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ROHM：國(guó)際半導(dǎo)體巨頭的“小”追求和“低”要求

　　近年來(lái)，隨著柔性屏幕、觸控技術(shù)和全息技術(shù)在消費(fèi)電子領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛，智能手機(jī)、平板電腦等智能終端功能越來(lái)越多樣化。加上可穿戴設(shè)備的興起、汽車(chē)電子的發(fā)展、通信設(shè)備的微型化，設(shè)備內(nèi)部印制電路板所需搭載的半導(dǎo)體器件數(shù)大幅提升，而在性能不斷提升的同時(shí)，質(zhì)量和厚度卻要求輕便、超薄。有限的物理空間加上大量的器件需求，對(duì)電子元器件的小型化、薄型化以及高精度、高可靠性提出了更高的要求，各個(gè)領(lǐng)域元器件小型化的需求日益高漲。小型化不僅是過(guò)去幾年的發(fā)展方向，也是將來(lái)的趨勢(shì)。　　談到元器件的小型化，我們就不得不提為此作
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SiC功率半導(dǎo)體將在2016年形成市場(chǎng) 成為新一輪趨勢(shì)

　　矢野經(jīng)濟(jì)研究所2014年8月4日公布了全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的調(diào)查結(jié)果。　　全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模的推移變化和預(yù)測(cè)(出處：矢野經(jīng)濟(jì)研究所) 　　2013年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模(按供貨金額計(jì)算)比上年增長(zhǎng)5.9%，為143.13億美元。雖然2012年為負(fù)增長(zhǎng)，但2013年中國(guó)市場(chǎng)的需求恢復(fù)、汽車(chē)領(lǐng)域的穩(wěn)步增長(zhǎng)以及新能源領(lǐng)域設(shè)備投資的擴(kuò)大等起到了推動(dòng)作用。　　預(yù)計(jì)2014年仍將繼續(xù)增長(zhǎng)，2015年以后白色家電、汽車(chē)及工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的需求有望擴(kuò)大。矢野經(jīng)濟(jì)研究所預(yù)測(cè)，2020年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)
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SiC對(duì)醫(yī)療設(shè)備電源為最佳選擇，三菱電機(jī)展示高頻功率模塊

　　三菱電機(jī)開(kāi)發(fā)出了支持50kHz左右高頻開(kāi)關(guān)動(dòng)作的工業(yè)設(shè)備用混合SiC功率半導(dǎo)體模塊，并在7月23～25日舉辦的“日本尖端技術(shù)展(TECHNO-FRONTIER)2014”上展示。該模塊組合了高頻用Si-IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC-SBD(肖特基勢(shì)壘二極管)，從2014年5月開(kāi)始樣品供貨。　　據(jù)介紹，新產(chǎn)品可用于光伏發(fā)電用逆變器等多種工業(yè)設(shè)備，尤其適合經(jīng)常采用高開(kāi)關(guān)頻率的醫(yī)療設(shè)備用電源。新產(chǎn)品有6種，耐壓均為1200V，額定電流為100A～600A不等。通過(guò)采
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萊迪思最新推出iCE40 Ultra產(chǎn)品系列加速移動(dòng)設(shè)備的“殺手級(jí)”功能定制

　　萊迪思半導(dǎo)體公司超低功耗、小尺寸、客制化解決方案的FPGA市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者，今日宣布推出iCE40 Ultra™產(chǎn)品系列，獨(dú)家集成了紅外遙控、條形碼、觸控、用戶識(shí)別、計(jì)步器等新興功能以及可供定制的極大靈活性，使消費(fèi)類(lèi)移動(dòng)電子設(shè)備制造商能夠快速實(shí)現(xiàn)體現(xiàn)產(chǎn)品差異化的“殺手級(jí)”功能。　　相比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的解決方案，iCE40 Ultra FPGA在提供5倍更多功能的同時(shí)減小了30%的尺寸。并且相比以前的器件，功耗降低高達(dá)75%。上述優(yōu)勢(shì)為開(kāi)發(fā)者們實(shí)現(xiàn)了更緊湊的設(shè)計(jì)布局和更長(zhǎng)的電
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東芝擴(kuò)大650V碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管產(chǎn)品陣容

