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SiC和GaN的技術(shù)應(yīng)用挑戰(zhàn)

1 SiC和GaN的優(yōu)勢相比傳統(tǒng)MOSFET和IGBT方案，SiC和GaN器件提供更高的功率密度，具備更低的柵極驅(qū)動(dòng)損耗和更高的開關(guān)速度。雖然SiC和GaN在某些低于10 kW功率的應(yīng)用上有一些重疊，但各自解決的功率需求是不同的。SiC 器件提供更高的耐壓水平和電流承載能力。這使得它們很適合于汽車牽引逆變器、車載充電器和直流/ 直流轉(zhuǎn)換器、大功率太陽能發(fā)電站和大型三相電網(wǎng)變流器等應(yīng)用。SiC 進(jìn)入市場的時(shí)間略長，因此它有更多的選擇，例如，相比目前可用的GaN 解決方案，SiC 支持更廣泛的電壓和導(dǎo)通電阻。
關(guān)鍵字： 202310 納芯微 SiC GaN

東芝在SiC和GaN的技術(shù)產(chǎn)品創(chuàng)新

1 SiC、GaN相比傳統(tǒng)方案的優(yōu)勢雖然硅功率器件目前占據(jù)主導(dǎo)地位，但SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）功率器件正日益普及。SiC 功率器件具有出色的熱特性，適用于需要高效率和高輸出的應(yīng)用，而GaN 功率器件具有出色的射頻頻率特性，能滿足要求高效率和小尺寸的千瓦級(jí)應(yīng)用。最為重要的一點(diǎn)，SiC 的擊穿場是硅的10 倍。由于這種性質(zhì)，SiC 器件的塊層厚度可以是硅器件的1/10。因此，使用SiC 可以制造出具有超低電阻和高擊穿電壓的開關(guān)器件。此外，SiC 的導(dǎo)熱系數(shù)大約是硅的3 倍，因此它能提供更高的散熱能力
關(guān)鍵字： 202310 東芝 SiC GaN

ST在SiC和GaN的發(fā)展簡況

ST（意法半導(dǎo)體）關(guān)注電動(dòng)汽車、充電基礎(chǔ)設(shè)施、可再生能源和工業(yè)應(yīng)用，將最新一代STPOWER SiC MOSFET和二極管部署在這些應(yīng)用領(lǐng)域。例如，ST 的第三代SiCMOSFET 取得業(yè)界最低的通態(tài)電阻，可以實(shí)現(xiàn)能效和功率密度更高的產(chǎn)品設(shè)計(jì)。ST 還提供GaN 功率器件，例如650 V GaN 增強(qiáng)型HEMT 開關(guān)管用于開發(fā)超快速充電和高頻功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用，功率損耗很小。與硅基芯片相比，SiC 和GaN 等寬帶隙材料特性可讓系統(tǒng)變得尺寸更小，重量更輕，開關(guān)和導(dǎo)通損耗更低，從而提高能效。Gianfranc
關(guān)鍵字： 202310 意法半導(dǎo)體 SiC GaN

攻克SiC的發(fā)展瓶頸,推進(jìn)在汽車和工業(yè)中的應(yīng)用

1 SiC的應(yīng)用優(yōu)勢Bryan Lu：碳化硅（SiC）是新一代寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體材料，具有出色的RDS(ON)*Qg品質(zhì)因數(shù)（FoM）和低反向恢復(fù)電荷（Qrr），特別適用于具有挑戰(zhàn)性的應(yīng)用，尤其是高壓大電流等應(yīng)用場景，主驅(qū)逆變器采用SiC，可提升系統(tǒng)的效率，進(jìn)而使得在相同的電池容量下里程數(shù)得以提升。OBC（車載充電機(jī)）采用SiC，可實(shí)現(xiàn)更高的能效和功率密度。隨著汽車市場向800 V 高壓系統(tǒng)發(fā)展，SiC 在高壓下的低阻抗、高速等優(yōu)勢將更能體現(xiàn)。Mrinal K.Das博士(安森美電源方案事業(yè)群先進(jìn)電源
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從國際龍頭企業(yè)布局看SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢

碳化硅（SiC）具有高擊穿場強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、高飽和電子漂移速率等特點(diǎn)，可很好地滿足新能源汽車與充電樁、光伏新能源、智能電網(wǎng)、軌道交通等應(yīng)用需求，對(duì)我國“新基建”產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要意義，是未來五年“中國芯”最好的突破口之一，當(dāng)下我國應(yīng)該集中優(yōu)勢資源重點(diǎn)發(fā)展。
關(guān)鍵字： ?202310 碳化硅 SiC 襯底 8英寸擴(kuò)產(chǎn)

