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Vishay發(fā)布新款TFU厚膜扁平貼片式
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款TFU 0603厚膜扁平貼片式保險絲，器件在更小的芯片尺寸內(nèi)提供了超快動作的熔斷特性。器件的額定電流值高達4.0A，在32V額定電壓下的分?jǐn)嗄芰?5A。 Vishay Beyschlag TFU 0603保險絲采用標(biāo)準(zhǔn)RR 1608M公制外形尺寸(91.55mmx85mmx45mm)，可對DC-DC轉(zhuǎn)換器、電池充電器和便攜式消費電子設(shè)備中的低壓電源提供次級側(cè)的過流保護。通過嚴(yán)格控制的制造工藝和Vishay先進的厚膜技術(shù)
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Vishay改進ThermaSim在線MOSFET熱仿真工具
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，對其ThermaSim在線MOSFET熱仿真工具進行了改進，為設(shè)計者提供更好的仿真精度、效率和用戶友好度。 Vishay的ThermaSim是一個免費工具，可讓設(shè)計者在制造原型前，對器件進行細致的熱仿真，從而加快產(chǎn)品上市。ThermaSim是首款使用結(jié)構(gòu)復(fù)雜的功率MOSFET模型的在線MOSFET仿真工具，使用有限元分析(FEA)技術(shù)生成的MOSFET模型提高了仿真精度。 設(shè)計者還可以定義其他散熱器件，并仿真這些元器件對M
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Vishay推出全新官方網(wǎng)站
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布經(jīng)過重新設(shè)計的公司網(wǎng)站www.vishay.com，以便更好地服務(wù)客戶、戰(zhàn)略合作伙伴和其他用戶。通過對主頁的產(chǎn)品類別加以重新組織，增強搜索系統(tǒng)和改進產(chǎn)品選擇信息，新網(wǎng)站使用戶能夠更便捷地獲取產(chǎn)品信息。重新設(shè)計的網(wǎng)站還使用戶能很順暢地獲取客戶服務(wù)和支持、設(shè)計工具以及公司信息。 新主頁的產(chǎn)品類別非常清晰，包括Semiconductors、Passives Components和Customer Applications。這些主要
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Vishay推出新款4線雙向?qū)ΨQESD保護陣列
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款4線VCUT05A4-05S-G-08雙向?qū)ΨQ(BiSy)ESD保護陣列，可保護PC和便攜式消費電子產(chǎn)品中的USB 2.0等數(shù)據(jù)端口應(yīng)用。 新的保護陣列在0V時具有16pF的低容值，在5V工作電壓下的泄漏電流小于0.1μA。器件使用廣為采用的SOT23-5L封裝，在生產(chǎn)過程中很容易進行處理，0.7mm的超薄厚度可節(jié)省電路板空間。 VCUT05A4-05S-G-08能夠?qū)?條數(shù)據(jù)線提供瞬態(tài)保護，保護等級達到pe
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Vishay幫助客戶進一步了解Vishay Dale電阻技術(shù)的先進性
- Vishay在官方網(wǎng)站上發(fā)布Power Metal Strip?分流電阻如何應(yīng)用在定制產(chǎn)品中的解決方案的視頻介紹 賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 5 月 6 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，為幫助客戶了解如何將Vishay Dale電阻技術(shù)用于定制產(chǎn)品，滿足特定用戶的需求，Vishay在其網(wǎng)站(http://www.vishay.com)新增加了一個介紹Power Metal Stri
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Vishay推出30V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAK? 1212-8封裝的30V P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET --- Si7625DN。在這種電壓等級和3.3mmx3.3mm占位面積的P溝道MOSFET中，該器件的導(dǎo)通電阻是最低的。 新款Si7625DN可用于筆記本電腦、上網(wǎng)本和工業(yè)/通用系統(tǒng)中的適配器、負載和電池開關(guān)。適配器開關(guān)(在適配器、墻上電源和電池電源之間切換)通常是開啟并且吸收電流。Si7625DN更低的
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Vishay推出P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片級MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面積內(nèi)，這款20V器件提供業(yè)內(nèi)P溝道MOSFET最低的導(dǎo)通電阻。 新的Si8499DB是采用第三代TrenchFET P溝道技術(shù)的首款芯片級產(chǎn)品。這種最先進的技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)超精細、亞微米的節(jié)距工藝，將業(yè)內(nèi)P溝道MOSFET所能實現(xiàn)的最低導(dǎo)通電阻減小了一半：在4.5V、2
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Vishay推出適用在極端惡劣環(huán)境下的薄膜貼片電阻
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出為鉆井和航空等極端高溫環(huán)境優(yōu)化的新系列打線式、裸芯片貼片式電阻 --- Vishay Sfernice RMKHT和電阻網(wǎng)絡(luò)。 新的Vishay Sfernice RMKHT打線式貼片電阻的工作溫度范圍為-55℃～+215℃，最高儲存溫度可達+230℃，是業(yè)界首款達到如此高溫范圍的薄膜電阻。該器件甚至在215℃的高溫下經(jīng)過1000小時后的負載壽命穩(wěn)定率依然可達0.5%，并同時保持嚴(yán)格的TCR和容差。 新款分立電阻的
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Vishay推出新的外形尺的寸電阻器件
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用0402、0603、0805和1206外形尺寸的電阻器件，擴充了MC AT系列專用薄膜貼片式電阻。此外，該系列中具有更低TCR和容差的新款精密版本也已經(jīng)發(fā)布了。 越來越多的電子設(shè)計要求器件能夠耐受高溫和潮濕效應(yīng)，因為這些效應(yīng)會影響到器件的穩(wěn)定性和性能。Vishay的MC AT專業(yè)和精密電阻能夠在這些應(yīng)用當(dāng)中提供穩(wěn)定的性能。 今天發(fā)布的新款專業(yè)系列器件可在175℃的高溫下工作1000小時
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Vishay Siliconix 推出新款500V N溝道功率MOSFET
- 日前，Vishay宣布推出新款500V N溝道功率MOSFET --- SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的開關(guān)速度和損耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3適用于ZVS拓撲，具有低至63ns的trr和114nC的Qrr，柵極電荷為34nC。 SiHF8N50L-E3改善了反向恢復(fù)特性，從而能夠更好地抵御EMI，實現(xiàn)更高的效率，同時避免出現(xiàn)導(dǎo)致MOSFET燒毀的內(nèi)部體二極管恢復(fù)故障。 Vishay今天推出的新MOSFET具有500V電壓等級，在10V柵極驅(qū)動下的最大導(dǎo)通電
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威世（VISHAY）集團成立于1962年，總部位于美國賓夕法尼亞洲。40多年中威世集團通過科技創(chuàng)新和不斷的并購, 迅速發(fā)展成為世界上最大的分離式半導(dǎo)體和無源電子器件制造商之一。目前集團已有69個制造基地遍布全球17個國家，其中中國大陸有7家制造業(yè)工廠分別坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集團被美國財富雜志評為半導(dǎo)體領(lǐng)域“2004、2005年度全美最讓人欽佩的公司”。其產(chǎn)品被廣泛地應(yīng)用于工業(yè)、計算機 [ 查看詳細 ]
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