IBM宣布制造出全球首款2nm工藝節(jié)點的芯片，并在紐約州奧爾巴尼的工廠展示了2nm工藝生產(chǎn)的完整300mm晶圓，不過這并不意味著2nm工藝已實現(xiàn)批量生產(chǎn)。無論如何，這也是半導體設計和制造上的一個突破，在性能和能效上有質(zhì)的飛躍。IBM認為，2nm芯片的潛在優(yōu)勢，包括提高手機電池使用壽命、減少數(shù)據(jù)中心碳排放量、讓筆記本電腦擁有更多更快的功能、以及有助于提高自動駕駛汽車芯片的性能等。

據(jù)Anandtech報道，IBM介紹該技術(shù)可以將“500億個晶體管放在指甲大小的芯片上”，其2nm芯片的晶體管密度（MTr/mm2）為333.33，幾乎是臺積電5nm工藝的兩倍，也高于業(yè)界對臺積電3nm工藝的預估（292.21 MTr/mm2）。與目前的7nm工藝相比，在同樣的功耗下，其性能會高出45%，或者在同樣性能下，功耗會降低75%。同時IBM的2nm工藝還采用了GAA（全環(huán)繞柵極晶體管）工藝，三星未來3nm工藝也將使用此項技術(shù)。

雖然IBM在2014年將晶圓廠賣給GlobalFoundries后，已沒有了屬于自己的晶圓廠，但是仍然在半導體創(chuàng)新方面處于領(lǐng)導地位。在半導體領(lǐng)域，IBM的突破還包括了首次實現(xiàn)7nm和5nm工藝技術(shù)、銅互連布線、高k柵極介質(zhì)、多核微處理器、嵌入式DRAM、3D芯片堆疊和登納德縮放比例定律等。此前英特爾在IDM 2.0戰(zhàn)略中已宣布，未來將會與IBM在邏輯和封裝技術(shù)方面進行合作。

IBM計劃今年在旗下Power Systems服務器中使用其首款商用7nm工藝處理器IBM Power 10，支持PCIe Gen5和DDR5內(nèi)存，采用了與三星合作研發(fā)的工藝，將由三星負責制造。