圖騰柱無橋PFC與SiC相結(jié)合，共同提高電源密度和效率

效率和尺寸是電源設(shè)計(jì)的兩個(gè)主要考慮因素，而功率因數(shù)校正 (PFC)也在變得越來越重要。為了減少無功功率引起的電力線諧波含量和損耗，盡可能降低電源運(yùn)行時(shí)對(duì)交流電源基礎(chǔ)設(shè)施的影響，需要使用 PFC。但要設(shè)計(jì)出小尺寸、高效率電源（包括 PFC）仍極具挑戰(zhàn)性。本文介紹了如何通過修改傳統(tǒng) PFC 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)來更好地實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。使用整流器和升壓二極管的 PFC電源的輸入級(jí)通常使用橋式整流器后接單相 PFC 級(jí)，由四個(gè)整流器二極管和一個(gè)升壓二極管組成。圖 1：橋式整流器后接單相 PFC 級(jí)圖騰柱無橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)還有一種提高
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采用SiC提高住宅太陽能系統(tǒng)性能

預(yù)計(jì)在未來五年，住宅太陽能系統(tǒng)的數(shù)量將大幅增長。太陽能系統(tǒng)能為家庭提供清潔和綠色的能源，用于為家用電器供電，為電動(dòng)汽車充電，甚至將多余的電力輸送至電網(wǎng)。有了太陽能系統(tǒng)，即使發(fā)生電網(wǎng)故障，也不用擔(dān)心。本篇博客介紹了住宅太陽能系統(tǒng)的主要組成部分，并建議采用安森美 (onsemi) 的電源方案方案來提高太陽能系統(tǒng)的效率、可靠性和成本優(yōu)勢。住宅太陽能逆變器系統(tǒng)概述住宅太陽能逆變器系統(tǒng)中包括了產(chǎn)生可變直流電壓的光伏面板陣列。升壓轉(zhuǎn)換器使用“最大功率點(diǎn)跟蹤”(MPPT) 方法（根據(jù)陽光的強(qiáng)度和方向優(yōu)化能量采集），將可
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杰平方半導(dǎo)體宣布啟動(dòng)香港首間碳化硅（SiC）先進(jìn)垂直整合晶圓廠項(xiàng)目

由創(chuàng)新科技及工業(yè)局和引進(jìn)重點(diǎn)企業(yè)辦公室共同推動(dòng)，香港科技園公司（科技園公司）與微電子企業(yè)杰平方半導(dǎo)體（上海）有限公司（杰平方半導(dǎo)體）簽署合作備忘錄，在科學(xué)園設(shè)立以第三代半導(dǎo)體為主的全球研發(fā)中心，并投資開設(shè)香港首間碳化硅（SiC）8寸先進(jìn)垂直整合晶圓廠，共同推進(jìn)香港微電子生態(tài)圈及第三代半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。香港特區(qū)政府創(chuàng)新科技及工業(yè)局去年公布的《香港創(chuàng)科發(fā)展藍(lán)圖》中，明確指出應(yīng)加強(qiáng)支持具策略性的先進(jìn)制造產(chǎn)業(yè)發(fā)展，譬如半導(dǎo)體芯片，促進(jìn)香港「新型工業(yè)化」的發(fā)展。作為全球最大的半導(dǎo)體進(jìn)出口市場之一，香港更是位處大
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新增SiC和IGBT模型,羅姆官網(wǎng)可提供超過3,500種LTspice模型

全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都）擴(kuò)大了支持電路仿真工具*1 LTspice? 的SPICE模型*2陣容。LTspice?具有電路圖捕獲和波形查看器功能，可以提前確認(rèn)和驗(yàn)證電路是否按設(shè)計(jì)預(yù)期工作。此前羅姆已經(jīng)陸續(xù)提供了雙極晶體管、二極管和MOSFET*3的LTspice模型，此次又新增了SiC功率元器件和IGBT*4等的LTspice模型。至此，羅姆已經(jīng)提供超過3,500 種分立產(chǎn)品的LTspice?模型，這些模型從各產(chǎn)品頁面均可下載。目前，羅姆官網(wǎng)上發(fā)布的產(chǎn)品所對(duì)應(yīng)的LTspice?模型覆蓋率
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基于ST CCM PFC L4986A 設(shè)計(jì)的1KW 雙BOOST PFC電源方案

L4986簡介：L4986是一款峰值電流模式PFC升壓控制器，采用專有的乘法器“模擬器”，除了創(chuàng)新型THD優(yōu)化器，還保證在所有工條件下具有非常低的總諧波失真（THD）性能。該器件引腳采用SO封裝，集成了800V 高壓啟動(dòng)功能，無需使用傳統(tǒng)的放電電阻?？梢灾С值墓β史秶鷱囊粌砂偻叩綆浊?。 ST 提供兩個(gè)版本：A為65 kHz，B為130 kHz。本案例方案中使用的是65K A版本。Double -boost 電路簡介：Double-boost 是無橋PFC的一種, 去掉了大功耗的整流橋，可以顯著提
關(guān)鍵字： ST SIC 第三代半導(dǎo)體 CCM PFC 4986 電動(dòng)工具割草機(jī) 雙boost double boost 無橋PFC

