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          Vishay發(fā)布用于在線流媒體產(chǎn)品演示視頻中心的新登錄頁面

          •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,在公司網(wǎng)站(http://www.vishay.com)上發(fā)布了在線流媒體產(chǎn)品演示視頻中心的新登錄頁面。視頻中心的新首頁按照產(chǎn)品分類進行設(shè)計和布局,使設(shè)計者能夠迅速找到各種技術(shù)的演示視頻。   Vishay公司的產(chǎn)品在線視頻演示可幫助客戶了解在其應(yīng)用中使用Vishay公司技術(shù)的優(yōu)勢。根據(jù)產(chǎn)品類型,新的登錄頁面提供了多個視頻分類,包括電容器/電感器、光電子/顯示、電阻和半導(dǎo)體。   頁面還包括Vishay公司的“Su
          • 關(guān)鍵字: Vishay  電容器  電感器  

          Vishay推出符合IPC/JEDEC J-STD-020標(biāo)準(zhǔn)的新款器件

          •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出滿足嚴(yán)格的IPC/JEDEC J-STD-020焊接指導(dǎo)的新款器件,擴充了高溫140 CRH器件和低阻抗150 CRZ系列表面貼裝鋁電容器。   新電容器提供最嚴(yán)格的回流焊曲線,具有從10mmx10mm到更大的18mmx18mm的7種外形尺寸。今天發(fā)布的140 CRH器件的高溫性能達+125℃,150 CRZ電容器具有超低的“Z”阻抗,或是在100kHz下提供0.035&
          • 關(guān)鍵字: Vishay  電容器  

          Vishay 推出業(yè)界最小的N溝道芯片級功率MOSFET

          •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出業(yè)界最小和最薄的N溝道芯片級功率MOSFET --- Si8800EDB,該器件也是面積低于1mm2的首款產(chǎn)品。20V MICRO FOOT® Si8800EDB具有0.8mmx0.8mm的超小外形和0.357mm的厚度,可減少在便攜式電子產(chǎn)品中占用的空間。   隨著便攜式產(chǎn)品變得愈加小巧,器件的尺寸成為選擇器件的重要因素,因為按鍵和電池占用了大部分空間,使PCB的面積受到極大限制。Si8800EDB具有超小的外形和
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          Vishay推出新款PIN光敏二極管和NPN平面光敏三極管

          •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布, 推出通過AEC-Q101認(rèn)證的新款VEMD25x0X01高速硅PIN光敏二極管和VEMT25x0X01 NPN平面光敏三極管,擴充其光電子產(chǎn)品組合。器件采用1.8mm的鷗翼式和倒鷗翼式表面貼裝封裝,光探測器可檢測到可見光和近紅外輻射,采用2.3mmx2.3mmx2.8mm的緊湊占位。   今天發(fā)布的器件針對儀表、汽車和打印機應(yīng)用中的光幕、微型開關(guān)、編碼器和光遮擋器進行了優(yōu)化,探測器可在接近探測應(yīng)用中探測可見光和紅外發(fā)射源。
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          Vishay推出具有75V電壓等級的固鉭貼片電容器

          •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出業(yè)界首類具有高達75V的工業(yè)電壓等級的固鉭貼片電阻器 --- T97和597D,增強了該公司TANTAMOUNT® 高可靠性電容器的性能,擴大其在高壓固鉭貼片電容器領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。   數(shù)十年來,50V電壓成了固鉭貼片電容器中額定電壓的極限。2008年,Vishay引入63V電壓等級,打破了這個性能障礙。現(xiàn)在,Vishay在這個專利技術(shù)基礎(chǔ)上更進一步,發(fā)布了業(yè)界首款75V固鉭貼片電容器。   憑借在“R
          • 關(guān)鍵字: Vishay  電容器  TANTAMOUNT  

