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          功率半導(dǎo)體:氧化鎵今年量產(chǎn),中國崛起備受關(guān)注

          發(fā)布人:旺材芯片 時(shí)間:2022-05-27 來源:工程師 發(fā)布文章

          來源:內(nèi)容由半導(dǎo)體行業(yè)觀察(ID:icbank)編譯自eetimeshp,謝謝


          2022年5月,富士經(jīng)濟(jì)對全球功率半導(dǎo)體市場進(jìn)行了調(diào)查并公布了結(jié)果。由于電動(dòng)汽車和可再生能源的普及,預(yù)計(jì)需求將增長的功率半導(dǎo)體市場預(yù)計(jì)將在 2030 年擴(kuò)大到 53,587 億日元,而 2022 年預(yù)計(jì)為 23,386 億日元。 本次調(diào)查的對象是“硅功率半導(dǎo)體”和基于 SiC、GaN、氧化鎵和金剛石的“下一代功率半導(dǎo)體”。我們還調(diào)查了20項(xiàng)“組件”和19項(xiàng)功率半導(dǎo)體“制造設(shè)備”。調(diào)查期為 2021 年 12 月至 2022 年 2 月。
          2021年功率半導(dǎo)體市場較2020年增長20.7%,原因是中國和歐洲的5G相關(guān)領(lǐng)域以及汽車和電氣設(shè)備領(lǐng)域等信息和電信設(shè)備領(lǐng)域的需求增加。擴(kuò)張趨勢在2022年將繼續(xù),但由于零部件供應(yīng)短缺等問題,預(yù)計(jì)將增長11.8%至23,386億日元。 由于電動(dòng)汽車和可再生能源產(chǎn)品預(yù)計(jì)將在未來繼續(xù)普及,預(yù)計(jì)到 2030 年將達(dá)到 53,587 億日元。特別是中國市場作為需求領(lǐng)域正在擴(kuò)大,中國功率半導(dǎo)體廠商的崛起備受關(guān)注。 在功率半導(dǎo)體中,下一代功率半導(dǎo)體有望顯著增長。2030 年將超過 1 萬億日元,而 2022 年預(yù)計(jì)為 1249 億日元。
          圖片

          全球功率半導(dǎo)體市場預(yù)測

          資料來源:富士經(jīng)濟(jì)

           “SiC功率半導(dǎo)體”、“GaN功率半導(dǎo)體”和“氧化鎵功率半導(dǎo)體”被提到作為下一代功率半導(dǎo)體市場值得關(guān)注。在以 SiC-SBD、SiC-FET、SiC 功率模塊等為目標(biāo)的 SiC 功率半導(dǎo)體市場中,對服務(wù)器電源、太陽能發(fā)電設(shè)備、電動(dòng)汽車和充電基礎(chǔ)設(shè)施的需求將擴(kuò)大。因此,預(yù)計(jì)2030年的規(guī)模將達(dá)到9694億日元。 在 GaN 功率半導(dǎo)體市場,AC 適配器、服務(wù)器電源、機(jī)器人和電動(dòng)汽車等應(yīng)用的需求正在擴(kuò)大,預(yù)計(jì) 2030 年的市場規(guī)模將達(dá)到 305 億日元。氧化鎵功率半導(dǎo)體的量產(chǎn)始于 2022 年。除了消費(fèi)類設(shè)備領(lǐng)域,我們預(yù)計(jì)它還將用于信息和通信設(shè)備以及工業(yè)設(shè)備。汽車和電氣設(shè)備領(lǐng)域的產(chǎn)品開發(fā)也在進(jìn)行中。在下一代功率半導(dǎo)體中,據(jù)說具有高耐壓、低損耗、低成本等特點(diǎn)。因此,預(yù)計(jì) 2030 年市場規(guī)模將達(dá)到 470 億日元。
          圖片下一代功率半導(dǎo)體的全球市場預(yù)測資料來源:富士經(jīng)濟(jì) 此外,在構(gòu)成部件方面,絕緣散熱基板和密封材料將帶動(dòng)市場。未來,燒結(jié)接頭材料和氮化硅電路板的增長可期。因此,預(yù)計(jì) 2030 年的市場規(guī)模為 4994 億日元,而 2022 年預(yù)計(jì)為 2753 億日元。
          由于 SiC 晶圓的尺寸增加到 8 英寸,預(yù)計(jì) 2022 年對制造設(shè)備的需求將增長。不過,也有人擔(dān)心由于半導(dǎo)體短缺,交貨時(shí)間會延長。預(yù)計(jì) 2030 年市場規(guī)模為 3736 億日元,而 2022 年預(yù)計(jì)為 2085 億日元。
          圖片全球功率半導(dǎo)體元件及制造設(shè)備市場預(yù)測資料來源:富士經(jīng)濟(jì)

