應用于綠色電子產品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體擴充公司市場領先的功率開關產品陣容，推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)系列。這些新方案的設計適合功率因數校正(PFC)和脈寬調制(PWM)段等高壓、節(jié)能應用的強固要求，在這些應用中，加快導通時間及降低動態(tài)功率損耗至關重要。具體而言，這些方案非常適合用于游戲機、打印機和筆記本電源適配器，及應用于ATX電源、液晶顯示器(LCD)面板電源和工業(yè)照明鎮(zhèn)流器。
這些新的500 V和60
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安森美 MOSFET 功率開關
恩智浦半導體(NXP Semiconductors)今天宣布推出全新60 V和100 V晶體管，擴充Trench 6 MOSFET產品線。新產品采用Power SO-8LFPAK封裝，支持60 V和100 V兩種工作電壓。Trench 6芯片技術和高性能LFPAK封裝工藝的整合賦予新產品出色的性能和可靠性，為客戶提供眾多實用價值。
LFPAK是一種“真正”意義上的功率封裝，通過優(yōu)化設計實現最佳熱/電性能、成本優(yōu)勢和可靠性。LFPAK是汽車行業(yè)標準AEC-Q101唯一認可的
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NXP 晶體管 MOSFET
1對于理想開關的需求功率 MOSFET 可作為高頻率脈沖寬度調變 (PWM) 應用中的電氣開關，例如穩(wěn)壓器及/或控制電源應用之中負載電流的開關。作為負載開關使用時，由于切換時間通常較長，因此裝置的成本、尺寸及導通電阻
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NexFETTM MOSFET
在電源系統中，MOSFET驅動器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號轉換為高速的大電流信號，以便以最快的速度打開和關閉MOSFET。由于驅動器IC與MOSFET的位置相鄰，所以就需要增加智能保護功能以增強電源的可靠性。 UC
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MOSFET 驅動器 數字控制電源 性能
應用于綠色電子產品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體擴充N溝道功率MOSFET系列，新增12款100伏(V)器件。安森美半導體經過完備測試的N溝道功率MOSFET提供高達500毫焦(mJ)的業(yè)界領先雪崩額定值，非常適用于要顧慮因非鉗位電感型負載引致過渡電壓應力的設計。
安森美半導體這些100 V功率MOSFET器件的典型應用包括工業(yè)電機控制、電源、不間斷電源(UPS)中的電源逆變器，以及汽車中的直接燃氣噴射(DGI)。這些無鉛器件，符合RoHS指令，關鍵的規(guī)范特性包括：
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安森美 MOSFET
電腦的麥克風電路The sound card for a PC generally has a microphone input, speaker output and sometimes line inputs and outputs. The mic input is designed for dynamic microphones only in impedance rang
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電路 耳機 功放 JFET-MOSFET 以及 麥克風 電腦
Maxim推出用于高壓系統的高邊MOSFET驅動器MAX15054。該器件能夠為需要采用降壓或升降壓拓撲結構、但不帶必需的高邊MOSFET驅動器的HB (高亮度) LED設計提供低成本方案。MAX15054在單串和多串LED驅動器中通過使用降壓以及單電感升降壓拓撲結構，并將地電位作為輸出電壓的參考點，從而使設計人員避免了采用SEPIC結構帶來的成本和設計復雜度。
MAX15054可提供2A驅動電流，具有極低(12ns，典型值)的傳輸延時和較短的上升、下降時間。器件的雙UVLO (欠壓鎖定)功能保
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Maxim 驅動器 MOSFET MAX15054
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驅動器 LTC4449，該器件為在同步整流轉換器拓撲中驅動高端和低端 N 溝道功率 MOSFET 而設計。這個驅動器結合凌力爾特公司的 DC/DC 控制器和功率 FET 可形成一個完整的高效率同步穩(wěn)壓器，該穩(wěn)壓器可用作降壓型或升壓型 DC/DC 轉換器。
LTC4449 在 4V 至 6.5V 范圍內驅動高端和低端 MOSFET 柵極，以高達 38V 的電源電壓工作。這個強大的驅動器可以吸收
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Linear MOSFET 驅動器 LTC4449