          Vishay Siliconix 推出三款新型500V N溝道功率MOSFET

          •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3,該MOSFET在10V柵極驅(qū)動下的最大導(dǎo)通電阻達到超低的0.555Ω,柵極電荷減小為48nC,采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK(TO-263)封裝。   這三款器件的低導(dǎo)通電阻意味著更低的功率損耗,從而在各種應(yīng)用的功率因數(shù)校正(PFC)升壓電路、脈寬調(diào)
          • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET    

          Vishay Siliconix推出新款ThunderFET 功率MOSFET

          •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用針對更高電壓器件優(yōu)化的新型低導(dǎo)通電阻技術(shù)的首款TrenchFET?功率MOSFET --- ThunderFET? SiR880DP。新器件是業(yè)界首款在4.5V柵極驅(qū)動下就能導(dǎo)通的80V功率MOSFET。新的80V SiR880DP采用熱增強型PowerPAK? SO-8封裝,在4.5V、7.5V和10V下具有8.5m?、6.7m?和5.9m?的超低導(dǎo)通電阻。在4.5V柵極驅(qū)動下,該器件的典型導(dǎo)通電
          • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  SiR880DP  

          測量高頻開關(guān)DC-DC轉(zhuǎn)換器中熱應(yīng)力器件功率耗散的新方法

          •   引言   DC-DC轉(zhuǎn)換器的效率和功率損耗是許多電子系統(tǒng)的一個重要特征參數(shù)。可以測量出這些特征參數(shù),并用下面的直觀方式進行表達:   效率 = 輸出功率 / 輸入功率 (1)   功率損耗 = 輸入功率-輸出功率 (2)   但是對于每個元器件做為一個單獨熱源在損耗中所占的比重,這樣的結(jié)果沒有提供任何信息。我們的方法學(xué)能夠解決這個問題,從而讓設(shè)計者能夠更好地選擇針對其應(yīng)用的最佳DC-DC實現(xiàn)方案。   降壓轉(zhuǎn)換器的實例   降壓轉(zhuǎn)換器中的主要熱源是高邊MOSFET、低邊MOSFET和電感器
          • 關(guān)鍵字: Vishay  測試測量  轉(zhuǎn)換器  

          Vishay推出三款業(yè)界最佳的中距離紅外傳感器

          •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用3種封裝類型、具有數(shù)字和模擬輸出的系列中距離紅外傳感器 --- TSOP4038、TSOP58038和TSOP5038,充實了其光電產(chǎn)品組合。憑借300μs的快速響應(yīng)和0.85mA的低電流,這些業(yè)界最佳探測器用在斷續(xù)器時的探測距離是30米,用于反射傳感器時的探測距離為3米。   一些物體探測傳感器可根據(jù)環(huán)境光的亮度和環(huán)境中的光噪聲,調(diào)整探測閾值。為避免存在噪聲時出現(xiàn)誤探測,放大器的增益會自動調(diào)整到可影響傳感器響應(yīng)特
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          Vishay更新軍品級別的模擬開關(guān)和復(fù)用器產(chǎn)品線

          •   日前,長期為軍工和航天客戶提供高可靠性分立和IC器件的供應(yīng)商Vishay Intertechnology, Inc.宣布,該公司旗下子公司Vishay Siliconix位于加州Santa Clara的工廠已經(jīng)通過了DSCC的再次認(rèn)證,所生產(chǎn)的模擬開關(guān)和復(fù)用器將按照MIL-PRF-38535標(biāo)準(zhǔn)進行篩選。   首先投產(chǎn)的新認(rèn)定產(chǎn)品是DG409的高可靠性版本,即雙線4通道差分模擬復(fù)用器:DG409將4個差分輸入中的一個連到一個共用的雙線輸出上,具有44V的最大供電等級、100Ω的低導(dǎo)通電阻
          • 關(guān)鍵字: Vishay  模擬開關(guān)  