　　東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布，該公司將通過(guò)添加TO-220F-2L絕緣封裝產(chǎn)品擴(kuò)大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)系列產(chǎn)品。四款新產(chǎn)品將擴(kuò)大現(xiàn)有TO-220-2L封裝產(chǎn)品的6A、8A、10A和12A陣容。量產(chǎn)出貨即日啟動(dòng)?！　BD適合各種應(yīng)用，包括光伏發(fā)電系統(tǒng)用的服務(wù)器電源和功率調(diào)節(jié)器。此外，它還可作為開(kāi)關(guān)電源中的硅二極管的替換件，能夠?qū)⑿侍嵘?0%(東芝調(diào)查)?！　iC功率器件提供比當(dāng)前硅器件更加穩(wěn)定的運(yùn)行，即便是在高電壓
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美國(guó)阿肯色大學(xué)設(shè)計(jì)工作溫度超過(guò)350°C的SiC基集成電路

　　美國(guó)阿肯色大學(xué)研究人員已經(jīng)設(shè)計(jì)出可在溫度高于350°C (大約660°F)時(shí)工作的集成電路。該研究由美國(guó)國(guó)家科學(xué)基金(NSF)提供資助，研究成果可以提高用于電力電子設(shè)備、汽車(chē)和航空航天設(shè)備領(lǐng)域的處理器、驅(qū)動(dòng)器、控制器和其他模擬與數(shù)字電路的功能，因?yàn)樗羞@些應(yīng)用場(chǎng)合的電子設(shè)備都必須在高溫甚至經(jīng)常在極限溫度下運(yùn)行。　　阿肯色大學(xué)電子工程學(xué)院特聘教授Alan Mantooth說(shuō)，“堅(jiān)固性允許這些電路被放置在標(biāo)準(zhǔn)硅基電路部件無(wú)法工作的地方。我們?cè)O(shè)計(jì)了性能優(yōu)越的信號(hào)處理電路模
關(guān)鍵字： SiC 集成電路

東芝擴(kuò)大650V碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管產(chǎn)品陣容

　　東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布，該公司將通過(guò)添加TO-220F-2L絕緣封裝產(chǎn)品擴(kuò)大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)系列產(chǎn)品。四款新產(chǎn)品將擴(kuò)大現(xiàn)有TO-220-2L封裝產(chǎn)品的6A、8A、10A和12A陣容。量產(chǎn)出貨即日啟動(dòng)?！　BD適合各種應(yīng)用，包括光伏發(fā)電系統(tǒng)用的服務(wù)器電源和功率調(diào)節(jié)器。此外，它還可作為開(kāi)關(guān)電源中的硅二極管的替換件，能夠?qū)⑿侍嵘?0%(東芝調(diào)查)?！　iC功率器件提供比當(dāng)前硅器件更加穩(wěn)定的運(yùn)行，即便是在高電壓
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美國(guó)阿肯色大學(xué)設(shè)計(jì)工作溫度超過(guò)350°C的SiC基集成電路

美國(guó)設(shè)計(jì)出可在溫度高于350°C 時(shí)工作的集成電路，該產(chǎn)品可以用于高溫甚至極溫下運(yùn)行的航空航天設(shè)備......
關(guān)鍵字： SiC 集成電路

東芝電子攜多款功率器件產(chǎn)品參加PCIM 2014

　　日本半導(dǎo)體制造商株式會(huì)社東芝(Toshiba)旗下東芝半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司宣布，將參加在上海舉行的“上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)”(PCIM Asia 2014 )。本次展會(huì)于2014年6月17日至19日在上海世博展覽館拉開(kāi)帷幕，東芝半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司此次將展示其最新的、應(yīng)用在電力領(lǐng)域的技術(shù)和產(chǎn)品。　　展示產(chǎn)品簡(jiǎn)介:　　1. IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor)　　東芝在IGBT的基礎(chǔ)上成功研發(fā)出“注入增強(qiáng)”(IE：Inject
關(guān)鍵字：東芝 IEGT SiC