          日經(jīng):中國出現(xiàn)功率半導(dǎo)體熱潮


          中國的功率半導(dǎo)體產(chǎn)量正不斷增加,新興制造商計(jì)劃興建的工廠中,似乎逾半數(shù)都是為了生產(chǎn)功率半導(dǎo)體,雖然這有助于提升許多設(shè)備的節(jié)能表現(xiàn),但若供給過剩,恐怕會壓縮日本廠商的獲利空間。
          《日本經(jīng)濟(jì)新聞》報(bào)導(dǎo),半導(dǎo)體業(yè)界團(tuán)體SEMI Japan 從會員當(dāng)中的制造裝置制造商,整理出中國半導(dǎo)體工廠的全新設(shè)廠計(jì)劃。在截至2022 年2 月底,SEMI Japan 會員首度進(jìn)行交易的新興制造商合計(jì)有22 家,當(dāng)中有12 家的生產(chǎn)項(xiàng)目都列有功率半導(dǎo)體。
          例如,潤西微電子就計(jì)劃在重慶市興建12 吋矽晶圓的功率半導(dǎo)體工廠,杭州富芯半導(dǎo)體也研擬在浙江省杭州市興建12 吋矽晶圓的功率半導(dǎo)體工廠。SEMI Japan 根據(jù)信用狀的發(fā)行狀況等,判斷相關(guān)計(jì)畫正在推動(dòng)當(dāng)中,且準(zhǔn)確度都有80% 以上。
          中國廠商快速投入功率半導(dǎo)體的生產(chǎn),和中國政府自2015 年前后開始大力推動(dòng)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)支援政策有關(guān)。例如 2021 年之后,由中國政府支持的「國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金」,就成為前面提到的潤西、杭州富芯兩家公司的大股東。
          功率半導(dǎo)體的細(xì)微化加工技術(shù)成熟,也是一大要素。12 家公司當(dāng)中,大多采用20 年前左右就已經(jīng)實(shí)用化的90 納米制程,進(jìn)入門檻較低。
          不過,不少功率半導(dǎo)體需要有豐富電路設(shè)計(jì)及制造經(jīng)驗(yàn)的人才。SEMI Japan 產(chǎn)業(yè)專家青木慎一說,由于這些廠商的母公司原本就是中堅(jiān)制造商,因此可確保技術(shù)人才。加上這些業(yè)務(wù)的可行性高,使中國半導(dǎo)體的投資重點(diǎn)往功率半導(dǎo)體的方向轉(zhuǎn)移。
          日本三菱電機(jī)等業(yè)者雖然在功率半導(dǎo)體方面仍保有國際競爭力,但多半生產(chǎn) 8 吋晶圓,而中國廠商的生產(chǎn)主力為12 吋晶圓,每片晶圓可生產(chǎn)的晶片數(shù)量是8 吋晶圓的2.25 倍。
          日本的半導(dǎo)體裝置廠商銷往中國市場的業(yè)績?nèi)詴惩?,但另一方面卻也幫助中國的功率半導(dǎo)體制造商更為茁壯,使日本面臨「回力棒效應(yīng)」(Boomerang Effect,行為與預(yù)期目標(biāo)完全相反的現(xiàn)象) 的考驗(yàn)。


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