          Vishay推出具有超短傳播延遲的新款高速模擬光耦

          •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出兩款采用標(biāo)準(zhǔn)SOP-5封裝的高速模擬光耦 --- VOM452T和VOM453T。新的VOM452T和VOM453T的波特率為1MBd,采用厚度為2.0mm的低外形封裝,其封裝較DIP-8 SMD封裝可節(jié)約75%的PCB面積。這些器件還具有1μs的超短傳播延遲,這一點對需要比標(biāo)準(zhǔn)光電晶體管光耦更快開關(guān)速度的應(yīng)用是非常重要的。   波特率達1MBd的VOM452T和VOM453T光耦可用于工業(yè)通信總線的信號隔離,例如C
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          Vishay推出光通量高達2160流明的新款LED照明面板

          •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出用于道路和工業(yè)高架照明應(yīng)用的新款LED照明面板 --- VLSL30和VLSL31,擴大了其光電產(chǎn)品組合。兩款開發(fā)套件為設(shè)計者提供了所需的全部材料,使他們能夠借助Vishay的固態(tài)照明解決方案加快設(shè)計進程。   除了4x6 LED面板,開發(fā)套件還包括反射鏡和驅(qū)動器模塊,為設(shè)計者提供了設(shè)計所需的基本工具,讓開發(fā)者可以集中精力將照明產(chǎn)品快速上市,同時采用高能效、符合環(huán)保要求、長壽命的LED照明技術(shù)。   Vishay提供了兩款面板
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          Vishay發(fā)布可靠性極高的高性能新系列薄膜包封式貼片電阻

          •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出通過ESCC-4001/023認(rèn)證、達到R級失效率的新系列薄膜包封式貼片電阻 --- PFRR。PFRR電阻是業(yè)界首款具有低至10ppm/℃的TCR、容差為0.05%的此類器件。   Vishay Sfernice電阻專門針對對性能有著嚴(yán)格要求的軍工、航天和醫(yī)療應(yīng)用等對可靠性要求極高的領(lǐng)域,在±70℃下以額定功率工作8000小時后的負(fù)載壽命穩(wěn)定率為0.25%。通過100%的篩選和廣泛的環(huán)境抽簽測試,確保了器件的可靠
          • 關(guān)鍵字: Vishay  貼片電阻  

          Vishay發(fā)布助客戶進一步節(jié)約器件占位空間和系統(tǒng)成本的解決方案的視頻教程

          •   日前, Vishay Intertechnology, Inc.宣布,為幫助客戶了解在一個小尺寸器件內(nèi)組合封裝的高邊和低邊MOSFET如何節(jié)省DC-DC轉(zhuǎn)換器的空間和成本,該公司在其網(wǎng)站(http://www.vishay.com)上新增了一個流媒體視頻,展示SiZ700DT PowerPAIR?雙芯片不對稱功率MOSFET解決方案。   傳統(tǒng)上,設(shè)計者要在筆記本電腦、VRM、電源模塊、圖形卡、服務(wù)器和游戲機,以及工業(yè)系統(tǒng)的DC-DC轉(zhuǎn)換中實現(xiàn)系統(tǒng)電源、POL、低電流DC-DC和同步降壓轉(zhuǎn)換
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          節(jié)約器件占位空間和系統(tǒng)成本的解決方案的視頻教程

          • 日前,VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代號:VSH)宣布,為幫助客戶了解在一個小尺寸器件內(nèi)組合封裝的高邊...
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          vishay介紹

          威世(VISHAY)集團成立于1962年,總部位于美國賓夕法尼亞洲。40多年中威世集團通過科技創(chuàng)新和不斷的并購, 迅速發(fā)展成為世界上最大的分離式半導(dǎo)體和無源電子器件制造商之一。目前集團已有69個制造基地遍布全球17個國家,其中中國大陸有7家制造業(yè)工廠分別坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集團被美國財富雜志評為半導(dǎo)體領(lǐng)域“2004、2005年度全美最讓人欽佩的公司”。其產(chǎn)品被廣泛地應(yīng)用于工業(yè)、計算機 [ 查看詳細 ]

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