RS Components于今日宣布，增加飛兆半導體900種新裝置，飛兆是全球領先節(jié)能半導體技術供應商。RS目前擁有最先進、最全面的飛兆電源產品系列，均可從庫存直接發(fā)貨至廣大設計工程師。
新添加的電源IC家族包括飛兆獲得大獎的直流直流控制器，融合了領先行業(yè)的便攜式裝置高功率、高性能、功率密度和規(guī)格等特點。RS推出的飛兆系列也包括Intellimax™負荷開關和MOSFET、高性能光耦合器、二極管、IGBT、邏輯及接口產品。
飛兆的FAN2XXX和FAN5XXX直流直流控制器家族
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RS 電源 IGBT MOSFET Intellimax
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 今天推出適用于汽車的 AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 DirectFET®2 功率 MOSFET。這兩款產品以堅固可靠、符合AEC-Q101標準的封裝為汽車應用實現了卓越的功率密度、雙面冷卻和極小的寄生電感和電阻。
IR 的這些首款汽車用 DirecFET2 件完全不含鉛，與傳統標準塑料封裝元件相比，可降低整體系統級尺寸和成本，實現更優(yōu)異的性能和效率。
IR 亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉
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IR MOSFET AUIRF7739L2 AUIRF7665S2 DirectFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET®技術延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。
新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK
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Vishay MOSFET FET
英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，進一步擴大OptiMOSTM產品陣容。全新200V和250V器件適用于48V系統、DC/DC變換器、不間斷電源(UPS)和直流電機驅動。憑借同類器件中最低的優(yōu)質化系數(FOM)，OptiMOS 200V和250V技術可使系統設計的導通損耗降低一半。
對于應用二極管整流的48V開關電源而言，工程師們現在有了全新的選擇，從而使得整體效率大于95%。這比當前典型的效率水平高出兩個百分點，從功率損耗的角度看，也就是發(fā)熱量降
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英飛凌 MOSFET OptiMOS
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應用推出業(yè)界第一個通過封裝頂部散熱的標準尺寸功率 MOSFET 產品系列。相對其它標準尺寸封裝的產品，DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于縮小終端設備的尺寸，同時還可將MOSFET允許的電流提高 50%，并改進散熱管理。
該系列包含的 5 款 NexFET 器件支持計算機與電信系統設計人員使用具有擴充內存及更高電流的處理器，同時顯著節(jié)省板級空間。這些采用高級封裝的 MOSFET 可廣泛用于各種
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TI MOSFET
臺晶圓代工廠產能供應失序情形，近期已逐漸從8寸晶圓向下蔓延到5寸及6寸晶圓，包括LCD驅動IC及電源管理IC紛向下搶奪5寸、6寸晶圓產能動作，讓許久未傳出缺貨的金屬氧化物半導體場效晶體管(MOSFET)亦出現客戶一直緊急追單，MOSFET市場明顯供不應求現象，對臺系相關供應商如富鼎、尼克森及茂達2010年第1季營收表現，將有顯著貢獻。
臺系MOSFET供應商指出，近期合作的5寸、6寸晶圓廠內部產能利用率直線拉升，影響所及，盡管公司緊急向晶圓廠加單，不過，由于加單動作明顯落后其它業(yè)者，未來3個月可
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晶圓代工 電源管理 MOSFET
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應用推出業(yè)界第一個通過封裝頂部散熱的標準尺寸功率 MOSFET 產品系列。相對其它標準尺寸封裝的產品，DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于縮小終端設備的尺寸，同時還可將MOSFET允許的電流提高 50%，并改進散熱管理。
該系列包含的 5 款 NexFET 器件支持計算機與電信系統設計人員使用具有擴充內存及更高電流的處理器，同時顯著節(jié)省板級空間。這些采用高級封裝的 MOSFET 可廣泛用于
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TI MOSFET DualCool NexFET
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