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Vishay推出業(yè)界最小的芯片級MOSFET
- 日前，Vishay宣布推出兩款MICRO FOOT功率MOSFET --- Si8461DB和Si8465DB，最大尺寸為1mm x 1 mm x 0.548mm，是迄今為止業(yè)界最小的芯片級功率MOSFET。 在種類繁多的便攜式設備中，20V的P溝道Si8461DB和Si8465DB可用于負載開關(guān)、電池開關(guān)和充電開關(guān)應用。器件的小尺寸和薄厚度有助于減少電源管理電路所占用的空間，以及/或是實現(xiàn)更多的功能。與市場上尺寸與之最接近的芯片級功率MOSFET相比，1mm x 1mm x 0.548mm的M
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Vishay采用Bulk Metal? 1202系列微調(diào)電位器
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用Bulk Metal?箔工藝的超高精度Accutrim?系列微調(diào)電位器 --- ...
- 關(guān)鍵字： Vishay Accutrim?系列 微調(diào)電位器 1202系列
Vishay發(fā)布先進的第七代通用高壓電源模塊
- Vishay Intertechnology, Inc.發(fā)布其第七代通用高壓電源模塊系列，該系列具有增強的電流處理能力、更輕的重量、更低的熱阻、更高的可靠性及完全無鉛的結(jié)構(gòu)。 第七代模塊均采用與 TO-240AA 兼容的 ADD-A-PAK 封裝，將兩個有源元件整入各系列，并包括標準二極管、可控硅/二極管、可控硅/可控硅及肖特基整流器組合。 新器件具有高達 1600 V 的阻斷電壓、1000 V/µ
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Vishay攜多款產(chǎn)品亮相展會
- 雖然全球經(jīng)濟正陷入低迷中，電子行業(yè)也在經(jīng)歷著嚴峻的挑戰(zhàn)。但作為全球最大的分立器件與無源器件供應商，Vishay并未因此放慢自己的腳步，反而利用其技術(shù)上的優(yōu)勢，推出了眾多高性能、低功耗、低成本的產(chǎn)品。在繼續(xù)保持其領(lǐng)導地位的同時，更幫助客戶將Vishay的技術(shù)實力轉(zhuǎn)化為他們自身的競爭力。 在本次IIC期間，Vishay攜帶多款最新產(chǎn)品參展。包括具有 3300μF～72000μF 超高電容范圍的新型HE3液體鉭高能電容器，新器件采用 SuperTan技術(shù)，可提供 0.035?
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Vishay的新型 Siliconix 25V TrenchFET? Gen III 功率 MOSFET 刷新了業(yè)界最佳導通電阻記錄
- 賓夕法尼亞、MALVERN — 2008 年10月29日— 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出一款新型 25V n 通道器件 --- SiR476DP，從而擴展了其 Gen III TrenchFET® 功率 MOSFET 系列，對于采用 PowerPAK® SO-8 封裝類型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業(yè)界最低的導通電阻以及導通電阻與柵極電荷之乘積。 SiR476DP 在 4.5V
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Vishay推出高可靠性VJ HVArc Guard表面貼裝MLCC
- Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布，其 HVArc Guard 表面貼裝 X7R 多層陶瓷芯片電容器 (MLCC) 現(xiàn)可提供可選聚合體端子。該器件專為耐受較高機械應用而設計，旨在減少機械破碎相關(guān)的電容器故障。 憑借可選聚合體端子，VJ0805、VJ1206、VJ1210、VJ1808 和 VJ1812 HVArc Guard? MLCC 可減少電容器故障，并通過限制電容器故障節(jié)約保修成本，從而進一步減少電路板上受損元件的數(shù)量或減少對整個設備的損壞。 Visha
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vishay介紹
威世（VISHAY）集團成立于1962年，總部位于美國賓夕法尼亞洲。40多年中威世集團通過科技創(chuàng)新和不斷的并購, 迅速發(fā)展成為世界上最大的分離式半導體和無源電子器件制造商之一。目前集團已有69個制造基地遍布全球17個國家，其中中國大陸有7家制造業(yè)工廠分別坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集團被美國財富雜志評為半導體領(lǐng)域“2004、2005年度全美最讓人欽佩的公司”。其產(chǎn)品被廣泛地應用于工業(yè)、計算機 [ 查看詳細 ]
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