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理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數特性
- 通常，許多資料和教材都認為，MOSFET的導通電阻具有正的溫度系數，因此可以并聯(lián)工作。當其中一個并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時，具有正的溫度系數導通電阻也增加，因此流過的電流減小，溫度降低，從而實現自動的均流達到平衡。同樣對于一個功率MOSFET器件，在其內部也是有許多小晶胞并聯(lián)而成，晶胞的導通電阻具有正的溫度系數，因此并聯(lián)工作沒有問題。但是，當深入理解功率MOSFET的傳輸特性和溫度對其傳輸特性的影響，以及各個晶胞單元等效電路模型，就會發(fā)現，上述的理論只有在MOSFET進入穩(wěn)態(tài)導通的狀態(tài)下才能成立，而在
- 關鍵字： MOSFET RDS ON 溫度系數
MOSFET市場快速發(fā)展，本土企業(yè)見起色
- 全球節(jié)能環(huán)保意識高漲使得高效、節(jié)能產品成為市場發(fā)展的主流趨勢。相應地，電源|穩(wěn)壓器管理IC、MOSFET芯片等功率器件也被越來越多的應用到整機電子產品中。在功率器件產品中，MOSFET的市場需求增長最快。據分析機構數據顯示，盡管受全球金融危機影響， 2008年，中國MOSFET市場需求量為198.2億個，仍比2007年增長了11.9%。 在應用方面，目前消費電子已成為MOSFET最大的應用市場，這主要得益于MOSFET在便攜式產品、LCD TV等消費電子產品中的廣泛應用。其次，是計算機、工業(yè)控制
- 關鍵字： Fairchild MOSFET 穩(wěn)壓器
IR推出適用于汽車柵極驅動應用的器件AUIRS2016S
- 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出AUIRS2016S 器件，適用于汽車柵極驅動應用，包括通用噴軌、柴油和汽油直噴應用，以及螺線管驅動器。 AUIRS2016S是一款高電壓功率MOSFET高側驅動器，具有內部電壓尖峰對地 (Vs-to-GND) 充電 NMOS。這款器件的輸出驅動器配備一個250mA高脈沖電流緩沖級。相關溝道能夠在高側配置中驅動一個N溝道功率MOSFET，可在高于地電壓達150V的條
- 關鍵字： IR MOSFET 驅動器 AUIRS2016S
Fairchild推出WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET
- 飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)宣布推出1mm x 1mm WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET器件FDZ371PZ，該器件設計采用飛兆半導體的專有PowerTrench® 工藝 技術，為手機、醫(yī)療、便攜和消費應用設計人員帶來業(yè)界最低RDS(ON) 值(-4.5V下為75m?) ，能夠最大限度地減小傳導損耗。通過降低損耗，FDZ371PZ能夠提高便攜設計的效率，并延長電池壽命。FDZ371PZ還可提供4.4kV的穩(wěn)健ESD保護功能，以保護器件免受ESD事件
- 關鍵字： Fairchild MOSFET PowerTrench FDZ371PZ
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