬禁帶電子器件,以碳化硅和氮化鎵的形式,因其自身有著傳統(tǒng)的硅技術(shù)無法克服的優(yōu)勢正在日益普及。
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新一代功率器件動向:SiC和GaN
- 更為嚴格的行業(yè)標準和政府法規(guī)的變遷是更高能效產(chǎn)品的關(guān)鍵驅(qū)動因素。例如數(shù)據(jù)中心正呈指數(shù)級增長以跟上需求,其耗電量約占全球總電力供應(yīng)量(+ 400TWh)的3%,也占總溫室氣體排放量的2%,與航空業(yè)的碳排放量相同。在這些巨大的能源需求之下,各地政府正加緊實施更嚴格的標準和新的法規(guī),以確保所有依賴能源的產(chǎn)品必須達到最高能效。
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新發(fā)現(xiàn)!SiC可用于安全量子通信
- 使用單光子作為量子位的載體可以在量子數(shù)據(jù)傳輸期間實現(xiàn)可靠的安全性。研究人員發(fā)現(xiàn),目前可以通過某現(xiàn)有材料建立一個系統(tǒng),能在常溫條件下可靠地產(chǎn)生單光子。 來自莫斯科物理技術(shù)學(xué)院(MIPT)的一個研究小組展示通過使用基于碳化硅(SiC)光電子半導(dǎo)體材料的單光子發(fā)射二極管,每秒可以發(fā)射多達數(shù)十億個光子。研究人員進一步表明,SiC色心的電致發(fā)光可用于將無條件的安全量子通信線路中的數(shù)據(jù)傳輸速率提高到1Gbps以上。 量子密碼術(shù)與傳統(tǒng)的加密算法不同,它依賴于物理定律。在不改變原始信息的情況下,是無法
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受惠5G及汽車科技 SiC及GaN市場前景向好
- 相較目前主流的硅晶圓(Si),第三代半導(dǎo)體材料SiC及GaN除了耐高電壓的特色外,也分別具備耐高溫與適合在高頻操作下的優(yōu)勢,不僅可使芯片面積可大幅減少,并能簡化周邊電路的設(shè)計,達到減少模組、系統(tǒng)周邊的零組件及冷卻系統(tǒng)的體積。根據(jù)估計,2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達1.8億美元,而GaN基板產(chǎn)值僅約3百萬美元。 此外,除了輕化車輛設(shè)計之外,因第三代半導(dǎo)體的低導(dǎo)通電阻及低切換損失的特性,也能大幅降低車輛運轉(zhuǎn)時的能源轉(zhuǎn)換損失,兩者對于電動車續(xù)航力的提升有相當?shù)膸椭?。因此?/li>
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ROHM攜汽車電子及工業(yè)設(shè)備市場產(chǎn)品強勢登陸“2018慕尼黑上海電子展”
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM于2018年3月14日--16日參加了在上海新國際展覽中心舉辦的"2018慕尼黑上海電子展(electronica?China?2018)"?! 澳侥岷谏虾k娮诱?不僅是亞洲領(lǐng)先的電子行業(yè)展覽,還是行業(yè)內(nèi)最重要的盛會之一。ROHM在此次展會上以“汽車電子”和“工業(yè)設(shè)備”為軸,為大家呈現(xiàn)包括“汽車電子”、?“模擬”、“電源”、“傳感器”以及“移動設(shè)備”在內(nèi)的5大解決方案展區(qū),囊括了業(yè)界領(lǐng)先的強大產(chǎn)品陣容。另外,為此
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慕展:功率電子、微波通信、阻容感、材料、結(jié)構(gòu)件領(lǐng)域的最新產(chǎn)品 都在世強
- 慕尼黑上海電子展舉辦,作為亞洲第一電子大展,展會吸引了數(shù)萬名電子行業(yè)的觀眾到場參觀學(xué)習(xí)。而全球先進的元件分銷商——世強元件電商,則攜物聯(lián)網(wǎng)、汽車、微波通信、功率電子、工業(yè)控制及自動化、結(jié)構(gòu)件、阻容感、材料、測試測量等九大領(lǐng)域的最新產(chǎn)品及方案亮相。 憑借集成電路、元件、材料、部件、儀器、阻容感等全品類的電子元器件展示,以及NB-IOT、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、無線充電與快充、工業(yè)4.0、人工智能、樓宇照明、智能網(wǎng)聯(lián)汽車、新能源汽車、5G通信、藍牙Mesh等眾多熱門市場的最新產(chǎn)品的展示,世強元件電商吸引了大批工程師
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5G和交通電氣化的核心是SiC和GaN功率射頻器件
- 據(jù)麥姆斯咨詢報道,一些非常重要的市場趨勢正在推動化合物半導(dǎo)體器件在關(guān)鍵行業(yè)的應(yīng)用,化合物半導(dǎo)體正在強勢回歸。這些趨勢主要包括第五代(5G)無線網(wǎng)絡(luò)協(xié)議、無人駕駛和自動汽車、交通電氣化、增強現(xiàn)實和虛擬現(xiàn)實(AR/VR)。這些應(yīng)用正在推動3D傳感的應(yīng)用,提高功率模塊效率和更高頻率的通信應(yīng)用。所有這些新發(fā)展背后的關(guān)鍵器件都是由化合物半導(dǎo)體制造而成。科銳(Cree)和英飛凌(Infineon)近日關(guān)于SiC材料、SiC功率器件和GaN射頻(RF)器件的最新公告,還僅僅是化合物半導(dǎo)體應(yīng)用的冰山一角。 我們
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安森美半導(dǎo)體的碳化硅(SiC)二極管提供更高能效、更高功率密度和更低的系統(tǒng)成本
- 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體?(ON?Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)推出最新650?V碳化硅(SiC)肖特基二極管系列產(chǎn)品,擴展了SiC二極管產(chǎn)品組合。這些二極管的尖端碳化硅技術(shù)提供更高的開關(guān)性能、更低的功率損耗,并輕松實現(xiàn)器件并聯(lián)?! “采腊雽?dǎo)體最新發(fā)布的650?V?SiC?二極管系列提供6安培(A)到50?A的表面貼裝和穿孔封裝。所有二極管均提供零反向恢復(fù)、低正向壓、不受溫度影響的電流穩(wěn)定性、高浪涌容
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納微半導(dǎo)體將在中國臺灣的電源設(shè)計技術(shù)論壇活動上
- 納微 (Navitas)半導(dǎo)體宣布其現(xiàn)場應(yīng)用及技術(shù)營銷總監(jiān)黃萬年將在2018年1月30日于中國臺北舉辦的“2018前瞻電源設(shè)計與功率組件技術(shù)論壇”上發(fā)表“利用氮化鎵(GaN)功率IC實現(xiàn)下一代電源適配器設(shè)計”的主題演講。他將分享如何利用業(yè)內(nèi)首個及唯一的氮化鎵(GaN)功率IC在各種電力系統(tǒng)中顯著提高速度、效率和密度的嶄新見解。納微是這項活動的銀級贊助商,該活動為具有創(chuàng)新性的制造商、合作伙伴及客戶提供了一個交互論壇,以交流加速采用新型氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)器件的專業(yè)知識。 黃萬年
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