美高森美發(fā)布用于高壓工業(yè)應(yīng)用的創(chuàng)新SiC MOSFET系列繼續(xù)保持在碳化硅解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位

　　致力于提供功率、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC) 推出全新碳化硅(Silicon Carbide, SiC) MOSFET產(chǎn)品系列 ─ 1200V解決方案。這系列創(chuàng)新SiC MOSFET器件設(shè)計(jì)用于效率至關(guān)重要的大功率工業(yè)應(yīng)用，包括用于太陽(yáng)能逆變器、電動(dòng)汽車(chē)、焊接和醫(yī)療設(shè)備的解決方案。　　美高森美擁有利用SiC半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)的良好條件，據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Yole Développement預(yù)計(jì)，從201
關(guān)鍵字：美高森美 MOSFET SiC

耐高溫半導(dǎo)體解決方案日益受到市場(chǎng)歡迎

　　日前，CISSOID 公司與上海諾衛(wèi)卡電子科技有限公司簽訂在華銷(xiāo)售 CISSOID 產(chǎn)品的經(jīng)銷(xiāo)協(xié)議，后者將會(huì)幫助CISSOID公司的高溫半導(dǎo)體產(chǎn)品在中國(guó)市場(chǎng)大范圍推廣。　　諾衛(wèi)卡公司將其在碳化硅方面的專(zhuān)業(yè)技術(shù)與 CISSOID 的技術(shù)及其產(chǎn)品組合完美結(jié)合在一起，形成獨(dú)一無(wú)二的競(jìng)爭(zhēng)力。例如：SiC 電源開(kāi)關(guān)專(zhuān)用的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器HADES 技術(shù);高溫 SiC MOSFET;及 SiC 傳感元件的高溫信號(hào)調(diào)節(jié)器。　　CISSOID公司營(yíng)銷(xiāo)拓展副總裁Jean-Christophe Doucet先生表示，為保
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電容器

　　2014年慕尼黑上海電子展產(chǎn)品亮點(diǎn)　　TDK公司為變頻器提供一款采用了愛(ài)普科斯(EPCOS)?CeraLink?技術(shù)的全新直流鏈路電容器。CeraLink?技術(shù)是以PLZT陶瓷材料為基礎(chǔ)(鉛鑭鋯鈦酸)，使用的容值范圍為1?微法?至100?微法，額定直流電壓為400?伏。另一款電容器的額定直流電壓為800伏，容值為5?微法。　　CeraLink?新技術(shù)在功率變換器的直流鏈路的穩(wěn)定性和濾波方面具有很多優(yōu)勢(shì)-特別與傳統(tǒng)電容器技術(shù)相比：由于該款新電容
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新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)激烈

　　與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開(kāi)了激烈的開(kāi)發(fā)競(jìng)爭(zhēng)。　　SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開(kāi)發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也
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在光伏逆變器中運(yùn)用SiC BJT實(shí)現(xiàn)更低的系統(tǒng)成本

最近，碳化硅(SiC)的使用為BJT賦予了新的生命，生產(chǎn)出一款可實(shí)現(xiàn)更高功率密度、更低系統(tǒng)成本且設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)易的...
關(guān)鍵字：光伏逆變器 SiC BJT

通過(guò)基片薄型化降低導(dǎo)通電阻漸成趨勢(shì)

　　通過(guò)減薄SiC二極管的基片厚度來(lái)減小導(dǎo)通電阻的研發(fā)日趨活躍。這一趨勢(shì)在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產(chǎn)品中最為突出。其背景在于，越是低耐壓產(chǎn)品，基片上層積的漂移層就越薄，因此在SiC二極管的導(dǎo)通電阻中，基片的電阻成分所占比例就越大。　　目前，SiC基片的厚度以350μm為主流，超薄產(chǎn)品也要達(dá)到230μm左右。為了進(jìn)一步減薄厚度，許多大型SiC功率元件廠商都在致力于相關(guān)研發(fā)。　　比如，羅姆通過(guò)研磨等工序?qū)iC基片減薄至50μm，并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢(shì)壘二極管
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