英特爾介紹酷睿 Ultra 第 1 代核顯：每瓦性能翻倍

9 月 20 日消息，在今天舉辦的英特爾 ON 技術(shù)創(chuàng)新峰會(huì)上，英特爾介紹了酷睿 Ultra 第 1 代（代號(hào)：Meteor Lake）的核顯升級(jí)。據(jù)介紹，英特爾全新的核顯從 Xe LP 升級(jí)到 Xe LPG，相較于上一代的 Iris Xe 核顯每瓦性能翻倍。此外，新一代核顯有更高的頻率，同等電壓下的頻率直接可以沖擊到 2GHz 以上。新核顯還針對(duì) DX12U 進(jìn)行了優(yōu)化，支持倍幀功能，支持新特性“Out of Order Sampling”。此外，英特爾還推出了全新的 Xe 媒體引擎，支持最
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保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡

在工業(yè)、汽車和可再生能源應(yīng)用中，基于寬禁帶 (WBG) 技術(shù)的組件，比如 SiC，對(duì)提高能效至關(guān)重要。在本文中，安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件將如何發(fā)展，從而實(shí)現(xiàn)更高的能效和更小的尺寸，并討論對(duì)于轉(zhuǎn)用 SiC 技術(shù)的公司而言，建立穩(wěn)健的供應(yīng)鏈為何至關(guān)重要。在廣泛的工業(yè)系統(tǒng)（如電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施）和可再生能源系統(tǒng)（如太陽能光伏 (PV)）應(yīng)用中，MOSFET 技術(shù)、分立式封裝和功率模塊的進(jìn)步有助于提高能效并降低成本。然而，平衡成本和性能對(duì)于設(shè)計(jì)人員來說是一項(xiàng)持續(xù)的挑戰(zhàn)，必須在不增加太陽
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保障下一代碳化硅(SiC)器件的供需平衡

在工業(yè)、汽車和可再生能源應(yīng)用中，基于寬禁帶 (WBG) 技術(shù)的組件，比如 SiC，對(duì)提高能效至關(guān)重要。在本文中，安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件將如何發(fā)展，從而實(shí)現(xiàn)更高的能效和更小的尺寸，并討論對(duì)于轉(zhuǎn)用 SiC 技術(shù)的公司而言，建立穩(wěn)健的供應(yīng)鏈為何至關(guān)重要。在廣泛的工業(yè)系統(tǒng)（如電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施）和可再生能源系統(tǒng)（如太陽能光伏 (PV)）應(yīng)用中，MOSFET 技術(shù)、分立式封裝和功率模塊的進(jìn)步有助于提高能效并降低成本。然而，平衡成本和性能對(duì)于設(shè)計(jì)人員來說是一項(xiàng)持續(xù)的挑戰(zhàn)，必須在不增加太陽
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意法半導(dǎo)體為博格華納提供SiC，“上車”沃爾沃？

近日，意法半導(dǎo)體官微宣布，將為博格華納的Viper功率模塊提供最新的第三代750V碳化硅功率MOSFET芯片。博格華納將該功率模塊用于沃爾沃和未來多款純電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)電驅(qū)逆變器平臺(tái)。為了充分發(fā)揮意法半導(dǎo)體SiC MOSFET 芯片的優(yōu)勢，意法半導(dǎo)體和博格華納技術(shù)團(tuán)隊(duì)密切合作，力爭讓意法半導(dǎo)體的芯片與博格華納的Viper功率開關(guān)匹配，最大限度提高逆變器性能，縮小電驅(qū)架構(gòu)尺寸并提升經(jīng)濟(jì)效益。意法半導(dǎo)體汽車和分立器件產(chǎn)品部（ADG）總裁Marco Monti表示，意法半導(dǎo)體和博格華納合作有助于提升沃爾沃的車輛性能
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基于STM32G474RBT6 MCU的數(shù)字控制3KW通信電源方案

STDES-3KWTLCP參考設(shè)計(jì)針對(duì)5G通信應(yīng)用的3 kW/53.5V AC-DC轉(zhuǎn)換器電源，使用完整的ST數(shù)字電源解決方案。STDES-3KWTLCP參考設(shè)計(jì)針對(duì)5G通信應(yīng)用的3 kW/53.5V AC-DC轉(zhuǎn)換器電源，使用完整的ST數(shù)字電源解決方案。電路設(shè)計(jì)包括前端無橋圖騰柱PFC和后端LLC全橋架構(gòu)。前級(jí)圖騰柱PFC提供功率因數(shù)校正（PFC）和諧波失真（THD）抑制，后記全橋LLC轉(zhuǎn)換器提供安全隔離和穩(wěn)定的輸出電壓。該參考設(shè)計(jì)為高效率緊湊型解決方案，在230 VAC輸入時(shí)，測量峰值效率為96.3%
關(guān)鍵字： ST 第三代半導(dǎo)體 SIC GNA 圖騰柱PFC 無橋PFC 全橋LLC 數(shù)字電源